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在当今物联网飞速发展的时代,无线通信模块扮演着至关重要的角色。N720V5模块作为一款LTE工业级无线通信模块,以其卓越的性能和丰富的功能,成为开发各类物联网通讯设备的理想选择。本文将深入介绍N720V5模块的各项特性,为电子工程师们在产品设计和开发过程中提供有价值的参考。
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| N720V5模块支持多种版本和频段,适用于不同的应用场景。具体版本及支持频段如下表所示: | 模块 | 版本 | Category | 频段 |
|---|---|---|---|---|
| N720V5 | CN | Cat4 | LTE FDD : B1, B3, B5, B8;LTE TDD : B38, B39, B40, B41;GSM/GPRS/EDGE : 900/1800 MHz |
N720V5模块主要包含基带、晶振、电源管理、数字接口(USIM、PCIM、UART)、模拟接口(ADC、USB)以及射频部分等功能单元。这些功能单元协同工作,确保模块的稳定运行。
N720V5模块共100个管脚,焊盘采用LGA封装,支持电源、USB、USIM、PCM、ADC、UART、RF等功能接口。其管脚布局如图所示。
| 不同类型的IO接口具有不同的电气特性和功能,具体如下: | IO类型说明 | 含义 |
|---|---|---|
| B | 数字输入输出,COMS逻辑电平 | |
| DO | 数字输出,COMS逻辑电平 | |
| DI | 数字输入,COMS逻辑电平 | |
| PO | 电源输出 | |
| PI | 电源输入 | |
| AO | 模拟输出 | |
| AI | 模拟输入 |
各管脚的具体功能和电气特性在文档中有详细说明,例如电源接口的VBAT管脚,是模块主电源输入,电压范围为3.3V ~ 4.3V,外部电源最大需要提供2A电流。
| N720V5模块的电气特性参数如下表所示: | 模块状态 | 最小值(极限) | 典型值 | 最大值(极限) |
|---|---|---|---|---|
| VBAT | 3.3V | 3.8V | 4.3V | |
| I in | / | 2A | / |
需要注意的是,电压过低可能会导致模块无法正常开机;电压过高或开机瞬间电压过冲有可能会对模块本身造成永久性损坏。在使用LDO或DC - DC给模块供电时,需要保证其输出最小2A的电流。
模块的工作温度范围为 -40℃ ~ 85℃,存储温度范围为 -40℃ ~ 90℃。当环境温度在 -40℃ ~ -30℃和 +75℃ ~ +85℃时,模块的个别射频指标可能会恶化,但对模块的正常使用不会造成较大影响。
| 在电子产品设计中,ESD防护是非常重要的环节。N720V5模块主要管脚的静电防护能力如下表所示: | 测试点 | 接触放电 | 空气放电 |
|---|---|---|---|
| VBAT | ±8KV | ±15KV | |
| GND | ±8KV | ±15KV | |
| ANT | ±8KV | ±15KV | |
| 屏蔽盖 | ±8KV | ±15KV | |
| 其它 | ±2KV | ±4KV |
客户在设计相关产品时,需要根据产品的应用行业,添加相应的ESD防护,以保证产品质量。
| N720V5模块支持多种工作频段,具体如下表所示: | 工作频段 | Uplink | Downlink |
|---|---|---|---|
| EGSM900 | 880~915MHz | 925~960MHz | |
| DCS1800 | 1710~1785MHz | 1805~1880MHz | |
| FDD - LTE B1 | 1920~1980MHz | 2110~2170MHz | |
| FDD - LTE B3 | 1710~1785MHz | 1805~1880MHz | |
| FDD - LTE B5 | 824~849MHz | 869~894MHz | |
| FDD - LTE B8 | 880~915MHz | 925~960MHz | |
| TDD - LTE B38 | 2570~2620MHz | 2570~2620MHz | |
| TDD - LTE B39 | 1880~1920MHz | 1880~1920MHz | |
| TDD - LTE B40 | 2300~2400MHz | 2300~2400MHz | |
