电子说
在电子工程领域,频率倍增器是实现特定频率信号生成和处理的关键组件。今天,我们就来深入了解一款优秀的 SMT 有源频率倍增器——HMC561LP3/LP3E。
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HMC561LP3E 具有广泛的应用场景,适用于多个领域。在时钟生成应用方面,它能够满足 SONET OC - 192 和 SDH STM - 64 的需求;在通信领域,可用于点对点(Point - to - Point)和 VSAT 无线电设备中;同时,在测试仪器、军事和航天等领域也能发挥重要作用。大家在实际项目中,是否也遇到过需要特定频率信号的场景呢?
该频率倍增器具备高输出功率,典型值可达 +14 dBm。这意味着它能够为后续电路提供足够强的信号,减少信号传输过程中的衰减影响,保证系统的稳定性和可靠性。
仅需 0 到 +6 dBm 的低输入功率驱动,就能实现良好的工作效果。这不仅降低了对输入信号源的要求,还能有效降低系统的功耗,符合现代电子设备对节能的需求。
在 16 GHz 的输出频率下,Fo 隔离度达到 15 dBc,能有效减少不同频率信号之间的干扰,提高信号的纯度和质量。对于对信号质量要求较高的应用场景,这一特性显得尤为重要。
100 KHz SSB 相位噪声低至 -139 dBc/Hz,有助于维持良好的系统噪声性能,减少信号的相位抖动,提高系统的整体性能。
采用 RoHS 兼容的 3x3 mm SMT 封装,这种封装形式不仅符合环保要求,还消除了对引线键合的需求,方便使用表面贴装制造技术,提高生产效率和产品的可靠性。
| 在 (T_{A}= +25^{circ} C),(Vdd = +5 V),5 dBm 驱动电平的条件下,HMC561LP3/LP3E 的各项电气参数表现如下: | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 输入频率范围 | 4 - 10.5 | - | - | GHz | |
| 输出频率范围 | 8 - 21 | - | - | GHz | |
| 输出功率 | 11 | 14 | - | dBm | |
| Fo 隔离度(相对于输出电平) | - | 15 | - | dBc | |
| 3Fo 隔离度(相对于输出电平) | - | 15 | - | dBc | |
| 4Fo 隔离度(相对于输出电平) | - | 20 | - | dBc | |
| 输入回波损耗 | 16 | - | - | dB | |
| 输出回波损耗 | 8 | - | - | dB | |
| SSB 相位噪声(100 kHz 偏移) | - | -139 | - | dBc/Hz | |
| 电源电流(Idd)(Vdd = 5V,Vgg = -1.7V 典型值) | - | 98 | - | mA |
需要注意的是,可通过在 -2.0 到 -1.2V 之间调整 Vgg 来实现 Idd = 98 mA。
| 为了确保器件的安全可靠运行,我们需要了解其绝对最大额定值: | 参数 | 数值 |
|---|---|---|
| RF 输入(Vdd = +5V) | +10 dBm | |
| 电源电压(Vdd) | +5.5 Vdc | |
| 通道温度 | 150 °C | |
| 连续功率耗散(T = 85 °C)(85 °C 以上每升高 1 °C 降额 9.8 mW) | 635 mW | |
| 热阻(通道到接地焊盘) | 102 °C/W | |
| 存储温度 | -65 到 +150 °C | |
| 工作温度 | -40 到 +85 °C |
在实际设计中,我们必须严格遵守这些额定值,避免因超出范围而导致器件损坏。
| HMC561LP3 和 HMC561LP3E 在封装上有一些差异: | 部件编号 | 封装主体材料 | 引脚镀层 | MSL 等级 | 封装标记 |
|---|---|---|---|---|---|
| HMC561LP3 | 低应力注塑塑料 | Sn/Pb 焊料 | MSL1 | 561 XXXX | |
| HMC561LP3E | 符合 RoHS 标准的低应力注塑塑料 | 100% 哑光锡 | MSL1 | 561 XXXX |
| 引脚编号 | 功能 | 描述 | 接口示意图 |
|---|---|---|---|
| 1, 3, 10, 12 | GND | 封装底部也必须连接到 RF/DC 接地 | - |
| 2 | RFIN | 引脚交流耦合并匹配到 50 欧姆 | - |
| 4 - 9, 14, 16 | N/C | 这些引脚内部未连接,但产品规格指定这些引脚连接到 RF/DC 接地 | - |
| 11 | RFOUT | 引脚交流耦合并匹配到 50 欧姆 | - |
| 13 | Vdd | 电源电压 5V ± 0.5V,需要 100 pF、1,000 pF 和 2.2 μF 的外部旁路电容 | - |
| 15 | Vgg | 倍增器的栅极控制,调整以实现 98 mA 的 Idd,需遵循“MMIC 放大器偏置程序”应用笔记 | - |
| 应用电路中的部分元件值如下: | 元件 | 值 |
|---|---|---|
| C1, C2 | 100 pF | |
| C3, C4 | 1,000 pF | |
| C5, C6 | 2.2 μF |
| 评估 PCB 115556 的材料清单如下: | 项目 | 描述 |
|---|---|---|
| J1, J2 | PCB 安装 SRI K 连接器 | |
| J3 - J5 | DC 引脚 | |
| C1, C2 | 100 pF 电容,0402 封装 | |
| C3, C4 | 1,000 pF 电容,0603 封装 | |
| C5, C6 | 2.2 μF 钽电容 | |
| U1 | HMC561LP3E x2 有源倍增器 | |
| PCB | 115555 评估板 |
在实际应用中,最终应用所使用的电路板应采用适当的 RF 电路设计技术,信号线应具有 50 欧姆阻抗,封装接地引脚和暴露焊盘应直接连接到接地平面,同时要使用足够数量的过孔连接顶部和底部接地平面。
综上所述,HMC561LP3/LP3E 是一款性能出色、应用广泛的 SMT 有源频率倍增器。在实际设计中,我们需要根据具体的应用需求,合理选择和使用该器件,以实现最佳的系统性能。大家在使用类似频率倍增器时,有没有遇到过一些特殊的问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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