电子说
在电力电子领域,碳化硅(SiC)技术正逐渐崭露头角,成为提升系统性能的关键因素。安森美(onsemi)推出的NDSH50120C - F155碳化硅肖特基二极管,凭借其卓越的性能和先进的技术,为工程师们提供了一个强大的解决方案。
NDSH50120C - F155是一款采用碳化硅技术的肖特基二极管,与传统的硅二极管相比,它具有显著的优势。碳化硅技术使得该二极管具备出色的开关性能和更高的可靠性。其最大的亮点在于无反向恢复电流,开关特性不受温度影响,并且拥有优秀的热性能,这些特点使碳化硅成为下一代功率半导体的理想选择。使用该二极管的系统能够实现更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度,同时降低电磁干扰(EMI),并减小系统的尺寸和成本。
该器件是无卤的,并且符合RoHS标准(豁免7a),在二级互连处为无铅(Pb - Free 2LI),满足环保要求。
NDSH50120C - F155具有广泛的应用领域,包括但不限于以下几个方面:
| 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VRRM | 重复峰值反向电压 | 1200 | V |
| EAS | 单脉冲雪崩能量(注1) | 380 | mJ |
| IF($T_{C}<139^{circ} C$) | 连续整流正向电流 | 50 | A |
| IF($T_{C}<135^{circ} C$) | 连续整流正向电流 | 53 | A |
| IF, Max($T_{C}=25^{circ}C, 10mu s$) | 非重复峰值正向浪涌电流 | 1568 | A |
| IF, Max($T_{C}=150^{circ} C, 10 mu s$) | 非重复峰值正向浪涌电流 | 1414 | A |
| F,SM(半正弦脉冲,$t_{p}=8.3 ~ms$) | 非重复正向浪涌电流 | 231 | A |
| F,R(半正弦脉冲,$t_{p}=8.3 ~ms$) | 重复正向浪涌电流 | 84 | A |
| 功率耗散($T_{C}=25^{circ}C$) | 功率耗散 | 375 | W |
| 功率耗散($T_{C}=150^{circ}C$) | 功率耗散 | 62.5 | W |
| TJ, TSTG | 工作和储存温度范围 | -55 to +175 | °C |
注:超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能,可能会发生损坏并影响可靠性。$E{AS}$的380 mJ是基于起始$T{J}=25^{circ} C$,$L = 0.5 mH$,$I_{AS}=39 ~A$,$V = 50 ~V$。
| 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Ruc | 结到外壳的热阻(最大) | 0.4 | °C/W |
| RBA | 结到环境的热阻(最大) | 40 | °C/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VF | 正向电压($I{F}=50 ~A, ~T{J}=25^{circ} C$) | 1.4 | 1.75 | V | ||
| VF | 正向电压($I{F}=50 ~A, ~T{J}=125^{circ} C$) | 1.63 | V | |||
| VF | 正向电压($I{F}=50 ~A, ~T{J}=175^{circ} C$) | 1.84 | V | |||
| IR | 反向电流($V{R}=1200V,T{J}=25^{circ}C$) | 12.2 | 200 | μA | ||
| IR | 反向电流($V{R}=1200V,T{J}=125^{circ}C$) | 30 | 200 | μA | ||
| IR | 反向电流($V{R}=1200V,T{J}=175^{circ}C$) | 61.5 | 200 | μA | ||
| Qc | 总电容电荷($V = 800 V$) | 246 | nC | |||
| C | 总电容($V_{R}=1 ~V, f = 100 kHz$) | 3691 | pF | |||
| C | 总电容($V_{R}=400 ~V, f = 100 kHz$) | 198 | pF | |||
| C | 总电容($V_{R}=800 ~V, f = 100 kHz$) | 143 | pF |
产品的参数性能在电气特性中针对列出的测试条件进行了说明,除非另有说明。如果在不同条件下运行,产品性能可能无法通过电气特性体现。
封装尺寸的相关说明如下:
| 具体的封装尺寸如下表所示: | DIM | 最小值(毫米) | 标称值(毫米) | 最大值(毫米) |
|---|---|---|---|---|
| A | 4.58 | 4.70 | 4.82 | |
| A1 | 2.20 | 2.40 | 2.60 | |
| A2 | 1.40 | 1.50 | 1.60 | |
| b | 1.17 | 1.26 | 1.35 | |
| b2 | 1.60 | 1.72 | 1.84 | |
| C | 0.51 | 0.61 | 0.71 | |
| D | 20.32 | 20.57 | 20.82 | |
| D1 | 13.08 | |||
| D2 | 0.51 | 0.93 | 1.35 | |
| E | 15.37 | 15.62 | 15.87 | |
| E1 | 12.81 | |||
| E2 | 4.96 | 5.08 | 5.20 | |
| e | 11.12 | |||
| L | 19.75 | 20.00 | 20.25 | |
| L1 | 3.69 | 3.81 | 3.93 | |
| øP | 3.51 | 3.58 | 3.65 | |
| P1 | 6.60 | 6.80 | 7.00 | |
| Q | 5.34 | 5.46 | 5.58 | |
| S | 5.34 | 5.46 | 5.58 |
| 部件编号 | 顶部标记 | 封装 | 包装 |
|---|---|---|---|
| NDSH50120C - F155 | DSH50120C | TO - 247 - 2LD(无铅/无卤) | 30个/管 |
安森美NDSH50120C - F155碳化硅肖特基二极管以其卓越的性能和先进的技术,为电力电子系统带来了显著的提升。其无反向恢复电流、高结温、高浪涌电流能力等特性,使得它在各种应用场景中都具有很大的优势。然而,在实际应用中,工程师们也需要根据具体的系统需求,综合考虑二极管的各项参数,确保其能够与其他电路元件良好配合。例如,在高温环境下使用时,需要充分考虑其热特性,合理设计散热方案;在高浪涌电流的应用中,要确保其能够承受相应的冲击。那么,你在实际项目中是否使用过类似的碳化硅肖特基二极管呢?在使用过程中遇到过哪些问题?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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