电子说
在电力电子领域,功率半导体器件的性能对于整个系统的效率、可靠性和成本有着至关重要的影响。今天,我就来详细介绍一下安森美(onsemi)的一款碳化硅(SiC)肖特基二极管——NDSH20120C - F155。
碳化硅肖特基二极管采用了全新的技术,与传统的硅基二极管相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。NDSH20120C - F155这款产品的额定电流为20A,耐压达到1200V,采用TO - 247 - 2L封装,适用于多种电力电子应用场景。
适用于各种通用电力电子设备,如开关电源(SMPS)、太阳能逆变器和不间断电源(UPS)等。在这些应用中,碳化硅肖特基二极管的高效性能可以显著提高系统的效率和功率密度,降低系统成本。
在功率开关电路中,NDSH20120C - F155的快速开关特性和低损耗能够减少开关损耗,提高电路的工作效率。
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| 重复峰值反向电压(VRRM) | 未提及 | V |
| 雪崩能量(EAS) | 166 | mJ |
| 连续整流正向电流(IF)($T_{C}<149^{circ}C$) | 20 | A |
| 非重复峰值正向浪涌电流($T_{C}=150^{circ}C,10mu s$) | 854 | A |
| 重复正向浪涌电流(半正弦脉冲,$t_{p}=8.3ms$) | 40 | A |
| 功率耗散($T_{C}=25^{circ}C$) | 214 | W |
| 功率耗散($T_{C}=150^{circ}C$) | 35 | W |
| 工作和储存温度范围($T{J},T{STG}$) | -55 至 +175 | °C |
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 正向电压($I{F}=20A,T{J}=25^{circ}C$) | - | - | 1.38 | 1.75 | V |
| 正向电压($I{F}=20A,T{J}=175^{circ}C$) | - | - | 1.64 | 1.87 | V |
| 反向电流($V{R}=1200V,T{J}=125^{circ}C$) | - | - | - | 200 | μA |
| 反向电流($V{R}=1200V,T{J}=175^{circ}C$) | - | - | - | 15.7 | μA |
| 该器件采用TO - 247 - 2LD封装,详细的封装尺寸如下: | 尺寸 | 最小值(mm) | 标称值(mm) | 最大值(mm) |
|---|---|---|---|---|
| A | 4.58 | 4.70 | 4.82 | |
| A1 | 2.20 | 2.40 | 2.60 | |
| A2 | 1.40 | 1.50 | 1.60 | |
| b | 1.17 | 1.26 | 1.35 | |
| b2 | 1.60 | 1.72 | 1.84 | |
| C | 0.51 | 0.61 | 0.71 | |
| D | 20.32 | 20.57 | 20.82 | |
| D1 | 13.08 | - | - | |
| D2 | 0.51 | 0.93 | 1.35 | |
| E | 15.37 | 15.62 | 15.87 | |
| E1 | 12.81 | - | - | |
| E2 | 4.96 | 5.08 | 5.20 | |
| e | - | 11.12 | - | |
| L | 19.75 | 20.00 | 20.25 | |
| L1 | 3.69 | 3.81 | 3.93 | |
| ø P | 3.51 | 3.58 | 3.65 | |
| ø P1 | 6.60 | 6.80 | 7.00 | |
| Q | 5.34 | 5.46 | 5.58 | |
| S | 5.34 | 5.46 | 5.58 |
器件的标识包括特定设备代码(DSH20120C)、组装厂代码(A)、日期代码(YWW,年和周)和批次代码(ZZ)。
总的来说,安森美(onsemi)的NDSH20120C - F155碳化硅肖特基二极管是一款性能卓越的功率半导体器件。它的无反向恢复电流、温度独立的开关特性和优秀的热性能,使其在提高系统效率、降低EMI和减小系统尺寸方面具有显著优势。如果你正在寻找一款高性能的二极管用于电力电子应用,不妨考虑一下这款产品。你在实际应用中是否使用过类似的碳化硅肖特基二极管呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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