电子说
在电子工程领域,功率半导体器件的性能直接影响着电子系统的效率、可靠性和成本。今天,我们来深入了解一下 onsemi 推出的 FFSB3065B - F085 碳化硅(SiC)肖特基二极管,看看它是如何在众多同类产品中脱颖而出的。
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碳化硅肖特基二极管采用了全新的技术,与传统的硅基二极管相比,具有更出色的开关性能和更高的可靠性。FFSB3065B - F085 这款二极管的额定电流为 30 A,耐压 650 V,采用 D2PAK - 2L 封装,适用于多种应用场景。
| 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VRRM | 重复峰值反向电压 | 650 | V |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 144 | mJ |
| IF | 连续整流正向电流(TC < 25°C) | 73 | A |
| IF | 连续整流正向电流(TC < 139°C) | 30 | A |
| IF, Max | 非重复峰值正向浪涌电流(TC = 25°C,10 s) | 1100 | A |
| IF, Max | 非重复峰值正向浪涌电流(TC = 150°C,10 s) | 1000 | A |
| IF,SM | 非重复正向浪涌电流(TC = 25°C,半正弦脉冲,tp = 8.3 ms) | 120 | A |
| Ptot | 功率耗散(TC = 25°C) | 246 | W |
| Ptot | 功率耗散(TC = 150°C) | 41 | W |
| TJ, TSTG | 工作和存储温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| RJC | 结到壳的热阻(最大) | 0.61 | °C/W |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VF | 正向电压 | IF = 30 A,TC = 25°C | 1.38 | 1.7 | V | |
| VF | 正向电压 | IF = 30 A,TC = 125°C | 1.6 | 2.0 | V | |
| VF | 正向电压 | IF = 30 A,TC = 175°C | 1.72 | 2.4 | V | |
| IR | 反向电流 | VR = 650 V,TC = 25°C | 0.5 | 40 | μA | |
| IR | 反向电流 | VR = 650 V,TC = 125°C | 1 | 80 | μA | |
| IR | 反向电流 | VR = 650 V,TC = 175°C | 2 | 120 | μA | |
| QC | 总电容电荷 | V = 400 V | 74 | nC | ||
| C | 总电容 | VR = 1 V,f = 100 kHz | 1280 | pF | ||
| C | 总电容 | VR = 200 V,f = 100 kHz | 139 | pF | ||
| C | 总电容 | VR = 400 V,f = 100 kHz | 108 | pF |
| 该二极管采用 D2PAK2(TO - 263 - 2L)封装,订购信息如下: | 部件编号 | 顶部标记 | 封装 | 包装数量 |
|---|---|---|---|---|
| FFSB3065B - F085 | FFSB3065B | D2PAK2(无铅/无卤素) | 800 / 卷带包装 |
FFSB3065B - F085 碳化硅肖特基二极管凭借其卓越的开关性能、出色的热性能和高可靠性,为电子工程师在设计高效、紧凑的功率系统时提供了一个优秀的选择。无论是在汽车电子还是其他工业应用中,它都能够发挥重要作用。作为电子工程师,在选择功率半导体器件时,不妨考虑一下这款 onsemi 的 FFSB3065B - F085 二极管,相信它会给你的设计带来意想不到的效果。你在实际应用中是否使用过类似的碳化硅肖特基二极管呢?遇到过哪些问题和挑战?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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