安森美NXH020U90MNF2碳化硅模块：高性能电源解决方案

在电子工程领域，电源模块的性能直接影响着整个系统的效率和稳定性。安森美（onsemi）的NXH020U90MNF2碳化硅（SiC）模块，以其卓越的性能和广泛的应用场景，成为众多工程师的首选。今天，我们就来深入了解一下这款模块。

文件下载：NXH020U90MNF2PTG-D.PDF

产品概述

NXH020U90MNF2是一款采用F2封装的功率模块，内部集成了一个维也纳整流器模块。它包含两个10 mΩ、900 V的SiC MOSFET，两个100 A、1200 V的SiC二极管，以及一个热敏电阻。这种集成设计不仅节省了电路板空间，还提高了系统的可靠性。

产品特性

高性能器件

• 中性点MOSFET：采用10 mΩ、900 V的SiC MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
• 升压二极管：配备100 A、1200 V的SiC二极管，具有快速的反向恢复特性，减少了开关损耗，提高了系统的可靠性。
• 热敏电阻：内置热敏电阻，可实时监测模块温度，为系统提供过温保护。

灵活的选择

• 热界面材料（TIM）选项：提供预涂覆TIM和未预涂覆TIM两种选项，满足不同应用场景的需求。
• 压接引脚：采用压接引脚设计，方便安装和焊接，提高了生产效率。

环保设计

该模块符合RoHS标准，无铅、无卤，环保性能出色。

典型应用

• 电动汽车充电站：随着电动汽车的普及，充电站的需求也日益增长。NXH020U90MNF2模块的高性能和高可靠性，能够满足电动汽车快速充电的需求。
• 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，模块的高效性能和快速响应能力，能够确保在市电中断时，为负载提供稳定的电源。
• 储能系统：在储能系统中，模块的高功率密度和低损耗特性，能够提高储能效率，降低系统成本。

电气特性

最大额定值

额定值	符号	值	单位
SiC MOSFET
漏源电压	VDSS	900	V
栅源电压	VGS	+18/−8	V
连续漏极电流（TC = 80 °C，TJ = 175 °C）	ID	149	A
脉冲漏极电流（TJ = 175 °C）	IDpulse	447	A
最大功耗（TJ = 175 °C）	Ptot	352	W
最小结温	TJMIN	−40	°C
最大结温	TJMAX	175	°C
SiC二极管
重复峰值反向电压		1200	V
连续正向电流（TC = 80 °C，TJ = 175 °C）		118	A
浪涌正向电流（tp = 10 ms）		354	A
每个二极管的功耗（TJ = 175 °C，TC = 80 °C）		365	W
最小工作结温		−40	°C
最大工作结温		175	°C

电气特性（TJ = 25 °C，除非另有说明）

• SiC MOSFET特性：零栅压漏极电流、漏源导通电阻、栅源阈值电压等参数表现出色，确保了模块的稳定性能。
• SiC二极管特性：正向电压、反向恢复电流、反向恢复时间等参数，体现了二极管的快速响应和低损耗特性。

典型特性曲线

文档中提供了大量的典型特性曲线，包括MOSFET的输出特性、转移特性、开关特性，以及二极管的正向特性、反向恢复特性等。这些曲线为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据。

订购信息

可订购部件编号	标记	封装	运输
NXH020U90MNF2PTG	NXH020U90MNF2PTG	F2 - VIENNA：Case 180BZ压接引脚，预涂覆热界面材料（TIM）（无铅/无卤）	20个/泡罩托盘
NXH020U90MNF2PG	NXH020U90MNF2PG	F2 - VIENNA：Case 180BZ压接引脚（无铅/无卤）	20个/泡罩托盘

总结

安森美NXH020U90MNF2碳化硅模块以其高性能、高可靠性和广泛的应用场景，为电子工程师提供了一个优秀的电源解决方案。在实际设计中，工程师可以根据具体需求，合理选择模块的参数和特性，以实现系统的最佳性能。你在使用类似模块时，遇到过哪些挑战呢？欢迎在评论区分享你的经验。