电子说
在当今的射频与微波领域,高性能的下变频器是众多应用的核心组件。HMC967LP4E作为一款21 - 24 GHz的GaAs MMIC I/Q下变频器,凭借其出色的性能和特性,在众多同类产品中脱颖而出。下面,我们就来深入了解一下这款产品。
文件下载:HMC967.pdf
HMC967LP4E具有广泛的应用场景,是以下领域的理想选择:
采用24引脚4 x 4 mm的SMT封装,封装面积仅为16 mm²,体积小巧,便于集成到各种系统中。同时,该封装符合RoHS标准,环保可靠。
HMC967LP4E采用了先进的电路设计,利用LNA(低噪声放大器)和镜像抑制混频器相结合的方式。LNA能够有效地放大输入信号,同时降低噪声。镜像抑制混频器则由有源x2倍频器驱动,能够消除LNA后面的滤波器需求,并去除镜像频率处的热噪声。该混频器提供I和Q混频器输出,需要一个外部90°混合器来选择所需的边带。与传统的混合式镜像抑制混频器下变频器组件相比,HMC967LP4E体积更小,并且兼容表面贴装制造技术。
| 在典型工作条件下((T_{A}=+25^{circ} C),(IF =1000 MHz),(L O=+6 dBm),(V d d=3.5) Vdc),HMC967LP4E的各项电气规格如下: | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 频率范围,RF | 21 - 24 | GHz | |||
| 频率范围,LO | 8.8 - 13.5 | GHz | |||
| 频率范围,IF | DC - 3.5 GHz | ||||
| 转换增益(作为IRM) | 11 | 15 | dB | ||
| 噪声系数 | 2.5 | 3.5 | dB | ||
| 镜像抑制 | 15 | 25 | dBc | ||
| 1 dB压缩(输入) | -8.5 | dBm | |||
| 2 LO到RF隔离 | 32 | 40 | dB | ||
| 2 LO到IF隔离 | 14 | 20 | dB | ||
| IP3(输入) | -2 | 1 | dBm | ||
| 幅度平衡 | 0.5 | dB | |||
| 相位平衡 | -12 | deg | |||
| 总电源电流 | 170 | 210 | mA |
| 为了确保产品的安全和可靠运行,需要注意其绝对最大额定值: | 参数 | 数值 |
|---|---|---|
| RF | +2 dBm | |
| LO驱动 | +10 dBm | |
| Vdd | 4V | |
| 通道温度 | 175 °C | |
| 连续功耗(T = 85°C)(85°C以上每升高1°C降额12.5 mW) | 1.13 W | |
| 热阻(R TH )(通道到封装底部) | 79.6 °C/W | |
| 存储温度 | -65 to +150 °C | |
| 工作温度 | -55 to +85 °C | |
| ESD灵敏度(HBM) | 1A类 |
| HMC967LP4E的引脚功能如下: | 引脚编号 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1, 2, 6, 7, 10 - 12, 15, 18 - 22 | 未内部连接,但所有数据测量时这些引脚外部连接到RF/DC地 | |
| 3 | RF LNA的电源 | |
| 4 | LO放大器第二级的电源 | |
| 5 | LO放大器第一级的电源 | |
| 8 | LO输入,匹配到50欧姆,交流耦合 | |
| 9, 13, 17, 24 | 接地引脚,暴露的接地焊盘必须连接到RF/DC地 | |
| 16 | IF2输出,直流耦合。对于不需要直流工作的应用,该端口应使用串联电容进行外部直流阻断 | |
| 14 | IF1输出,对于直流工作,该引脚电流不得超过3 mA | |
| 23 | RF输入,匹配到50欧姆,交流耦合 |
| Hittite提供了评估PCB,方便工程师进行产品测试和验证。评估PCB采用了RF电路设计技术,信号线路具有50欧姆阻抗,封装接地引脚和暴露焊盘直接连接到接地平面。评估PCB的材料为Rogers 4350,具体材料清单如下: | 项目 | 描述 |
|---|---|---|
| J1 | PCB安装SMA RF连接器,SRI | |
| J2, J3 | PCB安装K连接器,SRI | |
| J5 - J8 | DC引脚 | |
| C1, C4, C7 | 100 pF电容,0402封装 | |
| C2, C5, C8 | 10 nF电容,0402封装 | |
| C3, C6, C9 | 4.7 µF电容,A类封装 | |
| U1 | HMC967LP4E | |
| PCB | 161653评估板 |
HMC967LP4E作为一款高性能的GaAs MMIC I/Q下变频器,在21 - 24 GHz频段具有出色的性能和特性。其广泛的应用领域、优越的性能指标、小巧的封装以及完善的评估方案,使其成为电子工程师在设计相关系统时的理想选择。在实际应用中,工程师可以根据具体需求,合理选择和使用该产品,以实现系统的最佳性能。你在使用类似下变频器的过程中,遇到过哪些挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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