解析 onsemi NCV8440/NCV8440A 保护型功率 MOSFET

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描述

解析 onsemi NCV8440/NCV8440A 保护型功率 MOSFET

在电子设计领域,功率 MOSFET 是至关重要的元件,其性能直接影响到整个电路的稳定性和效率。今天我们来深入了解 onsemi 公司的 NCV8440 和 NCV8440A 这两款保护型功率 MOSFET。

文件下载:NCV8440-D.PDF

产品概述

NCV8440 和 NCV8440A 是 2.6A、52V 的 N 沟道逻辑电平钳位 MOSFET,具备 ESD 保护功能。它们专为汽车和工业市场设计,适用于电磁阀驱动、灯具驱动和小型电机驱动等应用。

产品特性与优势

特性

  1. 二极管钳位与 ESD 保护:在栅极和源极之间设有二极管钳位,人体模型 ESD 保护可达 5000V,能有效防止静电对器件的损害。
  2. 有源过压钳位:具备有源过压栅极到漏极钳位功能,增强了器件在过压情况下的稳定性。
  3. 可扩展性:能够扩展到更低或更高的导通电阻 (R_{DS(on)}),以满足不同的设计需求。
  4. 内部串联栅极电阻:内部集成串联栅极电阻,有助于优化开关性能。
  5. 无铅设计:符合环保要求,是无铅器件。

优势

  1. 高能量处理能力:对于感性负载具有高能量处理能力,能够承受较大的能量冲击。
  2. 低开关噪声:在开关过程中产生的噪声较小,有利于减少对周围电路的干扰。

应用领域

该产品主要应用于汽车和工业市场,具体包括:

  1. 电磁阀驱动:为电磁阀提供稳定的驱动电流,确保其正常工作。
  2. 灯具驱动:能够精确控制灯具的亮度和开关,提高照明系统的效率。
  3. 小型电机驱动:为小型电机提供可靠的动力支持,实现电机的平稳运行。

关键参数

最大额定值

参数 符号 单位
内部钳位的漏源电压 (V_{DSS}) 52 - 59 V
栅源连续电压 (V_{GS}) ±15 V
连续漏极电流((T{A}=25^{circ}C),单脉冲 (t{p}=10mu s)) (I_{DM}) 10 A
总功率耗散((T_{A}=25^{circ}C)) (P_{D}) 1.69 W
工作温度范围 -55 到 150 °C
单脉冲漏源雪崩能量 (E_{AS}) 110 mJ
负载突降电压((V{GS}=0) 和 (10V),(R{I}=2.0Omega),(R{L}=9.0Omega),(t{d}=400ms)) (V_{LD}) V
结到环境热阻 (R_{theta JA}) 74 - 169 °C/W

电气特性

关断特性

  • 漏源击穿电压:在不同温度下有不同的值,如 (V{GS}=0V),(I{D}=1.0mA),(T{J}=25^{circ}C) 时,(V{(BR)DSS}) 为 52 - 59V;(T_{J}=-40^{circ}C) 到 (125^{circ}C) 时,有相应的温度系数。
  • 零栅压漏极电流:在 (V{DS}=40V),(V{GS}=0V) 时为 10 - 25μA;(T_{J}=125^{circ}C) 时也有相应变化。
  • 栅体泄漏电流:在不同的栅源电压下有不同的值。

导通特性

  • 阈值温度系数:为 -4.1mV/°C。
  • 静态漏源导通电阻:在不同的栅源电压和漏极电流下有不同的值,如 (V{GS}=4.0V),(I{D}=1.5A) 时为 135mΩ;(V{GS}=10V),(I{D}=2.6A) 时为 95 - 110mΩ。

动态特性

  • 输入电容:在不同的漏源电压和频率下有不同的值,如 (V{DS}=35V),(V{GS}=0V),(f = 10kHz) 时为 155pF;(V{DS}=25V),(V{GS}=0V),(f = 10kHz) 时为 170pF。
  • 输出电容:在不同条件下也有相应变化。
  • 传输电容:同样随条件变化。

典型性能曲线

该产品提供了一系列典型性能曲线,包括单脉冲最大关断电流与负载电感的关系、单脉冲最大开关能量与负载电感的关系、导通状态输出特性、传输特性、(R{DS(on)}) 与栅源电压的关系、(R{DS(on)}) 与漏极电流的关系、归一化 (R_{DS(on)}) 与温度的关系、归一化阈值电压与温度的关系、漏源泄漏电流、源漏二极管正向特性、电容变化、栅源电压与总栅极电荷的关系、电阻性负载开关时间与栅源电压的关系、电阻性负载开关时间与栅极电阻的关系、热阻与铜面积的关系以及瞬态热阻等。这些曲线有助于工程师更全面地了解器件在不同条件下的性能表现,从而进行更合理的设计。

订购信息

器件 封装 包装
NCV8440STT1G SOT - 223(无铅) 1000 / 卷带包装
NCV8440ASTT1G SOT - 223(无铅) 1000 / 卷带包装
NCV8440STT3G SOT - 223(无铅) 4000 / 卷带包装
NCV8440ASTT3G SOT - 223(无铅) 4000 / 卷带包装

机械尺寸

产品采用 SOT - 223(TO - 261)封装,文档中给出了详细的机械尺寸图和尺寸参数,包括各引脚的定义和尺寸公差等信息,方便工程师进行 PCB 设计和布局。

在实际设计中,工程师需要根据具体的应用需求,结合这些参数和特性来选择合适的器件,并合理设计外围电路。大家在使用这款 MOSFET 时,有没有遇到过一些特别的问题或者有什么独特的设计经验呢?欢迎在评论区分享。

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