低功耗国产高性能SPI/QPI/OPI PSRAM存储芯片

1、低功耗国产PSRAM存储芯片简介
PSRAM（伪静态随机存取存储器）作为一种特殊的DRAM变体，其接口逻辑却向SRAM看齐：只需提供地址、读写命令即可完成存取操作，无需像SDRAM那般配备复杂的控制器、刷新机制，也无需将地址拆分为行地址与列地址。早期PSRAM常见于2G基带的数据缓存场景，往往以SiP封装形式集成于芯片内部。随着物联网设备对小型化和低功耗要求的持续提升，PSRAM的这一先天优势逐渐凸显，并由此衍生出SPI/QPI/OPI（单线/四线/八线串行接口）等串行PSRAM品类。

2、低功耗国产PSRAM存储芯片三种主流串行PSRAM接口
①SPI PSRAM：采用8-pin SOP封装，最高工作频率可达104MHz。它保留经典的片选(CS)、时钟(CLK)、串行输入(SI)和串行输出(SO)四个信号引脚，兼容标准SPI总线，适合主控资源有限的低成本系统。

②QPI PSRAM：同样为8-pin SOP封装，频率也支持到104MHz。与SPI版本的区别在于，它将原来的SI/SO扩展为3个额外的双向数据管脚（共4个I/O）。由此理论峰值带宽可提升至416Mbps，在无需增加封装尺寸的前提下实现数据吞吐量的跃升。

③OPI PSRAM：采用24脚封装，拥有8条串行数据线，最高时钟频率提升至133MHz。更关键的是它支持DDR双沿传输模式，因此峰值带宽可达133MHz×8bit×2=2.128Gbps，适用于高分辨率图像缓存或大数据流实时处理场景。

3、低功耗国产PSRAM存储芯片典型型号
由英尚代理的EMI品牌推出的EMI132LA16LM-70I型SPI/QPI PSRAM存储芯片，采用SPI/QPI双模接口设计，在传输速率、引脚数量、功耗控制之间取得了优异的平衡。PSRAM芯片内置自管理刷新逻辑，系统主控无需额外提供DRAM刷新命令，可显著降低软件开发复杂度。PSRAM存储芯片主要规格如下：
①存储容量与组织：32Mb（2M×16位），支持字节寻址
②供电电压：单电源2.7~3.3V
③封装：48BGA
④运行速率：60~70ns访问时间
⑤接口灵活度：可切换标准SPI模式或高速QPI模式
⑥功耗特性：超低功耗设计，适合电池供电的设备

4、低功耗国产PSRAM存储芯片应用场景
①便携式智能设备：如智能手表、AR/VR眼镜。这类产品对贴片面积和运行功耗非常敏感，EMI132LA16LM-70I的小封装与低功耗特性正好满足设计要求。
②物联网终端节点：在传感器数据缓存任务中，PSRAM的自刷新机制可以在主机休眠时自主维持数据，降低系统整体唤醒频率。
③工业控制系统：用于高速数据采集的缓冲存储器，PSRAM芯片QPI模式下133MHz的突发传输能力能匹配现场总线的高速数据流。

对于正在评估低引脚数、高带宽存储方案的嵌入式工程师而言，SPI/QPI PSRAM提供了一个兼具性价比与性能的中间路线。EMI代理商英尚微支持技术指导及产品解决方案。

审核编辑 黄宇