电子说
在电力电子领域,半导体器件的性能直接影响着整个系统的效率和可靠性。今天我们要深入探讨的是 onsemi 公司的 FFSH20120ADN - F155 碳化硅(SiC)肖特基二极管,它凭借先进的技术和卓越的性能,成为众多应用场景中的理想选择。
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FFSH20120ADN - F155 是一款 20A、1200V 的碳化硅肖特基二极管,采用 TO - 247 - 3L 封装。与传统的硅二极管相比,碳化硅肖特基二极管采用了全新的技术,具有更优越的开关性能和更高的可靠性。它没有反向恢复电流,开关特性不受温度影响,并且具备出色的热性能,这些特点使碳化硅成为下一代功率半导体的代表。该产品在系统应用中能带来诸多好处,如实现最高效率、支持更快的工作频率、提高功率密度、降低电磁干扰(EMI)以及减小系统尺寸和成本。
该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并且符合 RoHS 标准,体现了环保理念,满足了现代电子设备对绿色环保的要求。
| 参数 | 条件 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 峰值重复反向电压(VRRM) | - | 1200 | V |
| 单脉冲雪崩能量(EAS) | 起始 (T{J}=25^{circ} C),(L = 0.5 mH),(I{AS}=20 A),(V = 150 V) | 100 | mJ |
| 连续整流正向电流(IF) | (T_{C}<155^{circ} C) | 10(每腿)/ 20(每器件) | A |
| 非重复峰值正向浪涌电流(IF,Max) | (T_{C}=25^{circ}C),10μs | 630 | A |
| (T_{C}=150^{circ}C),10μs | 560 | A | |
| 非重复正向浪涌电流(IF,SM) | 半正弦脉冲,(t_{p}=8.3 ms) | 96 | A |
| 重复正向浪涌电流(IF,RM) | 半正弦脉冲,(t_{p}=8.3 ms) | 46 | A |
| 功率耗散(PTOT) | (T_{C}=25^{circ}C) | 150 | W |
| (T_{C}=150^{circ} C) | 25 | W | |
| 工作和存储温度范围(TJ, TSTG) | - | -55 至 +175 | °C |
| TO - 247 安装扭矩(M3 螺丝) | - | 60 | Ncm |
需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能,可能会导致损坏并影响可靠性。
热阻(Ruc),即结到外壳的热阻,最大值为 1(每腿)/ 0.44(每器件)°C/W。良好的热特性有助于二极管在工作过程中及时散热,保证其性能的稳定性。
在不同的电流和温度条件下,正向电压有所不同。例如,当 (I{F}=10 A),(T{C}=25^{circ} C) 时,典型值为 1.45V,最大值为 1.75V;当 (T{C}=125^{circ} C) 时,典型值为 1.7V,最大值为 2.0V;当 (T{C}=175^{circ} C) 时,典型值为 2.0V,最大值为 2.4V。这表明随着温度的升高,正向电压会相应增加。
当 (V{R}=1200 V) 时,不同温度下的反向电流也不同。在 (T{C}=25^{circ} C) 时,最大值为 200μA;在 (T{C}=125^{circ} C) 时,最大值为 300μA;在 (T{C}=175^{circ} C) 时,最大值为 400μA。反向电流随着温度的升高而增大。
总电容电荷在 (V = 800 V) 时,典型值为 62nC。总电容在不同的反向电压和频率下有不同的值,例如在 (V{R}=1 V),(f = 100 kHz) 时,典型值为 612;在 (V{R}=400 V),(f = 100 kHz) 时,典型值为 58;在 (V_{R}=800 V),(f = 100 kHz) 时,典型值为 47。
| 产品编号 | 顶部标记 | 封装 | 包装方式 | 数量 |
|---|---|---|---|---|
| FFSH20120ADN - F155 | FFSH20120ADN | TO - 247 - 3LD | 管装 | 30 个 |
onsemi 的 FFSH20120ADN - F155 碳化硅肖特基二极管以其卓越的性能和环保特性,在电力电子领域具有广阔的应用前景。其先进的技术和出色的参数使其成为提高系统效率、可靠性和功率密度的理想选择。电子工程师在设计电路时,可以根据具体的应用需求,合理选择该二极管,以实现更好的电路性能。你在实际应用中是否使用过类似的碳化硅肖特基二极管呢?遇到过哪些问题又有哪些解决经验呢?欢迎在评论区分享交流。
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