格罗方德推出基于增强版FDX平台的AutoPro150 eMRAM技术

格罗方德非易失性存储器（NVM）产品组合中性能最强、可靠性最高的嵌入式存储技术，现已开放原型验证。

近日，格罗方德（纳斯达克代码：GFS ，简称 GF）宣布，在其超低功耗 FDX 平台上推出符合 Grade 1 车规认证的嵌入式磁性随机存取存储器（eMRAM）技术。这一进展进一步丰富了格罗方德在嵌入式非易失性存储器（eNVM）领域的产品布局，并强化了其 AutoPro 汽车解决方案平台的实力。

本次发布的全新 FDX+AutoPro150 eMRAM 技术相较于业内同类产品，在性能与可靠性方面具备显著优势：

经验证的 50 万次写入耐久性

低于 10 纳秒的读取延迟

可支持更大容量存储设计的更优扩展能力

该技术针对磁场干扰进行了优化，并通过了严苛环境下的可靠性验证，可在高达 150°C 条件下稳定运行，从而赋能高性能系统级芯片（SoC）解决方案，满足汽车关键应用需求。通过与格罗方德增强型 FDX 平台实现片上集成，可实现紧凑灵活的芯片设计，兼具出色能效与安全性。  

当前，eMRAM 技术已被一级供应商广泛应用于软件定义汽车（SDV）和高级驾驶辅助系统（ADAS）中的微控制器（MCU），为安全关键功能提供实时处理能力，并支持空中软件升级（OTA），从而缩短停机时间并提升用户体验。随着物理 AI（Physical AI）系统持续迭代与规模化应用，eMRAM 的高速访问特性与低功耗优势，将为自动驾驶汽车、人形机器人等自主学习实体提供面向未来的设计方案。

格罗方德超低功耗产品线高级副总裁Ed Kaste：“随着面向Grade 1车规认证的FDX+AutoPro150 eMRAM平台的推出，格罗方德正在为最严苛的汽车及工业应用环境树立嵌入式存储性能的新标杆。通过将高速、可靠的 MRAM 与高能效 FDX 平台相结合，为客户打造新一代软件定义汽车及新兴物理 AI 系统提供强大路径。这一里程碑式的创新彰显了格罗方德规模化交付创新汽车解决方案的承诺，助力客户更高效、更安心地与制造伙伴共同打造面向未来的产品方案。”

博世数字半导体路线与运营副总裁Dominik Erb：“MRAM 是汽车前沿创新领域的关键技术，其速度、耐久度与可靠性将推动下一代软件定义汽车 MCU 实现实时、分布式智能。我们欢迎格罗方德在 FDX 平台上推出嵌入式 MRAM 技术——这一方案能够满足汽车行业日益增长的市场需求。”

目前， FDX+AutoPro150 eMRAM 的工艺设计套件（PDK）可通过格罗方德自助平台 GF Connect 获取，助力客户快速启动设计流程。依托多个核心客户的项目支持，该技术预计将于 2026 年下半年在格罗方德位于德国德累斯顿的工厂实现量产。