电子说
在电子工程领域,整流器是不可或缺的基础元件,它在电源转换、电机驱动等众多应用中发挥着关键作用。今天,我们将聚焦于ON Semiconductor的FFB20UP20DN_F085 10A, 200V超快速双整流器,深入探讨其特点、应用、电气特性等方面。
Fairchild Semiconductor已被ON Semiconductor整合,在整合过程中,部分Fairchild可订购的零件编号需要更改以符合ON Semiconductor的系统要求,特别是Fairchild零件编号中的下划线(_)将改为破折号(-)。FFB20UP20DN_F085是一款超快速整流器,采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构,具有低正向压降的特点。
该整流器的峰值重复反向电压(V{RRM})、工作峰值反向电压(V{RWM})和直流阻断电压(V_{R})均达到200V,能够承受较高的反向电压,适用于对电压要求较高的应用场景。
具备雪崩能量额定能力,这意味着它在遇到瞬间高能量冲击时,能够更好地保护电路,提高系统的稳定性和可靠性。
采用平面结构设计,这种结构有助于提高整流器的性能和散热效率,同时也便于集成到各种电路中。
在电源电路中,作为输出整流器,将交流电转换为直流电,为后续电路提供稳定的直流电源。
在开关模式电源中,该整流器可用于整流和滤波,提高电源的效率和稳定性。
在电机驱动电路中,作为续流二极管,为电机绕组提供续流通路,保护开关器件免受反电动势的影响。
在各种功率开关电路中,该整流器可用于快速切换和能量转换,减少开关损耗。
| Symbol | Parameter | Ratings | Units |
|---|---|---|---|
| (V_{RRM}) | 峰值重复反向电压 | 200 | V |
| (V_{RWM}) | 工作峰值反向电压 | 200 | V |
| (V_{R}) | 直流阻断电压 | 200 | V |
| (I_{f(avg)}) | 平均整流正向电流((T_{C}=155^{circ}C)) | 10 | A |
| (I_{FSM}) | 非重复峰值浪涌电流(60Hz单半正弦波) | 100 | A |
| (T{J}, T{STG}) | 工作结温和存储温度 | -55 to +175 | °C |
最大热阻(R_{θJC1})为3.5 °C/W,这表明该整流器在散热方面具有较好的性能,能够有效地将热量散发出去,保证器件的正常工作。
| 参数 | 条件 | Min | Typ | Max | Units |
|---|---|---|---|---|---|
| (V_{F}) | (I{F}=10A, T{C}=25^{circ}C) | - | - | 1.15 | V |
| (V_{F}) | (I{F}=10A, T{C}=150^{circ}C) | - | - | 1.0 | V |
| (I_{R}) | (V{R}=200V, T{C}=25^{circ}C) | - | - | 10 | µA |
| (I_{R}) | (V{R}=200V, T{C}=150^{circ}C) | - | - | 250 | µA |
| (t_{rr}) | (I{F}=1A, di/dt = 200A/µs, V{CC}=130V, T_{C}=25^{circ}C) | - | 15 | 25 | ns |
| (t_{rr}) | (I{F}=10A, di/dt = 200A/µs, V{CC}=130V, T_{C}=25^{circ}C) | - | 27 | 40 | ns |
| (t_{a}) | (I{F}=10A, di/dt = 200A/µs, V{CC}=130V, T_{C}=25^{circ}C) | - | 21 | - | ns |
| (t_{b}) | (I{F}=10A, di/dt = 200A/µs, V{CC}=130V, T_{C}=25^{circ}C) | - | 6 | - | ns |
| (Q_{rr}) | (I{F}=10A, di/dt = 200A/µs, V{CC}=130V, T_{C}=25^{circ}C) | - | 50 | - | nC |
| (W_{AVL}) | 雪崩能量((L = 20mH)) | - | - | 10 | mJ |
这些参数反映了整流器在不同条件下的性能表现,工程师在设计电路时需要根据实际需求进行合理选择。
该整流器采用TO - 263封装,卷盘尺寸为13”,磁带宽度为24mm,每卷数量为800个。其器件标记为F20UP20DN。
由于Fairchild Semiconductor的整合,部分零件编号需要更改,使用时需注意检查ON Semiconductor网站以验证更新后的器件编号。
ON Semiconductor产品不设计、不打算也未获授权用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或具有相同或类似分类的外国司法管辖区的医疗设备,以及任何用于人体植入的设备。如果买家将产品用于此类非预期或未授权的应用,需承担相应的责任。
“典型”参数在不同应用中可能会有所变化,实际性能也可能随时间变化。所有工作参数,包括“典型值”,都必须由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。
综上所述,FFB20UP20DN_F085超快速双整流器凭借其高反向电压、雪崩能量额定、低正向压降等特点,在众多应用领域具有广阔的应用前景。电子工程师在设计电路时,可以根据实际需求合理选择该整流器,同时要注意上述提到的注意事项,以确保电路的稳定性和可靠性。大家在实际应用中是否遇到过类似整流器的问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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