| TDD - LTE B41 | 2555~2655MHz | 2555~2655MHz |
| 模块的RF发射功率和接收灵敏度参数如下: | 频段 | 最大发射功率 | 最小发射功率 |
|---|---|---|---|
| EGSM900 | 33dBm + 2/-2dB | 5dBm + 2/-2dB | |
| DCS1800 | 30dBm + 2/-2dB | 0dBm + 2/-2dB | |
| FDD LTE B1 | 23dBm + 2/-2dB | <-40dBm | |
| FDD LTE B3 | 23dBm + 2/-2dB | <-40dBm | |
| FDD LTE B5 | 23dBm + 2/-2dB | <-40dBm | |
| FDD - LTE B8 | 23dBm + 2/-2dB | <-40dBm | |
| TDD LTE B38 | 23dBm + 2/-2dB | <-40dBm | |
| TDD LTE B39 | 23dBm + 2/-2dB | <-40dBm | |
| TDD LTE B40 | 23dBm + 2/-2dB | <-40dBm | |
| TDD LTE B41 | 23dBm + 2/-2dB | <-40dBm |
| GSM接收灵敏度: | 频段 | 灵敏度 |
|---|---|---|
| EGSM900 | ≤ -108dBm | |
| DCS1800 | ≤ -108dBm |
| Cat 4接收灵敏度: | 频段 | 灵敏度 | 双工模式 |
|---|---|---|---|
| LTE B1 | ≤ -96dBm | FDD - LTE | |
| LTE B3 | ≤ -95dBm | FDD - LTE | |
| LTE B5 | ≤ -95dBm | FDD - LTE | |
| LTE B8 | ≤ -95dBm | FDD - LTE | |
| LTE B38 | ≤ -96dBm | TDD - LTE | |
| LTE B39 | ≤ -96dBm | TDD - LTE | |
| LTE B40 | ≤ -96dBm | TDD - LTE | |
| LTE B41 | ≤ -95dBm | TDD - LTE |
需要注意的是,以上指标是在实验室环境下测试数据,LTE在5MHz带宽下测试结果,实际当中会由于网络环境的影响会有一定偏差。
N720V5模块的尺寸为(30.0±0.1)mm × (28.0±0.1)mm × (2.8±0.1)mm,其俯视和侧视尺寸如图所示。
模块的标贴模板包含模块型号、IMEI号、CMIIT ID等信息,不过实际效果以实物为准。
模块采用贴片方式进行过炉焊接,为防止产品受潮,采用了盘装防潮包装的方式,包括铝箔袋、干燥剂、湿度指示卡、吸塑托盘、抽真空等处理方式,以保证产品的干燥,延长其使用时间。同时,模块符合IPC/JEDEC J - STD - 020标准湿敏等级3级要求,拆包后如果长期暴露在空气中,模块会受潮,再次使用时建议进行烘烤,烘烤条件根据受潮情况而定,建议不低于90℃/12小时,且不能将模块放在吸塑托盘直接烘烤。
模块采用100PIN LGA封装、SMD焊接方式进行装配,其模块PCB封装底视图如图所示。
应用PCB封装有推荐的尺寸规格,具体如图所示。
客户在生产制作钢网时,建议制作0.12 ~ 0.15mm厚度的阶梯钢网,用户可根据实际贴片效果进行微调。
原则上不建议客户使用和模块工艺不同的有铅锡膏,因为有铅锡膏熔点比无铅低35℃,回流工艺参数中温度也比无铅低,时间上相应减少,容易导致模块中的LCC在二次回流处于半融状态导致虚焊。如果客户必须采用有铅制程,请保证回流温度在220℃超过45S,peak达到240℃。
用户PCB如果较薄或细长,在SMT过程中存在翘曲的潜在风险,推荐在SMT及回流焊过程中使用载具,防止因PCB翘曲引起的焊接不良。炉温曲线工艺参数要求如下:
在使用N720V5模块时,需要遵循以下安全原则:
N720V5模块以其丰富的功能、稳定的性能和良好的可靠性,为物联网通讯设备的开发提供了有力的支持。电子工程师们在设计和开发过程中,需要充分了解模块的各项特性,严格按照规格书的要求进行设计和调试,以确保产品的质量和性能。同时,在使用过程中要遵循安全原则,保障人身和设备的安全。你在实际应用中是否遇到过类似模块的使用问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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