深入解析 onsemi NFAM2065L4BT 智能功率模块

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描述

深入解析 onsemi NFAM2065L4BT 智能功率模块

引言

在电子工程领域,智能功率模块(IPM)对于电机驱动等应用至关重要。onsemi 的 NFAM2065L4BT 是一款性能出色的 IPM,本文将对其进行详细解析,帮助电子工程师更好地了解和应用这款产品。

文件下载:NFAM2065L4BT-D.PDF

产品概述

NFAM2065L4BT 是一款完全集成的逆变器功率模块,适用于驱动永磁同步(PMSM)电机、无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。它集成了独立的高端栅极驱动器、LVIC、六个 IGBT 和一个温度传感器(VTS 或热敏电阻 (T))。IGBT 采用三相桥配置,下桥臂具有独立的发射极连接,为控制算法的选择提供了最大的灵活性。

特点

  1. 三相 650V、20A IGBT 模块:具备独立驱动器和有源逻辑接口,能满足多种电机驱动需求。
  2. 内置欠压保护(UVP):增强了模块的稳定性和可靠性,防止因电压异常导致的损坏。
  3. 集成自举二极管和电阻:简化了电路设计,减少了外部元件的使用。
  4. 独立的下侧 IGBT 发射极连接:可实现各相的独立电流检测,方便工程师进行精确控制。
  5. 温度传感器:提供温度监测功能,有助于及时发现模块过热等问题。
  6. UL1557 认证:符合相关安全标准,可应用于对安全性要求较高的场合。
  7. 无铅器件:符合环保要求。

应用领域

该模块适用于多种工业应用,如工业驱动器、工业泵、工业风扇和工业自动化等。

产品标记与订购信息

标记图

模块的标记位于封装顶部,包含特定设备代码、组装批次代码、组装位置、测试位置、年份和工作周等信息。

订购信息

NFAM2065L4BT 采用 DIP39 封装,尺寸为 31.0x54.5(无铅),每盒 90 个。

引脚功能描述

该模块共有 39 个引脚,各引脚功能如下: 引脚 名称 描述
1 VS(U) U 相 IGBT 驱动的高端偏置电压地
(2) - 虚设引脚,用于内部连接,应不连接
3 VB(U) U 相 IGBT 驱动的高端偏置电压
4 VDD(UH) U 相 IC 的高端偏置电压
(5) - 虚设引脚
6 HIN(U) 高端 U 相的信号输入
7 VS(V) V 相 IGBT 驱动的高端偏置电压地
(8) - 虚设引脚
9 VB(V) V 相 IGBT 驱动的高端偏置电压
10 VDD(VH) V 相 IC 的高端偏置电压
(11) - 虚设引脚
12 HIN(V) 高端 V 相的信号输入
13 VS(W) W 相 IGBT 驱动的高端偏置电压地
(14) - 虚设引脚
15 VB(W) W 相 IGBT 驱动的高端偏置电压
16 VDD(WH) W 相 IC 的高端偏置电压
(17) - 虚设引脚
18 HIN(W) 高端 W 相的信号输入
(19) - 虚设引脚
20 VTS LVIC 温度传感单元的电压输出
21 LIN(U) 低端 U 相的信号输入
22 LIN(V) 低端 V 相的信号输入
23 LIN(W) 低端 W 相的信号输入
24 VFO 故障输出
25 CFOD 故障输出持续时间选择电容
26 CIN 电流保护输入
27 VSS 低端公共电源地
28 VDD(L) 用于 IC 和 IGBT 驱动的低端偏置电压
(29) - 虚设引脚
(30) - 虚设引脚
31 NW U 相的负直流母线输入
32 NV V 相的负直流母线输入
33 NU W 相的负直流母线输入
34 W U 相的输出
35 V V 相的输出
36 U W 相的输出
37 P 正直流母线输入
38 VTH 热敏电阻偏置电压 (T) / 不连接
39 RTH 热敏电阻(温度检测)的串联电阻(T 可选)

绝对最大额定值

在使用该模块时,需要注意其绝对最大额定值,超过这些值可能会损坏设备。以下是部分重要的额定值: 额定值 符号 条件 单位
电源电压 VPN P - NU, NV, NW 450 V
电源电压(浪涌) VPN(Surge) P - NU, NV, NW 550 V
自保护电源电压限制(短路保护能力) VPN(PROT) VDD = VBS = 13.5 V ~ 16.5 V, Tj = 150 °C, Vces < 650 V, 非重复,< 2 us 400 V
集电极 - 发射极电压 Vces - 650 V
最大重复反向电压 VRRM - 650 V
每个 IGBT 集电极电流 ± Ic - ± 20 A
每个 IGBT 集电极电流(峰值) ± Icp 1 ms 脉冲宽度下 ± 40 A
控制电源电压 VDD VDD(UH,VH,WH), VDD(L) - VSS -0.3 至 20 V
高端控制偏置电压 VBS VB(U) - VS(U), VB(V) - VS(V), VB(W) - VS(W) -0.3 至 20 V
输入信号电压 VIN HIN(U), HIN(V), HIN(W), LIN(U), LIN(V), LIN(W) - VSS -0.3 至 VDD V
故障输出电源电压 VFO VFO - VSS -0.3 至 VDD V
故障输出电流 IFO VFO 引脚的灌电流 2 mA
电流传感输入电压 VCIN CIN - VSS -0.3 至 VDD V
集电极耗散功率 Pc 每芯片 96 W
工作结温 Tj - -40 至 +150 °C
存储温度 Tstg - -40 至 +125 °C
模块外壳工作温度 Tc - -40 至 +125 °C
隔离电压 Viso 60 Hz,正弦波,交流 1 分钟,连接引脚到散热板 2500 V rms

