# onsemi碳化硅肖特基二极管FFSH40120ADN - F085技术剖析

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描述

onsemi碳化硅肖特基二极管FFSH40120ADN - F085技术剖析

在电子工程领域,功率半导体器件的性能对系统的效率、可靠性和成本有着至关重要的影响。今天,我们来深入了解一下安森美(onsemi)的碳化硅(SiC)肖特基二极管FFSH40120ADN - F085,看看它有哪些独特之处。

文件下载:FFSH40120ADN-F085-D.PDF

产品概述

FFSH40120ADN - F085是一款额定电流40A、耐压1200V的碳化硅肖特基二极管,采用TO - 247 - 3L封装。与传统的硅基二极管相比,碳化硅肖特基二极管采用了全新的技术,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。

技术优势

开关特性优越

碳化硅肖特基二极管没有反向恢复电流,其开关特性不受温度影响。这意味着在开关过程中,不会产生因反向恢复电流引起的能量损耗和电磁干扰(EMI),从而提高了系统的效率和稳定性。例如,在高频开关应用中,这种特性可以显著降低开关损耗,提高系统的整体性能。

热性能出色

该二极管具有良好的热性能,其最大结温可达175°C,并且具有正温度系数,这使得它在并联使用时更加容易,能够有效避免因温度不均匀导致的电流不均衡问题。同时,其雪崩额定能量为210mJ,具有较高的浪涌电流承受能力,能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。

符合行业标准

FFSH40120ADN - F085通过了AEC - Q101认证,并且具备生产件批准程序(PPAP)能力,符合汽车级应用的要求。此外,该器件无铅、无卤、符合RoHS标准,满足环保要求。

应用领域

汽车领域

在汽车混合动力电动汽车(HEV - EV)的车载充电器和DC - DC转换器中,FFSH40120ADN - F085能够发挥其高效、高频的优势,提高充电效率,减小系统体积和成本。例如,在车载充电器中,它可以实现更快的充电速度,同时降低充电器的发热,提高系统的可靠性。

关键参数

绝对最大额定值

在环境温度为25°C时,其峰值重复反向电压、单脉冲雪崩能量等参数都有明确的规定。连续整流正向电流在壳温低于148°C时,每支路为20A,每器件为40A(半正弦脉冲,脉冲宽度$t_p = 8.3 ms$)。需要注意的是,超过最大额定值可能会损坏器件,影响其可靠性。

热特性

该二极管的结到壳的热阻最大为0.34°C/W,良好的热阻特性有助于热量的散发,保证器件在高温环境下的正常工作。

电气特性

在25°C的测试条件下,其电容、反向电流等参数都有相应的规定。但需要注意的是,产品的实际性能可能会因工作条件的不同而有所差异。

封装与标识

FFSH40120ADN - F085采用TO - 247 - 3LD封装,其标识包含了组装位置、年份、工作周和批次追溯等信息。同时,该封装的尺寸也有详细的规定,在设计PCB时需要充分考虑这些尺寸参数,以确保器件的正确安装和使用。

总结

FFSH40120ADN - F085碳化硅肖特基二极管凭借其优越的开关性能、出色的热性能和符合行业标准的特点,在汽车等领域具有广阔的应用前景。作为电子工程师,在设计相关电路时,需要充分考虑其各项参数和特性,以实现系统的高效、可靠运行。大家在实际应用中,是否遇到过类似器件的选型和使用问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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