电子说
作为电子工程师,我们在设计电路时,常常需要在众多的电子元件中做出选择。而碳化硅(SiC)肖特基二极管因其独特的性能,正逐渐成为电源设计中的热门选择。今天,我们就来深入了解一下 onsemi 的 FFSH10120A 碳化硅肖特基二极管。
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FFSH10120A 是 onsemi 推出的一款 10A、1200V 的碳化硅肖特基二极管,采用 TO - 247 - 2L 封装。与传统的硅二极管相比,碳化硅肖特基二极管采用了全新的技术,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。它没有反向恢复电流,开关特性不受温度影响,并且具有出色的热性能,这些特点使得碳化硅成为下一代功率半导体的代表。使用该二极管的系统能够实现最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰(EMI),同时还能减小系统尺寸和成本。
雪崩额定能量为 100mJ,这意味着它能够承受一定的雪崩冲击,提高了产品的可靠性。
这些器件无铅、无卤素、无溴化阻燃剂(BFR),并且符合 RoHS 标准,符合环保要求。
在各种通用电路中,FFSH10120A 都能发挥其优势,提供高效稳定的整流功能。
在开关电源中,其卓越的开关性能和低损耗特性能够提高电源的效率和稳定性。
太阳能逆变器需要高效的整流器件,FFSH10120A 的高结温和低损耗特性使其成为理想的选择。
在 UPS 中,它能够保证电源的可靠切换和稳定输出。
在功率开关电路中,其快速的开关速度和高浪涌电流能力能够满足电路的要求。
在不同的温度和电流条件下,正向电压会有所变化。例如,在 $I{F}=10A$、$T{C}=25^{circ}C$ 时,典型正向电压为 1.45V;当温度升高到 125°C 时,典型正向电压变为 1.7V;温度达到 175°C 时,典型正向电压为 2.0V。
反向电流随着温度的升高而增加。在 $V{R}=1200V$、$T{C}=25^{circ}C$ 时,最大反向电流为 200μA;当温度升高到 125°C 时,最大反向电流为 300μA;温度达到 175°C 时,最大反向电流为 400μA。
总电容电荷和总电容会随着反向电压的变化而变化。例如,在 $V = 800V$ 时,总电容电荷为 62nC;在 $V{R}=1V$、$f = 100kHz$ 时,总电容为 612pF;当 $V{R}=400V$、$f = 100kHz$ 时,总电容为 58pF;$V_{R}=800V$、$f = 100kHz$ 时,总电容为 47pF。
在使用 FFSH10120A 时,需要注意其绝对最大额定值。例如,峰值重复反向电压为 1200V,单脉冲雪崩能量为 100mJ,连续整流正向电流在不同的温度条件下有所不同,在 $T{C}<158^{circ}C$ 时为 10A,在 $T{C}<135^{circ}C$ 时为 17A。此外,还有非重复正向浪涌电流、重复正向浪涌电流、功率耗散等参数的限制。超过这些额定值可能会损坏器件,影响其可靠性。
热阻(结到壳)最大值为 0.78°C/W,这表明该二极管的散热性能较好,能够有效地将热量散发出去,保证器件的正常工作。
FFSH10120A 采用 TO - 247 - 2LD 封装,这种封装形式便于安装和散热。同时,它的引脚标记有特定的含义,如 A 表示组装厂代码,YWW 表示日期代码(年和周),ZZ 表示批次代码,FFSH10120A 表示特定器件代码。
onsemi 的 FFSH10120A 碳化硅肖特基二极管以其卓越的性能和广泛的应用领域,为电子工程师提供了一个优秀的选择。在实际设计中,我们需要根据具体的应用需求,合理选择器件,并注意其电气特性、绝对最大额定值和热特性等参数,以确保电路的稳定和可靠运行。你在使用碳化硅肖特基二极管时,遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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