热特性

模块的热特性对于其性能和可靠性至关重要。以下是相关热阻参数: 额定值 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
结到外壳热阻(逆变器 IGBT 部分,每 1/6 模块) Rth(j - c)Q - - - 1.3 °C/W
结到外壳热阻(逆变器 FWDi 部分,每 1/6 模块) Rth(j - c)F - - - 2.4 °C/W

推荐工作范围

为了确保模块的正常工作和可靠性,建议在以下范围内使用: 额定值 条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压 VPN - 300 400 V
VDD VDD(UH,VH,WH),VDD(L) - VSS 13.5 - - V
VBS - 15 18.5 - V
PWM 频率 - 1 - 20 kHz
DT - 1.5 - - us
允许的均方根电流 lo P.F. = 0.8, fPWM = 15 kHz 1 15.4 - A

电气特性

驱动部分

参数 测试条件 符号 最小值 典型值 最大值 单位
静态 VDD 电源电流 VDD(UH,VH,WH) = 15 V, HIN(U,V,W) = 0 V IQDDH - - 0.30 mA
VDD(L) = 15 V, LIN(U, V, W) = 0 V IQDDL - - 3.50 mA
工作 VDD 电源电流 VDD(UH, VH, WH) = 15 V, fPWM = 20 kHz, Duty = 50%, 应用于高端一个 PWM 信号输入 IPDDH - - 0.40 mA
VDD(L) = 15 V, fPWM = 20 kHz, Duty = 50%, 应用于低端一个 PWM 信号输入 IPDDL - - 6.00 mA
静态 VBS 电源电流 VBS = 15 V, HIN(U, V, W) = 0 V IQBS - - 0.30 mA
工作 VBS 电源电流 VDD = VBS = 15 V, fPWM = 20 kHz, Duty = 50%, 应用于高端一个 PWM 信号输入 IPBS - - 5.00 mA
导通阈值电压 HIN(U, V, W) - VSS, LIN(U, V, W) - VSS VIN(ON) 2.6 - - V
关断阈值电压 - VIN(OF) 0.8 - - V
短路跳闸电平 VDD = 15 V, CIN - VSS VCIN(ref) 0.46 0.48 0.50 V
电源电路欠压保护检测电平 - UVDDD 10.3 - 12.5 V
复位电平 - UVDDR 10.8 - 13.0 V
检测电平 - UVBSD 10.0 - 12.0 V
复位电平 - UVBSR 10.5 - 12.5 V
LVIC 温度传感单元的电压输出 VTS - VSS = 10 nF, 温度 = 25°C VTS 0.905 1.030 1.155 V
故障输出电压 VDD = 0 V, CIN = 0 V, VFO 电路:10 k 上拉至 5 V VFOH 4.9 - - V
VDD = 0 V, CIN = 1 V, VFO 电路:10 k 上拉至 5 V VFOL - - 0.95 V
故障输出脉冲宽度 CFOD = 22 nF tFOD 1.6 2.4 - ms

自举部分

参数 测试条件 符号 最小值 典型值 最大值 单位
自举二极管正向电压 If = 0.1 A VF 3.4 4.6 5.8 V
内置限流电阻 - RBOOT 30 38 46 Ω

热敏电阻特性

参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位
电阻 Tc = 25°C 46.530 - -
- 1.344 1.406 1.471 -
B 常数(25 - 50°C) - 4009.5 4050 4090.5 K

机械尺寸

NFAM2065L4BT 采用 DIP39 封装,尺寸为 54.50x31.00x5.60,引脚间距为 1.78P。具体尺寸参数可参考文档中的机械尺寸图。

总结

onsemi 的 NFAM2065L4BT 智能功率模块具有集成度高、性能可靠、应用范围广等优点。电子工程师在设计电机驱动等相关电路时,可以充分利用其特点,提高设计的效率和质量。但在使用过程中,务必注意其绝对最大额定值和推荐工作范围,以确保模块的正常运行和长期可靠性。你在实际应用中是否遇到过类似模块的使用问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。

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