电子说
在电子设计领域,功率 MOSFET 是至关重要的元件,其性能直接影响到整个电路的稳定性和效率。今天我们来深入了解 onsemi 公司的 NCV8440 和 NCV8440A 这两款保护型功率 MOSFET。
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NCV8440 和 NCV8440A 是 2.6A、52V 的 N 沟道逻辑电平钳位 MOSFET,具备 ESD 保护功能。它们专为汽车和工业市场设计,适用于电磁阀驱动、灯具驱动和小型电机驱动等应用。
该产品主要应用于汽车和工业市场,具体包括:
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 内部钳位的漏源电压 | (V_{DSS}) | 52 - 59 | V |
| 栅源连续电压 | (V_{GS}) | ±15 | V |
| 连续漏极电流((T{A}=25^{circ}C),单脉冲 (t{p}=10mu s)) | (I_{DM}) | 10 | A |
| 总功率耗散((T_{A}=25^{circ}C)) | (P_{D}) | 1.69 | W |
| 工作温度范围 | -55 到 150 | °C | |
| 单脉冲漏源雪崩能量 | (E_{AS}) | 110 | mJ |
| 负载突降电压((V{GS}=0) 和 (10V),(R{I}=2.0Omega),(R{L}=9.0Omega),(t{d}=400ms)) | (V_{LD}) | V | |
| 结到环境热阻 | (R_{theta JA}) | 74 - 169 | °C/W |
该产品提供了一系列典型性能曲线,包括单脉冲最大关断电流与负载电感的关系、单脉冲最大开关能量与负载电感的关系、导通状态输出特性、传输特性、(R{DS(on)}) 与栅源电压的关系、(R{DS(on)}) 与漏极电流的关系、归一化 (R_{DS(on)}) 与温度的关系、归一化阈值电压与温度的关系、漏源泄漏电流、源漏二极管正向特性、电容变化、栅源电压与总栅极电荷的关系、电阻性负载开关时间与栅源电压的关系、电阻性负载开关时间与栅极电阻的关系、热阻与铜面积的关系以及瞬态热阻等。这些曲线有助于工程师更全面地了解器件在不同条件下的性能表现,从而进行更合理的设计。
| 器件 | 封装 | 包装 |
|---|---|---|
| NCV8440STT1G | SOT - 223(无铅) | 1000 / 卷带包装 |
| NCV8440ASTT1G | SOT - 223(无铅) | 1000 / 卷带包装 |
| NCV8440STT3G | SOT - 223(无铅) | 4000 / 卷带包装 |
| NCV8440ASTT3G | SOT - 223(无铅) | 4000 / 卷带包装 |
产品采用 SOT - 223(TO - 261)封装,文档中给出了详细的机械尺寸图和尺寸参数,包括各引脚的定义和尺寸公差等信息,方便工程师进行 PCB 设计和布局。
在实际设计中,工程师需要根据具体的应用需求,结合这些参数和特性来选择合适的器件,并合理设计外围电路。大家在使用这款 MOSFET 时,有没有遇到过一些特别的问题或者有什么独特的设计经验呢?欢迎在评论区分享。
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