电子说
在电子工程师的日常设计工作中,功率半导体器件的选择至关重要,它直接影响着系统的性能、效率和可靠性。今天,我们就来深入了解一款安森美(onsemi)推出的高性能碳化硅(SiC)肖特基二极管——FFSP3065B - F085。
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与传统的硅基二极管相比,碳化硅肖特基二极管采用了全新的技术,具有诸多显著优势。它没有反向恢复电流,开关特性不受温度影响,并且具备出色的热性能,这些特点使得碳化硅成为下一代功率半导体的理想选择。从系统层面来看,使用碳化硅肖特基二极管能够带来更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰(EMI),同时还能减小系统尺寸和降低成本。
FFSP3065B - F085特别适用于汽车混合动力电动汽车(HEV - EV)的车载充电器和DC - DC转换器。在这些应用中,其高性能的特点能够充分发挥作用,提高充电效率,减小设备体积,为汽车电子系统的发展提供有力支持。
| 符号 | 参数 | 条件 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VRRM | 峰值重复反向电压 | 650 | V | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 144 | mJ | |
| IF(连续整流正向电流) | (T_{C}<135^{circ} C) | 30 | A | |
| IF, Max(非重复浪涌电流) | (T_{C}=25^{circ}C, 10mu s) | 1100 | A | |
| (T_{C}=150^{circ}C,10mu s) | 1000 | A | ||
| IF, SM(非重复正向浪涌电流) | 半正弦脉冲 | 110 | A | |
| PD(功率耗散) | (T_{C}=25^{circ}C) | 197 | W | |
| (T_{C}=150^{circ}C) | 33 | W | ||
| TJ, TSTG | 工作和存储温度范围 | - 55 to +175 | °C |
热阻 (R_{θJC}) (结到壳)最大为0.76 °C/W,良好的热特性有助于热量的散发,保证器件在工作过程中的稳定性。
| 在不同的温度和电流条件下,该二极管的正向电压和反向电流表现如下: | 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VF | 正向电压 | (I{F}=30 ~A, ~T{C}=25^{circ} C) | 1.38 | 1.7 | V | ||
| (I{F}=30 ~A, ~T{C}=125^{circ} C) | 1.6 | 2.0 | V | ||||
| (I{F}=30 ~A, ~T{C}=175^{circ} C) | 1.72 | 2.4 | V | ||||
| IR | 反向电流 | (V{R}=650V,T{C}=25^{circ}C) | 0.5 | 40 | μA | ||
| (V{R}=650 ~V, ~T{C}=125^{circ} C) | 1.0 | 80 | μA | ||||
| (V{R}=650 ~V, ~T{C}=175^{circ} C) | 160 | μA | |||||
| Qc | 总电容电荷 | (V = 400 V) | 74 | nC | |||
| C | 总电容 | (V_{R}=1 ~V, f = 100 kHz) | 1280 | pF | |||
| (V_{R}=200 ~V, f = 100 kHz) | 139 | pF | |||||
| (V_{R}=400 ~V, f = 100 kHz) | 108 | pF |
该二极管采用TO - 220 - 2LD封装,标记信息包括组装厂代码、日期代码、批次追溯代码和特定器件代码。订购信息可在数据手册第2页的封装尺寸部分查看,包装方式为管装,每管50个。
安森美FFSP3065B - F085碳化硅肖特基二极管凭借其卓越的性能和可靠的质量,在功率半导体领域具有很大的优势。对于电子工程师来说,在设计汽车电子、电源等相关系统时,它无疑是一个值得考虑的选择。大家在实际应用中,有没有遇到过类似高性能二极管的使用经验呢?欢迎在评论区分享交流。
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