onsemi碳化硅肖特基二极管NDSH10120C-F155的特性与应用

在电子工程领域，功率半导体器件的性能对整个系统的效率、可靠性和成本有着至关重要的影响。今天，我们来深入了解一下onsemi推出的碳化硅（SiC）肖特基二极管NDSH10120C - F155，看看它在设计中能为我们带来哪些优势。

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碳化硅肖特基二极管的技术优势

传统的硅基二极管在某些应用场景中已经逐渐显现出性能瓶颈，而碳化硅肖特基二极管则采用了全新的技术，相比硅基二极管具有诸多优势。它没有反向恢复电流，开关特性不受温度影响，并且具备出色的热性能，这些特点使得碳化硅成为下一代功率半导体的理想选择。从系统层面来看，使用碳化硅肖特基二极管可以实现更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰（EMI），同时还能减小系统尺寸和降低成本。

NDSH10120C - F155的特性亮点

温度与电流特性

• 高结温承受能力：该二极管的最大结温可达175°C，这使得它能够在高温环境下稳定工作，适应各种恶劣的应用场景。
• 高浪涌电流容量：具备高浪涌电流能力，能够承受瞬间的大电流冲击，保证了在复杂电路中的可靠性。例如，在一些需要快速充电或瞬间大电流输出的场合，它可以很好地应对。
• 正温度系数：正温度系数的特性使得该二极管在并联使用时更加容易，能够自动平衡电流，避免因温度差异导致的电流不均衡问题。

开关特性

• 无反向恢复和正向恢复：这一特性大大减少了开关损耗，提高了系统的效率。在高频开关电路中，无反向恢复电流可以降低开关过程中的能量损耗，减少发热，延长器件的使用寿命。

环保特性

该器件是无卤/无溴化阻燃剂（BFR）的，并且符合RoHS标准，这符合现代电子设备对环保的要求，也为产品的出口和使用提供了便利。

电气与热性能参数

绝对最大额定值

在环境温度 (T{J}=25^{circ}C) 时，该二极管的雪崩能量 (E{AS}) 为49 mJ（基于起始结温 (T{J}=25^{circ}C)， (L = 0.5 mH)， (I{AS}=14 A)， (V = 50 V)）。连续整流正向电流在 (T{C}<145^{circ}C) 时为12 A，在不同温度和脉冲条件下，其最大正向电流也有相应的规定，如 (T{C}=25^{circ}C)，10 μs 时为546 A， (T{C}=150^{circ}C)，10 μs 时也有对应的值。此外，还规定了重复正向浪涌电流等参数。功率耗散在 (T{C}=25^{circ}C) 时为94 W， (T_{C}=150^{circ}C) 时为16 W。工作和存储温度范围为 -55 至 +175°C。需要注意的是，超过这些最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

热阻方面，结到外壳的最大热阻为1.6 °C/W，这表明该二极管在散热方面具有较好的性能，能够有效地将热量散发出去，保证器件的稳定工作。

电气特性

在 (T{J}=25^{circ}C) 时，正向电压典型值为1.39 V，当 (I{F}=10 A)， (T{J}=125^{circ}C) 和 (T{J}=175^{circ}C) 时，正向电压会有所变化。反向电流在不同的反向电压和温度条件下也有相应的规定，例如 (V{R}=1200V)， (T{J}=125^{circ}C) 时，反向电流典型值为3 μA，最大值为200 μA。此外，还给出了电容电荷 (Q_{c}) 和电容 (C) 在不同条件下的参数。

应用领域

NDSH10120C - F155具有广泛的应用领域，适用于通用目的，如开关电源（SMPS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等。在功率开关电路中，它的高性能可以提高整个电路的效率和可靠性。

封装与订购信息

该二极管采用TO - 247 - 2LD封装，这是一种常见且成熟的封装形式，便于安装和散热。订购信息方面，型号为NDSH10120C - F155，顶部标记为DSH10120C，每管装30个器件。

在实际的电子设计中，我们需要根据具体的应用需求来选择合适的器件。NDSH10120C - F155凭借其出色的性能和环保特性，无疑为工程师们提供了一个优秀的选择。大家在设计过程中，是否遇到过因二极管性能不足而导致的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。