探索 onsemi NTH4L060N065SC1 SiC MOSFET：高性能与可靠性的完美融合

在现代电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET凭借其卓越的性能，正逐渐成为众多应用的首选。今天，我们将深入探讨 onsemi 的 NTH4L060N065SC1 SiC MOSFET，一起了解它的特性、应用以及关键参数。

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产品概述

NTH4L060N065SC1 是 onsemi 推出的一款 650V、44mΩ 的 SiC MOSFET，采用 TO - 247 - 4L 封装。它具有超低的导通电阻和门极电荷，以及低电容特性，并且经过 100% 雪崩测试，工作结温可达 175°C，同时符合无卤和 RoHS 标准。

产品特性

低导通电阻

该 MOSFET 在不同的栅源电压下表现出出色的导通电阻特性。典型情况下，当 (V{GS}=18V) 时，(R{DS(on)} = 44mΩ)；当 (V{GS}=15V) 时，(R{DS(on)} = 60mΩ)。低导通电阻意味着在导通状态下，器件的功率损耗更低，从而提高了系统的效率。这对于追求高效能的电源设计来说至关重要，你是否在自己的设计中也优先考虑了低导通电阻的器件呢？

超低门极电荷和低电容

超低的门极电荷（(Q{G(tot)} = 74nC)）和低电容（(C{oss}=133pF)）特性，使得该器件在开关过程中能够快速响应，减少开关损耗，提高开关速度。这对于高频应用尤为重要，能够有效提升系统的整体性能。

高可靠性

经过 100% 雪崩测试，确保了器件在恶劣环境下的可靠性。同时，工作结温可达 175°C，能够适应高温环境，保证了在复杂工况下的稳定运行。此外，该器件是无卤的，并且符合 RoHS 标准，体现了环保理念。

典型应用

NTH4L060N065SC1 适用于多种应用场景，包括开关模式电源（SMPS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和能量存储系统等。在这些应用中，其高性能特性能够充分发挥作用，提高系统的效率和可靠性。

关键参数

最大额定值

参数	符号	数值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	650	V
栅源电压	(V_{GS})	- 8/+22	V
推荐栅源电压（(T_{C}<175°C)）	(V_{GSop})	- 5/+18	V
稳态连续漏极电流（(T_{C}=25°C)）	(I_{D})	47	A
稳态连续漏极电流（(T_{C}=100°C)）	(I_{D})	33	A
脉冲漏极电流（(T_{C}=25°C)）	(I_{DM})	152	A
工作结温和存储温度范围	(T{J}, T{stg})	- 55 至 +175	°C
源极电流（体二极管）	(I_{S})	35	A
单脉冲漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 10.1A, L = 1mH)）	(E_{AS})	51	mJ
焊接最大引线温度（距外壳 1/8″，5s）	(T_{L})	260	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，并且整个应用环境会影响热阻数值，这些数值并非恒定不变，仅在特定条件下有效。

电气特性

• 关断特性：漏源击穿电压 (V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(I{D}=1mA) 时为 650V，其温度系数为 - 0.15V/°C。零栅压漏极电流 (I{DSS}) 在 (T{J}=25°C) 时为 - 10μA，在 (T{J}=175°C) 时为 1mA。
• 导通特性：栅极阈值电压 (V{GS(TH)}) 在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=6.5mA) 时，范围为 1.8 - 4.3V。推荐栅极电压 (V{GOP}) 为 +18V。不同条件下的漏源导通电阻 (R{DS(on)}) 也有所不同，例如在 (V{GS}=15V)，(I{D}=20A)，(T{J}=25°C) 时为 60mΩ；在 (V{GS}=18V)，(I{D}=20A)，(T{J}=25°C) 时为 44mΩ。
• 电荷、电容和栅极电阻：输入电容 (C{iss}) 在 (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=325V) 时为 1473pF，输出电容 (C{oss}) 为 133pF，反向传输电容 (C{RSS}) 为 13pF。总栅极电荷 (Q{G(TOT)}) 在 (I{D}=20A) 时为 74nC，栅源电荷 (Q{GS}) 为 20nC，栅漏电荷 (Q{GD}) 为 23nC，栅极电阻 (R{G}) 为 3.9Ω。
• 开关特性：开通延迟时间为 11ns，上升时间为 14ns，关断延迟时间为 24ns，下降时间为 11ns。开通开关损耗 (E{ON}) 和总开关损耗 (E{tot}) 虽未给出具体数值，但关断开关损耗 (E_{OFF}) 为 18μJ。
• 漏源二极管特性：连续漏源二极管正向电流 (I{SD}) 在 (V{GS}=-5V)，(T{J}=25°C) 时最大为 35A，脉冲漏源二极管正向电流 (I{SDM}) 最大为 152A。正向二极管电压 (V{SD}) 在 (V{GS}=-5V)，(I{SD}=20A)，(T{J}=25°C) 时为 4.3V。

封装信息

该器件采用 TO - 247 - 4LD 封装（CASE 340CJ），没有行业标准适用于此封装。封装尺寸有明确的规定，例如高度 (A) 的范围为 4.80 - 5.20mm，引脚宽度 (b) 的范围为 1.07 - 1.33mm 等。

总结

onsemi 的 NTH4L060N065SC1 SiC MOSFET 以其出色的性能和高可靠性，为电力电子设计提供了一个优秀的选择。在设计过程中，我们需要根据具体的应用需求，合理选择器件参数，充分发挥其优势。你在实际设计中是否使用过类似的 SiC MOSFET 呢？欢迎分享你的经验和见解。