安森美MDBxS系列单相桥式整流器：小封装大性能

在电子设备的电源设计中，整流器是不可或缺的关键元件。安森美（onsemi）的MDBxS系列单相桥式整流器，为提升电源效率和可靠性提供了出色的解决方案。今天，我们就来深入了解一下这个系列的产品。

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产品概述

随着对电源效率和可靠性要求的不断提高，安森美的MDBxS系列专注于提供一流的小尺寸封装和高效整流性能。该系列包括MDB6S、MDB8S和MDB10S三款产品，以“S”系列为代表，在效率、尺寸和成本之间实现了行业领先的平衡。

突出特性

低VF值，高效节能

MDBxS系列在效率方面表现卓越。在25°C、1A电流下，典型正向压降（VF）为0.935V；在5A电流下，典型VF为1.165V。与同尺寸的竞争产品相比，这些较低的VF值可使效率提高约5%，从而使电源运行更凉爽、更高效。

高浪涌电流承受能力

该系列设计支持30A的IFSM额定值，能够吸收高浪涌电流，同时提供高达1000V的额定击穿电压，确保在复杂的电力环境中稳定工作。

小尺寸封装

MDBxS系列采用小尺寸微双列直插式（micro - dip）封装，最大高度仅为1.6mm，仅需35mm²的电路板空间，非常适合对空间要求苛刻的应用。

其他特性

• 低封装高度：最大高度为1.60mm，满足薄型设计需求。
• 玻璃钝化结：提高了器件的稳定性和可靠性。
• 环保认证：这些器件无铅、无卤素、无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准，并且获得了UL认证（E352360）。

产品规格

绝对最大额定值

符号	参数	MDB6S	MDB8S	MDB10S	单位
VRRM	最大重复峰值反向电压	600	800	1000	V
VRMS	最大均方根电压	420	560	700	V
VDC	最大直流阻断电压	600	800	1000	V
IF(AV)	平均整流正向电流	1.0	1.0	1.0	A
IFSM	峰值正向浪涌电流	30	30	30	A
I²t	熔断I²t额定值（t < 8.3 ms）	3.735	3.735	3.735	A²S
TJ	工作结温范围	-55 to +150	-55 to +150	-55 to +150	°C
TSTG	储存温度范围	-55 to +150	-55 to +150	-55 to +150	°C

热特性

• 热阻（Junction to Ambient）：双芯片测量为250°C/W，单芯片测量为150°C/W。
• 结到引脚热特性：引脚2为57°C/W，引脚1、3、4为15°C/W。

电气特性

符号	参数	条件	值	单位
VF	最大正向电压	IF = 1 A，脉冲测量，每二极管	1.1	V
IR	最大反向电流	在VRRM下，脉冲测量，每二极管	10	μA
CJ	典型结电容	VR = 4 V，f = 1 MHz	10	pF

应用建议

在实际应用中，我们需要注意以下几点：

• 当应力超过最大额定值表中列出的值时，可能会损坏器件。因此，在设计电路时，务必确保工作条件在额定范围内。
• 产品的电气特性是在特定测试条件下给出的，如果在不同条件下运行，产品性能可能会有所不同。所以，对于每个客户应用，都需要由技术专家对所有工作参数（包括“典型值”）进行验证。

总结

安森美的MDBxS系列单相桥式整流器凭借其高效、小尺寸和高可靠性的特点，为电源设计工程师提供了一个优秀的选择。无论是在小型消费电子设备还是工业电源应用中，都能发挥出色的性能。在选择整流器时，不妨考虑一下MDBxS系列，相信它会给你的设计带来意想不到的效果。你在使用整流器的过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。