电子说
在电子工程领域,功率半导体器件的性能对整个系统的效率、可靠性和成本有着至关重要的影响。今天,我们将深入探讨 onsemi 的 FFSH2065B - F155 碳化硅(SiC)肖特基二极管,它代表了下一代功率半导体的发展方向。
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与传统的硅基二极管相比,碳化硅肖特基二极管采用了全新的技术,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。它没有反向恢复电流,开关特性不受温度影响,并且具备出色的热性能,这些特点使得碳化硅成为下一代功率半导体的理想选择。使用碳化硅肖特基二极管的系统能够实现更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰(EMI),同时还能减小系统尺寸和降低成本。
该器件是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)的,并且符合 RoHS 标准,满足环保要求。
FFSH2065B - F155 碳化硅肖特基二极管具有广泛的应用领域,包括:
| 在使用该二极管时,需要注意其绝对最大额定值。以下是一些关键参数: | 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VRRM | 反向重复峰值电压 | 650 | V | |
| IF | 正向电流($T_{C}<141^{circ}C$) | 20 | A | |
| IF, Max | 正向浪涌电流 | 889 | A | |
| 非重复正向浪涌电流 | 84 | A | ||
| 功率耗散 | 25 | W |
需要注意的是,超过最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。
热阻是衡量二极管散热性能的重要指标。该二极管的结到壳的最大热阻为 1.01°C/W,这意味着它能够有效地将热量散发出去,保证器件的稳定工作。
| 在不同的测试条件下,二极管的电气特性会有所不同。以下是一些关键的电气参数: | 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VF | 正向电压 | $I{F}=20 A, T{C}=25^{circ}C$ | 1.38 | 1.7 | V | ||
| $I{F}=20 A, T{C}=125^{circ}C$ | 1.6 | 2.0 | V | ||||
| $I{F}=20 A, T{C}=175^{circ}C$ | 1.72 | V | |||||
| IR | 反向电流 | $V{R}=650 V, T{C}=25^{circ}C$ | 0.5 | 40 | μA | ||
| $V{R}=650 V, T{C}=175^{circ}C$ | 2 | μA | |||||
| Qc | 总电容电荷 | 51 | nC | ||||
| C | 总电容 | $V_{R}=1 V, f = 100 kHz$ | 866 | pF | |||
| $V_{R}=300 V, f = 100 kHz$ | 80 | pF |
产品的参数性能在列出的测试条件下通过电气特性来表示,但在不同的工作条件下,实际性能可能会有所不同。
该二极管采用 TO - 247 - 2LD 封装,这种封装具有良好的散热性能和机械稳定性。
具体的订购和运输信息可以在数据手册的第 2 页找到。
文档中提供了一系列典型特性曲线,包括正向特性、反向特性、电流降额、功率降额、电容电荷与反向电压关系、电容与反向电压关系、电容存储能量以及结到壳的瞬态热响应曲线等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解二极管的性能,进行合理的设计。
文档还给出了未钳位电感开关测试电路及波形,这对于验证二极管在实际应用中的性能非常有帮助。
FFSH2065B - F155 碳化硅肖特基二极管凭借其卓越的性能和广泛的应用领域,为电子工程师提供了一个优秀的选择。在设计过程中,工程师需要充分考虑其绝对最大额定值、热特性和电气特性,以确保系统的可靠性和性能。同时,我们也应该关注碳化硅技术的发展趋势,不断探索其在更多领域的应用可能性。你在使用碳化硅肖特基二极管时遇到过哪些问题?你认为碳化硅技术未来还会在哪些领域得到更广泛的应用?欢迎在评论区分享你的看法。
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