Onsemi NCV8405A/B:低侧驱动的可靠之选

电子说

1.4w人已加入

描述

Onsemi NCV8405A/B:低侧驱动的可靠之选

在电子设计领域,选择合适的低侧驱动器件对于确保系统的稳定性和可靠性至关重要。Onsemi的NCV8405A/B就是这样一款值得关注的产品,下面我们就来详细了解一下它。

文件下载:NCV8405-D.PDF

产品概述

NCV8405A/B是一款三端受保护的低侧智能分立器件,专为恶劣的汽车环境而设计。它具备多种保护功能,如过流、过温、ESD保护,以及集成的漏极到栅极钳位用于过压保护。

产品特性

保护功能强大

  • 短路保护:当电路出现短路情况时,该器件能够迅速响应,避免因过大电流对器件造成损坏,并且具备热关断和自动重启功能,确保在故障排除后能自动恢复正常工作。
  • 过压保护:集成的钳位功能可有效应对感应开关产生的过压情况,保护器件免受过高电压的冲击。
  • ESD保护:能承受人体模型(HBM)4000V和机器模型(MM)400V的静电放电,增强了器件在实际应用中的抗干扰能力。
  • dV/dt鲁棒性:对电压变化率有较好的耐受性,保证器件在复杂的电气环境中稳定工作。

驱动能力出色

具备模拟驱动能力,采用逻辑电平输入,方便与其他数字电路进行接口。

符合行业标准

带有NCV前缀,适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用,并且通过了AEC - Q101认证,具备PPAP能力。同时,该器件无铅、无卤素、无溴化阻燃剂,符合RoHS标准。

典型应用

NCV8405A/B可以用于切换各种电阻性、电感性和电容性负载,能够替代机电继电器和分立电路,广泛应用于汽车和工业领域。你是否在实际项目中遇到过需要切换复杂负载的情况呢?

关键参数

最大额定值

额定参数 符号 单位
内部钳位的漏源电压 VDSS 42 V
内部钳位的漏栅电压 VDGR 42 V
栅源电压 VGS ±14 V
连续漏极电流 ID 内部限制
SOT - 223版本的功率耗散 PD 1.0、1.7、11.4 W
DPAK版本的功率耗散 2.0、40 W
SOT - 223版本的热阻 RUA 130、72、11 °C/W
DPAK版本的热阻 RUA 60、50 °C/W
单脉冲漏源雪崩能量 EAS 275 mJ
负载突降电压 VLD 53 V
工作结温 TJ -40 至 150 °C
存储温度 Tstg -55 至 150 °C

电气特性

  • 关断特性:包括漏源击穿电压、零栅压漏极电流、栅极输入电流等参数,不同温度条件下这些参数会有所变化。例如,在25°C和150°C时,漏源击穿电压和零栅压漏极电流的数值不同。
  • 导通特性:如栅极阈值电压、静态漏源导通电阻等。栅极阈值电压会随温度变化,静态漏源导通电阻也会受到栅源电压和温度的影响。
  • 开关特性:包括开通时间、关断时间、压摆率等。这些参数反映了器件在开关过程中的性能,对于高速开关应用非常重要。
  • 自我保护特性:电流限制和温度限制是其重要的自我保护功能。电流限制会根据栅源电压和温度的不同而变化,温度限制则能在温度过高时及时关断器件,保护器件安全。
  • 栅极输入特性:涉及器件导通时的栅极输入电流、电流限制时的栅极输入电流和热限制故障时的栅极输入电流等。

封装与订购信息

该器件有SOT - 223和DPAK两种封装形式可供选择,并且提供不同的包装数量。需要注意的是,部分器件已经停产,具体信息可参考数据表第11页的表格。

总结

Onsemi的NCV8405A/B以其强大的保护功能、出色的驱动能力和符合行业标准的特性,成为汽车和工业领域低侧驱动应用的理想选择。在实际设计中,我们可以根据具体的应用需求,结合其关键参数和典型性能曲线,合理使用该器件,以确保系统的稳定运行。你在使用类似低侧驱动器件时,有没有遇到过什么问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分