安森美1200V、50A碳化硅肖特基二极管NDSH50120C-F155评测

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安森美1200V、50A碳化硅肖特基二极管NDSH50120C-F155评测

在电力电子领域,碳化硅(SiC)技术正逐渐崭露头角,成为提升系统性能的关键因素。安森美(onsemi)推出的NDSH50120C - F155碳化硅肖特基二极管,凭借其卓越的性能和先进的技术,为工程师们提供了一个强大的解决方案。

文件下载:NDSH50120C-F155-D.PDF

一、产品概述

NDSH50120C - F155是一款采用碳化硅技术的肖特基二极管,与传统的硅二极管相比,它具有显著的优势。碳化硅技术使得该二极管具备出色的开关性能和更高的可靠性。其最大的亮点在于无反向恢复电流,开关特性不受温度影响,并且拥有优秀的热性能,这些特点使碳化硅成为下一代功率半导体的理想选择。使用该二极管的系统能够实现更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度,同时降低电磁干扰(EMI),并减小系统的尺寸和成本。

二、产品特性

2.1 温度与雪崩特性

  • 高结温:最大结温可达175°C,能够在高温环境下稳定工作,适应各种恶劣的应用场景。
  • 雪崩额定能量:雪崩额定能量为380 mJ,这意味着它在承受瞬间高能量冲击时具有较好的稳定性,能够有效保护电路。

2.2 电流与系数特性

  • 高浪涌电流能力:具备高浪涌电流容量,能够承受较大的瞬间电流冲击,保证系统在启动或故障时的安全性。
  • 正温度系数:正温度系数使得该二极管在并联使用时更加稳定,易于实现多个二极管的并联连接,提高系统的功率处理能力。

2.3 恢复特性

  • 无反向恢复和正向恢复:无反向恢复电流和正向恢复过程,大大减少了开关损耗,提高了系统的效率。

2.4 环保特性

该器件是无卤的,并且符合RoHS标准(豁免7a),在二级互连处为无铅(Pb - Free 2LI),满足环保要求。

三、应用领域

NDSH50120C - F155具有广泛的应用领域,包括但不限于以下几个方面:

  • 通用应用:适用于各种通用的电力电子系统,为系统提供高效的整流功能。
  • 开关电源(SMPS):在开关电源中,该二极管能够提高电源的效率和稳定性,减少能量损耗。
  • 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,其高性能能够更好地适应太阳能电池板的输出特性,提高能量转换效率。
  • 不间断电源(UPS):在UPS系统中,能够保证电源的可靠性和稳定性,为重要设备提供持续的电力支持。
  • 功率开关电路:在功率开关电路中,其快速的开关特性能够提高电路的响应速度,减少开关损耗。

四、电气特性

4.1 绝对最大额定值

符号 参数 单位
VRRM 重复峰值反向电压 1200 V
EAS 单脉冲雪崩能量(注1) 380 mJ
IF($T_{C}<139^{circ} C$) 连续整流正向电流 50 A
IF($T_{C}<135^{circ} C$) 连续整流正向电流 53 A
IF, Max($T_{C}=25^{circ}C, 10mu s$) 非重复峰值正向浪涌电流 1568 A
IF, Max($T_{C}=150^{circ} C, 10 mu s$) 非重复峰值正向浪涌电流 1414 A
F,SM(半正弦脉冲,$t_{p}=8.3 ~ms$) 非重复正向浪涌电流 231 A
F,R(半正弦脉冲,$t_{p}=8.3 ~ms$) 重复正向浪涌电流 84 A
功率耗散($T_{C}=25^{circ}C$) 功率耗散 375 W
功率耗散($T_{C}=150^{circ}C$) 功率耗散 62.5 W
TJ, TSTG 工作和储存温度范围 -55 to +175 °C

注:超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能,可能会发生损坏并影响可靠性。$E{AS}$的380 mJ是基于起始$T{J}=25^{circ} C$,$L = 0.5 mH$,$I_{AS}=39 ~A$,$V = 50 ~V$。

4.2 热特性

符号 参数 单位
Ruc 结到外壳的热阻(最大) 0.4 °C/W
RBA 结到环境的热阻(最大) 40 °C/W

4.3 电气特性

符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VF 正向电压($I{F}=50 ~A, ~T{J}=25^{circ} C$) 1.4 1.75 V
VF 正向电压($I{F}=50 ~A, ~T{J}=125^{circ} C$) 1.63 V
VF 正向电压($I{F}=50 ~A, ~T{J}=175^{circ} C$) 1.84 V
IR 反向电流($V{R}=1200V,T{J}=25^{circ}C$) 12.2 200 μA
IR 反向电流($V{R}=1200V,T{J}=125^{circ}C$) 30 200 μA
IR 反向电流($V{R}=1200V,T{J}=175^{circ}C$) 61.5 200 μA
Qc 总电容电荷($V = 800 V$) 246 nC
C 总电容($V_{R}=1 ~V, f = 100 kHz$) 3691 pF
C 总电容($V_{R}=400 ~V, f = 100 kHz$) 198 pF
C 总电容($V_{R}=800 ~V, f = 100 kHz$) 143 pF

产品的参数性能在电气特性中针对列出的测试条件进行了说明,除非另有说明。如果在不同条件下运行,产品性能可能无法通过电气特性体现。

五、封装与订购信息

5.1 封装尺寸

封装尺寸的相关说明如下:

  • 尺寸不包括毛刺、模具飞边和连接条突出部分。
  • 所有尺寸单位为毫米。
  • 尺寸和公差符合ASME Y14.5 - 2009标准。
  • 尺寸A1在L1定义的区域内测量。
  • 引脚镀层在L1定义的区域内不受控制。
具体的封装尺寸如下表所示: DIM 最小值(毫米) 标称值(毫米) 最大值(毫米)
A 4.58 4.70 4.82
A1 2.20 2.40 2.60
A2 1.40 1.50 1.60
b 1.17 1.26 1.35
b2 1.60 1.72 1.84
C 0.51 0.61 0.71
D 20.32 20.57 20.82
D1 13.08
D2 0.51 0.93 1.35
E 15.37 15.62 15.87
E1 12.81
E2 4.96 5.08 5.20
e 11.12
L 19.75 20.00 20.25
L1 3.69 3.81 3.93
øP 3.51 3.58 3.65
P1 6.60 6.80 7.00
Q 5.34 5.46 5.58
S 5.34 5.46 5.58

5.2 订购信息

部件编号 顶部标记 封装 包装
NDSH50120C - F155 DSH50120C TO - 247 - 2LD(无铅/无卤) 30个/管

六、总结与思考

安森美NDSH50120C - F155碳化硅肖特基二极管以其卓越的性能和先进的技术,为电力电子系统带来了显著的提升。其无反向恢复电流、高结温、高浪涌电流能力等特性,使得它在各种应用场景中都具有很大的优势。然而,在实际应用中,工程师们也需要根据具体的系统需求,综合考虑二极管的各项参数,确保其能够与其他电路元件良好配合。例如,在高温环境下使用时,需要充分考虑其热特性,合理设计散热方案;在高浪涌电流的应用中,要确保其能够承受相应的冲击。那么,你在实际项目中是否使用过类似的碳化硅肖特基二极管呢?在使用过程中遇到过哪些问题?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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