电子说
在电力电子领域,碳化硅(SiC)器件正凭借其卓越的性能逐渐成为主流选择。今天,我们就来深入探讨安森美(onsemi)推出的一款碳化硅肖特基二极管——NDSH10170A。
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碳化硅肖特基二极管采用了全新的技术,与传统的硅二极管相比,具有显著的优势。它没有反向恢复电流,开关特性不受温度影响,并且具备出色的热性能,这些特点使得碳化硅成为下一代功率半导体的理想选择。使用碳化硅肖特基二极管的系统能够实现更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度,同时降低电磁干扰(EMI),并减小系统的尺寸和成本。
该器件无卤、无溴化阻燃剂(BFR Free),并且符合RoHS标准,满足环保要求。
| 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VRRM | 重复峰值反向电压 | 1700 | V |
| EAS | 单脉冲雪崩能量(注1) | 156 | mJ |
| IF | 连续整流正向电流($T_{C}<157^{circ}C$) | 10 | A |
| 连续整流正向电流($T_{C}<135^{circ}C$) | 16 | A | |
| IF, Max | 非重复峰值正向浪涌电流($T_{C}=25^{circ}C$,10μs) | 868 | A |
| 非重复峰值正向浪涌电流($T_{C}=150^{circ}C$,10μs) | 798 | A | |
| F,SM | 非重复正向浪涌电流(半正弦脉冲,$t_{p}=8.3 ms$) | 105 | A |
| F.RM | 重复正向浪涌电流(半正弦脉冲,$t_{p}=8.3 ms$) | 25 | A |
| Plot | 功率耗散($T_{C}=25^{circ}C$) | 185 | W |
| 功率耗散($T_{C}=150^{circ}C$) | 31 | W | |
| TJ, TSTG | 工作和储存温度范围 | -55 至 +175 | °C |
注:$E{AS}$的156mJ是基于起始$T{J}=25^{circ}C$,$L = 0.5 mH$,$I_{AS}=25 A$,$V = 50 V$。
| 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Ruc | 结到外壳的热阻(最大) | 0.81 | °C/W |
| RBA | 结到环境的热阻(最大) | 40 | °C/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VF | 正向电压($I{F}=10 A$,$T{J}=25^{circ}C$) | 1.50 | 1.75 | V | ||
| 正向电压($I{F}=10 A$,$T{J}=125^{circ}C$) | 1.87 | V | ||||
| 正向电压($I{F}=10 A$,$T{J}=175^{circ}C$) | 2.19 | V | ||||
| R | 反向电流($V{R}=1700V$,$T{J}=25^{circ}C$) | 0.09 | 40 | μA | ||
| 反向电流($V{R}=1700 V$,$T{J}=125^{circ}C$) | 0.42 | 60 | μA | |||
| 反向电流($VR = 1700 V$,$TJ = 175°C$) | 2.46 | 100 | μA | |||
| Qc | 总电容电荷($V = 800 V$) | 74 | nC | |||
| C | 总电容($V_{R}=1 V$,$f = 100 kHz$) | 856 | pF | |||
| 总电容($V_{R}=400 V$,$f = 100 kHz$) | 69 | pF | ||||
| 总电容($VR = 800 V$,$f = 100 kHz$) | 48 | pF |
需要注意的是,产品的参数性能是在所列测试条件下给出的,如果在不同条件下运行,产品性能可能会有所不同。
NDSH10170A适用于多种应用场景,包括开关电源(SMPS)、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及功率开关电路等。
该二极管采用TO - 247 - 2LD封装,无铅、无卤。每管装30个,型号为NDSH10170A,顶部标记为NDSH10170A。
在实际设计中,工程师们需要根据具体的应用需求,综合考虑该二极管的各项特性,确保其能够在系统中发挥最佳性能。同时,也要注意遵循安森美提供的使用说明和注意事项,以保证系统的可靠性和稳定性。大家在使用这款二极管的过程中,有没有遇到过什么有趣的问题或者独特的应用案例呢?欢迎在评论区分享。
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