电子说
在功率半导体领域,安森美(onsemi)的NDSH30120C - F155碳化硅(SiC)肖特基二极管是一款值得关注的产品。它采用全新技术,在性能和可靠性方面超越传统硅基二极管,为电子工程师的设计带来更多优势。
NDSH30120C - F155是一款30A、1200V的碳化硅肖特基二极管,采用TO - 247 - 2L封装。与传统硅二极管相比,碳化硅肖特基二极管具有卓越的开关性能和更高的可靠性。它没有反向恢复电流,开关特性不受温度影响,并且具备出色的热性能,这些特点使其成为下一代功率半导体的代表。
该器件无卤素、无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准,满足环保要求。
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 重复峰值反向电压 | (V_{RRM}) | 1200 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | (E_{AS}) | 196 | mJ |
| 连续整流正向电流((T_{C}<148°C)) | (I_{F}) | 30 | A |
| 连续整流正向电流((T_{C}<135°C)) | (I_{F}) | 38 | A |
| 非重复峰值正向浪涌电流((T_{C}=25°C),10s) | (I_{F}) | 1078 | A |
| 非重复峰值正向浪涌电流((T_{C}=150°C),10s) | (I_{F}) | 994 | A |
| 非重复正向浪涌电流(半正弦脉冲,(t_{p}=8.3ms)) | (I_{F,SM}) | 161 | A |
| 重复正向浪涌电流(半正弦脉冲,(t_{p}=8.3ms)) | (I_{F,RM}) | 57 | A |
| 功率耗散((T_{C}=25°C)) | (P_{tot}) | 333 | W |
| 功率耗散((T_{C}=150°C)) | (P_{tot}) | 56 | W |
| 工作和储存温度范围 | (T{J},T{STG}) | - 55 to +175 | °C |
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳的热阻(最大) | (R_{JC}) | 0.45 | °C/W |
| 结到环境的热阻(最大) | (R_{JA}) | 40 | °C/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 正向电压 | (V_{F}) | (I{F}=30A),(T{J}=25°C) | 1.41 | 1.75 | - | V |
| (I{F}=30A),(T{J}=125°C) | - | 1.71 | - | V | ||
| (I{F}=30A),(T{J}=175°C) | - | 1.97 | - | V | ||
| 反向电流 | (I_{R}) | (V{R}=1200V),(T{J}=25°C) | 5 | - | 200 | (mu A) |
| (V{R}=1200V),(T{J}=125°C) | 14 | - | 200 | (mu A) | ||
| (V{R}=1200V),(T{J}=175°C) | 31 | - | 200 | (mu A) | ||
| 总电容电荷 | (Q_{C}) | (V = 800V) | - | - | 132 | nC |
| 总电容 | (C) | (V_{R}=1V),(f = 100kHz) | - | - | 1961 | pF |
| (V_{R}=400V),(f = 100kHz) | - | - | 115 | pF | ||
| (V_{R}=800V),(f = 100kHz) | - | - | 88 | pF |
该产品采用TO - 247 - 2LD封装,顶部标记为DSH30120C,每管装30个。具体的订购和运输信息可在数据手册的第2页查看。
安森美NDSH30120C - F155碳化硅肖特基二极管凭借其卓越的性能、广泛的应用领域和环保特性,为电子工程师在设计高效、可靠的功率电路时提供了一个优秀的选择。在实际应用中,工程师们需要根据具体的设计要求,合理选择和使用该产品,以充分发挥其优势。大家在使用这款二极管的过程中,有没有遇到过什么特别的问题或者有独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享交流。
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