电子说
在电子工程师的日常工作中,寻找高性能、高可靠性的功率模块一直是设计中的关键环节。今天,我们就来深入了解一下安森美(onsemi)推出的一款极具创新性的产品——NVXR22S90M2SPC碳化硅(SiC)功率模块。
文件下载:NVXR22S90M2SPC-D.PDF
NVXR22S90M2SPC属于用于牵引逆变器的EliteSiC功率模块系列。这是一个具有革命性的高移动性化合物半导体产品家族,在类似且高度兼容的封装解决方案中,它能提供更高的性能、更好的效率以及更高的功率密度。该模块采用6 - 封装配置集成了900V SiC MOSFET,为工程师们在设计牵引逆变器时提供了强大的支持。
这些器件无铅且符合RoHS标准,符合现代电子设备对环保的要求,为绿色设计提供了支持。
该模块的引脚功能丰富,包括正功率端子(P1, P2, P3)、负功率端子(N1, N2, N3)、三相输出(1、2、3)、SiC MOSFET的栅极(G1 - G6)、源极/栅极返回(S1 - S6)、漏极感应(D1 - D6)以及三相温度传感器输出(T11, T12;T21, T22;T31, T32)等。工程师在设计电路时,需要根据这些引脚功能进行合理的连接和布局。
| 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|
| 漏源电压 (V_{DS}) | 900 | V |
| 栅源电压 (V_{GS}) | + 22 / - 8 | V |
| 连续直流漏极电流 (I_{DS})(特定条件下) | 510 | A |
| 脉冲漏极电流 (I_{DS.pulsed}) | 1020 | A |
| 连续直流体二极管电流 (I_{SD.BD})(特定条件下) | 230 | A |
| 脉冲体二极管电流 (I_{SD.pulsed}) | 1020 | A |
| 总功率耗散 (P_{tot})(特定条件下) | 900 | W |
需要注意的是,超过这些最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。
在 (T{vj}=25^{circ}C) 条件下,MOSFET的导通电阻 (R{DS(ON)}) 范围为2.20 - 3.10 mΩ。同时,还给出了不同温度下的开关损耗、内部栅极电阻、输出电容等参数。这些参数对于评估MOSFET在不同工作条件下的性能至关重要。
体二极管的正向电压在不同温度下有不同的典型值和最大值,反向恢复电流等参数也有相应的规定。工程师在设计电路时,需要考虑这些特性对整个系统性能的影响。
FET结到流体的热阻 (R_{th,J - F}) 在特定测试条件下,典型值为0.12 °C/W,最大值为0.131 °C/W。良好的热性能是保证模块稳定运行的关键因素之一。
NVXR22S90M2SPC主要应用于混合动力和电动汽车牵引逆变器。在这些应用中,其高性能、高可靠性的特点能够充分发挥作用,为车辆的动力系统提供稳定的支持。
在使用该模块时,工程师需要严格按照其电气和热性能参数进行设计,避免超过最大额定值。同时,要注意散热设计,确保模块在合适的温度范围内工作。此外,由于该模块符合汽车标准,在汽车应用中还需要遵循相关的汽车设计规范和要求。
总的来说,安森美的NVXR22S90M2SPC碳化硅功率模块为电子工程师在设计牵引逆变器等应用时提供了一个优秀的选择。其高性能、高可靠性和良好的散热设计等特点,将有助于推动电动汽车等领域的技术发展。你在实际设计中是否使用过类似的SiC功率模块呢?遇到过哪些挑战和问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !