GlobalFoundries推出强化型55纳米CMOS逻辑制程

可编程逻辑

1364人已加入

描述

关键词: ARM , CMOS , GLOBALFOUNDRIES

                                    

2013-2-21 22:06:35 上传

下载附件 (73.33 KB)


                                    
GLOBALFOUNDRIES推出强化型55纳米CMOS逻辑制程

采用ARM下一代存储器和逻辑IP,适合低电压应用
“55nm LPe 1V”平台专为实现超低功耗,更低成本及更优设计灵活性而优化

GLOBALFOUNDRIES今日宣布将公司的 55 奈米 (nm) 低功耗强化型 (LPe)制程技术平台进行了最新技术强化, 推出具备ARM公司合格的下一代存储器和逻辑IP解决方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是业内首个且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP库的强化型制程节点,使芯片设计人员能够在单一系统级芯片(SoC)中使用单一制程同时支持两个工作电压。

GLOBALFOUNDRIES产品营销副总裁Bruce Kleinman表示:“‘55nm LPe 1V’的核心优势在于,一个设计库可同时适用于1.0伏电压及1.2伏电压的设计环境。这意味着设计人员可以在该平台上始终采用同一套设计规则和模型,无需增加额外光罩层数或特殊制程,在保证功耗效率和性能优化的同时节省了成本且提高了设计灵活性。”

基于ARM的1.0V/1.2V标准单元和存储器编译器,GLOBALFOUNDRIES “55nm LPe 1V”能够帮助设计人员在速度、功耗和面积设计方面获得优化,特别有利于在设计SoC解决方案时面临功耗限制的设计人员。

ARM为GLOBALFOUNDRIES先进的55纳米LPe制程提供了全面的8轨、9轨和12轨库的硅晶验证平台,以及高速、高密度存储器编译器。

ARM公司物理IP部门营销副总裁John Heinlein博士表示:“1伏和1.2伏操作环境的结合,以及对逻辑电平转换的支持,可以提供低功耗、高性能和更小芯片面积的完美结合。与之前的解决方案相比,双电压特性及Artisan下一代存储器编译器架构减少了至少35%的动态功耗和静态功耗。”

“55nm LPe 1V”尤其适用于大容量、电池供电的移动消费设备以及各种绿色节能产品。制程设计(PDK)和电子设计自动化(EDA)工具包现已面市,并提供多项目晶圆(MPW)服务。

Artisan存储器提供了灵活的生产选择,被广泛应用于全世界数十亿产品。这些下一代存储器是更广泛的65纳米至20纳米Artisan物理IP平台的组成部分,其特性包括:可延长电池寿命的低电压和待机模式,可实现最快处理器速度的超高速缓存,以及可减少低成本SoC设计面积的专有设计工艺。
公司信息:
GLOBALFOUNDRIES  

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 相关推荐

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分