电子说
在当今的电力电子领域,氮化镓(GaN)功率晶体管凭借其卓越的性能优势,逐渐成为逆变器应用的理想选择。Transphorm公司推出的TDPV1000E0C1逆变器套件,为评估GaN功率晶体管在各种逆变器应用(如太阳能和不间断电源UPS)中的性能提供了便捷途径。
文件下载:TDPV1000E0C1-KIT.pdf
该套件以经过验证的功能配置呈现了单相同步逆变器的主要特性,工作频率可达100kHz及以上。逆变器的核心是四个配置为全桥的GaN晶体管,它们与板上的栅极驱动电路紧密耦合,同时还具备灵活的微控制器选项和方便的PC通信连接。开关模式功率信号经过滤波后,可提供纯净的正弦输出。
TDPV1000E0C1套件包含以下内容:
虽然该套件具备逆变器的主要功能,但它并非成品。使用时需注意以下几点:
TDPV1000E0C1逆变器是一个简单的全桥逆变器。两个GaN半桥由脉宽调制(PWM)命令信号驱动,以产生正弦变化的输出。输出滤波器可大幅去除开关频率,只保留50/60Hz的基波正弦波。高频(100kHz以上)PWM信号由德州仪器的微控制器生成,并直接连接到高速、高压栅极驱动器。通过隔离USB接口,可实现微控制器与外部的通信。除功率级的高压电源外,控制电路所需的所有电压均由一个12V输入提供。
该逆变器采用无二极管运行方式,续流电流由GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)自身承担,无需额外的续流二极管,这一特性有助于降低成本和提高效率。
高压集成驱动器为高低侧功率晶体管提供栅极驱动信号。选用的是600V高低侧驱动器(Silicon Labs Si8230系列),这些驱动器专为高速运行而设计,且不自动插入死区时间,死区时间由固件设置。
输出端采用简单的LCL滤波器(L3、L4、C37和C54 - 57),可衰减开关频率,在端子J4和J5处产生干净的正弦波形。演示板上使用的滤波器电感和电容经过精心选择,以实现低损耗、良好的开关频率衰减和小尺寸的最佳组合。一般来说,截止频率约为5 - 10kHz,以适应100kHz的开关频率。电感采用具有相对低磁导率(60 - 90)和软饱和特性的粉末磁芯。用户可更改电感和/或电容,以评估不同的滤波器设计。
霍尔传感器U8和U10为微控制器提供线性电流反馈。这些信号可用于控制输出功率流和/或防止短路,但随套件提供的固件并未实际使用此反馈。传感器通常采用Allegro ACS712 - 20A传感器,量程为±20A(100mV/A),且与±5A和±30A版本的ACS712引脚兼容,方便用户根据需要选择不同量程。
微控制器与计算机之间的通信通过标准USB电缆实现。隔离USB接口允许同时使用两个物理端口连接到微控制器:一个JTAG端口用于调试和加载固件,一个UART端口用于与主机应用程序通信。
微控制器位于一个可移动的控制卡上,该卡插入逆变器PCB上的DIM100插座。该插座可接受德州仪器C2000系列的多种控制卡。套件中提供的TMDSCNCD28035 Piccolo控制卡可让用户尝试各种调制和控制算法,且预加载了固件,可实现开箱即用。如果用户希望使用其他微控制器系列,可设计合适的控制卡插入DIM100插座。
每个半桥的两个TO - 220 GaN晶体管安装在一个公共散热片上。该散热片在无强制气流的情况下,可满足1000W的运行需求。通过强制气流或更换更大、更有效的散热片,可进一步提高高功率下的效率。
图6展示了典型的波形。在没有多个接地连接的情况下,高压电源的负端是示波器测量的方便参考点。
图7显示了典型的效率结果。这些数据点对应于在静止空气中,每个功率水平下停留20分钟的效率测量值。使用横河WT1800功率分析仪测量350Vdc电源的输入功率和电阻性负载的输出功率。
物料清单详细列出了套件中使用的各种元件,包括元件的数量、值、型号、制造商和制造商零件编号等信息,为用户的维修和替换提供了便利。
TDPV1000E0C1单相同步逆变器评估板为工程师提供了一个便捷的平台,用于评估GaN功率晶体管在逆变器应用中的性能。通过了解其特性、规格和使用方法,工程师可以更好地利用该套件进行产品开发和优化。大家在使用过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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