未来十年SiC/GaN功率半导体市场将迎来显著增长

 

近日，日本知名市场调研机构富士经济（Fuji Keizai）发布了最新全球功率半导体市场预测报告。报告指出，到2035年，全球功率半导体市场规模将达到73495亿日元（约合人民币3700亿元）。其中，传统的硅（Si）功率半导体市场规模预计为48418亿日元，而下一代功率半导体（主要包括碳化硅、氮化镓、氧化镓等宽禁带及超宽禁带材料）市场规模将攀升至25077亿日元，占据整体市场的三分之一以上。

 

回顾2025年，全球功率半导体市场规模为37550亿日元，其中硅功率半导体贡献了32182亿日元，下一代功率半导体仅为5368亿日元。对比两组数据不难看出，未来十年，下一代功率半导体将进入高速增长通道，市场体量有望扩大近五倍，成为驱动整个功率半导体行业升级的核心引擎。

 

一、硅功率半导体：成熟市场承压，长期依然稳健

 

2025年，硅基功率半导体市场虽受到电子设备制造商库存调整的影响，但在消费电子、信息通信设备等需求拉动下仍实现了小幅增长。然而，欧洲、美国和日本的主要功率半导体厂商普遍受到电动汽车市场增速放缓的冲击，传统硅基IGBT及MOSFET在车用领域的订单趋于疲软。展望2035年，硅功率半导体将继续占据市场主导份额（约66%），但其增长将明显慢于下一代产品，主要面向成本敏感、对性能要求相对温和的应用场景。

 

 

二、碳化硅（SiC）：下一代市场主力，价格竞争日趋激烈

 

在下一代功率半导体中，碳化硅（SiC）扮演着绝对主力的角色。报告显示，SiC功率模块的市场规模将从2025年的3506亿日元猛增至2035年的1.8749万亿日元（约18749亿日元），十年间增长超过五倍。

 

增长动力主要来自电动汽车的牵引逆变器。预计到2035年，全球约70%的电动汽车将采用基于SiC的牵引逆变器，以实现更高效率、更轻量化及更长续航。此外，在铁路牵引、大容量储能系统（ESS）以及太阳能发电系统的功率调节器中，SiC功率模块的应用也在快速扩大。

 

竞争格局方面，随着中国本土功率半导体制造商的不断涌入，碳化硅市场正面临日益加剧的价格竞争。业界普遍认为，未来SiC器件成本的持续下降将推动更多中端车型和工业领域采纳这一技术，但也将对现有厂商的盈利能力构成挑战。

 

 

三、氮化镓（GaN）：后起之秀，汽车与服务器领域成新蓝海

 

氮化镓（GaN）功率半导体虽然起步晚于SiC，但发展势头同样迅猛。据富士经济预测，2025年GaN功率半导体市场规模为585亿日元，到2035年将增长至3169亿日元，增幅接近五倍半。

 

应用拓展方面，GaN正快速从消费电子快充向更高功率领域渗透。未来，其部署将重点集中在车载充电器（OBC）、激光雷达（LiDAR）、服务器机架电源、人形机器人以及无人机等新兴方向。尤其是数据中心服务器电源，因需应对节能减排和功率密度提升的刚性需求，被视为GaN继快充之后又一个极具潜力的爆发点。

 

值得注意的是，多家国际IDM及国内初创公司已在车规级GaN上取得突破，预计2030年前后将陆续实现前装量产。

 

 

四、氧化镓（Ga₂O₃）：新兴力量蓄势，市场形成在即

 

作为第四代超宽禁带半导体的代表，氧化镓功率半导体虽然2025年市场规模极小，但被富士经济列为未来十年值得关注的技术变量。预计到2035年，其市场规模将达到149亿日元。

 

氧化镓器件主要分为两类：肖特基势垒二极管（SBD）和场效应晶体管（FET）。日本企业FLOSFIA已在2025年12月完成了4英寸氧化镓晶圆制造技术的验证，并利用原型SBD验证了器件可靠性的提升。基于此，富士经济预测，面向白色家电、服务器机架电源的600V 氧化镓SBD将于2027年左右进入量产阶段，届时市场将真正启动。

 

虽然碳化硅成本的持续下降在一定程度上削弱了氧化镓的成本优势，但氧化镓在耐更高电压（如1200V以上）以及潜在更低生产成本方面仍具独特吸引力。预计2030年前后，氧化镓FET将面向工业及能源领域率先规模化——首期目标包括大型太阳能电厂的电源调节器、兆瓦级充电器等。待技术成熟后，应用有望进一步向汽车电子和消费电子延伸。

 

五、制造设备与元件市场：短期调整，中长期翻倍增长

 

受2025年全球功率半导体市场整体低迷及电动汽车资本支出放缓的影响，功率半导体制造设备及元件市场也经历了一轮调整。

 

· 元件市场（含晶圆、光刻胶、焊料、封装材料、键合材料等）：2025年市场规模约为5967亿日元。硅晶圆需求同比仅小幅增长，中国市场对前端材料保持强劲，而欧美需求有所回落；后端材料则受到汽车和电子应用疲软的拖累。预计从2026年起，随功率半导体需求复苏，元件市场将重拾升势，2029年突破1万亿日元，到2035年达到1.806万亿日元。

· 设备市场：2025年规模约为6735亿日元，同比显著萎缩，主要原因是电动汽车市场低迷导致车用资本开支削减，以及2024年之前过度投资后的回调。但自2026年起，此前被推迟的资本投资将逐步恢复，尤其是前端工艺设备将率先反弹。到2035年，设备市场规模预计将翻倍至1.3627万亿日元。驱动力包括：8英寸碳化硅功率半导体生产线的设备投资增加，以及在汽车、电子行业中检测测试设备和芯片外观检测设备的广泛应用。

 

 

结语

 

综合富士经济的预测，未来十年将是功率半导体技术代际更替的关键窗口。以碳化硅、氮化镓为代表，以氧化镓为潜在变量的下一代功率半导体，将在电动汽车、能源基础设施、数据中心及机器人等领域释放巨大价值。与此同时，硅功率半导体仍将凭借成熟生态和成本优势长期共存。对产业链上下游企业而言，把握技术路线节奏、应对价格竞争并提前布局新兴产能，将是赢得未来的核心课题。

 

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