电子说
在电力电子领域,碳化硅(SiC)技术正逐渐成为焦点,其卓越的性能为工程师们带来了更多的设计可能性。今天,我们来详细探讨安森美(onsemi)的FFSH1065B - F085碳化硅肖特基二极管,看看它能为我们的设计带来哪些优势。
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FFSH1065B - F085是一款10A、650V的碳化硅肖特基二极管,采用TO - 247 - 2L封装。与传统的硅二极管相比,碳化硅肖特基二极管采用了全新的技术,具有出色的开关性能和更高的可靠性。其无反向恢复电流、温度无关的开关特性以及优秀的热性能,使其成为下一代功率半导体的理想选择。使用该二极管的系统能够实现更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰(EMI),同时还能减小系统尺寸和成本。
该二极管为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)产品,并且符合RoHS标准,符合环保要求。
| 参数 | 值 | 单位 |
|---|---|---|
| 重复峰值反向电压(VRRM) | 650 | V |
| 单脉冲雪崩能量(EAS) | 51 | mJ |
| 连续整流正向电流($T_{C}<142^{circ}C$) | 10 | A |
| 连续整流正向电流($T_{C}<135^{circ}C$) | 11.5 | A |
| 非重复峰值正向浪涌电流($T_{C}=25^{circ}C, 10mu s$) | 600 | A |
| 非重复峰值正向浪涌电流($T_{C}=150^{circ}C, 10mu s$) | 535 | A |
| 非重复正向浪涌电流($T{C}=25^{circ}C$,半正弦脉冲,$t{p}=8.3ms$) | 42 | A |
| 功率耗散($T_{C}=25^{circ}C$) | 83 | W |
| 功率耗散($T_{C}=150^{circ}C$) | 14 | W |
| 工作和储存温度范围(TJ, TSTG) | -55 至 +175 | °C |
| TO247安装扭矩(M3螺丝) | 60 | Ncm |
热阻为1.81°C/W,良好的热特性有助于热量的散发,保证二极管在工作过程中的稳定性。
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 正向电压(VF) | $I{F}=10A, T{C}=25^{circ}C$ | - | 1.5 | 1.7 | V |
| 正向电压(VF) | $I{F}=10A, T{C}=125^{circ}C$ | - | 1.7 | 2.0 | V |
| 正向电压(VF) | $I{F}=10A, T{C}=175^{circ}C$ | - | 2 | 2.4 | V |
| 反向电流(IR) | $V{R}=650V, T{C}=25^{circ}C$ | - | 0.5 | 40 | μA |
| 反向电流(IR) | $V{R}=650V, T{C}=125^{circ}C$ | - | 1 | - | μA |
| 反向电流(IR) | $V{R}=650V, T{C}=175^{circ}C$ | - | 2 | 160 | μA |
| 总电容电荷(Qc) | V = 400V | - | 25 | - | nC |
| 总电容(C) | $V_{R}=1V, f = 100kHz$ | - | 421 | - | pF |
| 总电容(C) | $V_{R}=200V, f = 100kHz$ | - | 40 | - | pF |
| 总电容(C) | $V_{R}=400V, f = 100kHz$ | - | 34 | - | pF |
该二极管采用TO - 247 - 2LD封装,顶部标记为FFSH1065B,每管装30个。具体的订购和运输信息可参考数据手册的第2页。
安森美FFSH1065B - F085碳化硅肖特基二极管凭借其卓越的性能和丰富的特性,为电力电子设计带来了新的解决方案。无论是在汽车领域还是其他工业应用中,它都能够发挥出高效、可靠的优势。作为电子工程师,在进行相关设计时,不妨考虑这款二极管,相信它会给你的设计带来意想不到的效果。你在实际应用中是否使用过类似的碳化硅肖特基二极管呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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