电子说
在电子工程领域,功率半导体器件的性能对于各类电子设备的效率和可靠性起着关键作用。今天,我们来深入了解一下安森美(onsemi)推出的碳化硅(SiC)MOSFET——NVBG045N065SC1,看看它有哪些独特的特性和应用场景。
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NVBG045N065SC1具有出色的导通电阻特性。在 (V{GS}=18V) 时,典型 (R{DS(on)} = 31mOmega);在 (V{GS}=15V) 时,典型 (R{DS(on)} = 45mOmega)。低导通电阻意味着在导通状态下,器件的功率损耗更低,能够有效提高系统的效率,减少发热,这对于高功率应用尤为重要。
该器件拥有超低的栅极电荷 (Q{G(tot)} = 105nC) 和低有效输出电容 (C{oss}=168pF)。低栅极电荷可以降低驱动电路的功耗,加快开关速度;低输出电容则有助于减少开关过程中的能量损耗,提高开关效率。
NVBG045N065SC1经过了100%雪崩测试,具备良好的抗雪崩能力,能够在恶劣的工作条件下保持稳定。同时,它通过了AEC - Q101认证,并且具备PPAP能力,适用于汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景。
该器件是无卤的,符合RoHS标准(豁免7a),并且在二级互连(2LI)上是无铅的,满足环保要求。
随着电动汽车的普及,车载充电器的需求日益增长。NVBG045N065SC1的高性能特性使其非常适合用于汽车车载充电器,能够提高充电效率,减少充电时间,同时保证系统的可靠性。
在电动汽车和混合动力汽车中,DC - DC转换器用于将电池电压转换为适合不同部件使用的电压。NVBG045N065SC1的低损耗和高开关速度特性可以提高DC - DC转换器的效率,延长电池续航里程。
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | (V_{DSS}) | 650 | V |
| 栅源电压 | (V_{GS}) | -8/+22 | V |
| 连续漏极电流(稳态,(T_{C}=25^{circ}C)) | (I_{D}) | 62 | A |
| 脉冲漏极电流 | (I_{DM}) | 184 | A |
| 单脉冲漏源雪崩能力 | (E_{AS}) | 72 | mJ |
需要注意的是,应力超过最大额定值可能会损坏器件,使用时应确保工作条件在额定范围内。
| 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到壳的热阻 | (R_{theta JC}) | 0.62 | (^{circ}C/W) |
| 结到环境的热阻 | (R_{theta JA}) | 40 | (^{circ}C/W) |
热特性对于功率器件的可靠性至关重要,合理的散热设计可以确保器件在正常温度范围内工作,延长使用寿命。
NVBG045N065SC1采用D2PAK - 7L封装,这种封装具有良好的散热性能和机械稳定性。订购时,每盘800个,采用带盘包装。对于带盘规格的详细信息,可参考安森美的带盘包装规格说明。
安森美(onsemi)的碳化硅MOSFET NVBG045N065SC1凭借其低导通电阻、超低栅极电荷、低输出电容、良好的雪崩能力和汽车级认证等特性,在汽车电子等领域具有广阔的应用前景。电子工程师在设计相关电路时,可以充分利用该器件的优势,提高系统的性能和可靠性。不过,在实际应用中,还需要根据具体的工作条件和要求,对器件的参数进行仔细评估和验证,以确保系统的稳定运行。大家在使用这款器件时,有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享交流。
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