Apacer 2GB DDR3 SODIMM内存模块技术解析

在电子设备的运行中，内存模块扮演着至关重要的角色。今天我们要深入探讨的是Apacer的2GB DDR3 SODIMM内存模块，这款产品具有许多值得关注的特性和设计细节，对于电子工程师来说，了解这些内容有助于更好地进行硬件设计和系统集成。

文件下载：96SD3-2G1333NN-AP2.pdf

一、产品基本信息

1. 产品审批与标识

该内存模块由Apacer Technology Inc.生产，客户为研華股份有限公司。审批编号为90003 - T0002，发布日期是2011年1月12日。模块部件编号为78.A2GC9.AF0，PCB部件编号为48.18220.090，IC品牌为Hynix，产品描述为DDR3 SODIMM 10600 - 9 256x8 2GB HYN G。

2. 订购信息

部件编号	带宽速度等级	最大频率	CAS延迟	密度组织	组件组成	排数
78.A2GC9.XX0		10.6GB/sec 1333Mbps 666MHz CL9			2GB 256Mx64 256Mx8*8EA 1

二、规格参数

1. 物理特性

• 封装形式：采用204 - 引脚插座式小外形双列直插式内存模块（SO - DIMM），PCB高度为30.0mm，引脚间距为0.6mm（引脚），并且符合无铅（RoHS）标准。
• 密度与组织：密度为2GB，组织形式为256M字×64位，1排。安装了8片2G位DDR3 SDRAM，采用FBGA封装。

2. 电气特性

• 电源供应：电源电压 (VDD = 1.5 V pm 0.075 V)。
• 接口：接口类型为SSTL_15。
• 突发长度：突发长度（BL）为8和4，支持突发截断（BC）。
• CAS延迟：/CAS延迟（CL）为6、7、8、9；/CAS写延迟（CWL）为5、6、7。
• 预充电：每个突发访问都有自动预充电选项。
• 刷新：支持自动刷新和自刷新。在 (0^{circ} C ≤TC leq + 85^{circ} C) 时，平均刷新周期为7.8µs；在 + 85°C < TC ≤ + 95°C 时，平均刷新周期为3.9µs。
• 工作温度范围：工作外壳温度范围为 (TC = 0^{circ} C) 到 + 95°C。

三、产品特性

1. 高速数据传输

• 采用双数据速率架构，每个时钟周期进行两次数据传输。
• 通过8位预取流水线架构实现高速数据传输。

2. 数据同步与控制

• 双向差分数据选通（DQS和 /DQS）与数据一起传输/接收，用于在接收器处捕获数据。DQS在读取时与数据边缘对齐，在写入时与数据中心对齐。
• 差分时钟输入（CK和 /CK），DLL使DQ和DQS转换与CK转换对齐。
• 命令在每个正CK边缘输入，数据和数据掩码参考DQS的两个边缘。
• 数据掩码（DM）用于写入数据。

3. 信号质量与控制

• 片上终结（ODT）用于改善信号质量，包括同步ODT、动态ODT和异步ODT。
• 多用途寄存器（MPR）用于温度读取。
• ZQ校准用于DQ驱动和ODT。
• 可编程部分阵列自刷新（PASR）。
• /RESET引脚用于上电序列和复位功能。
• SRT范围包括正常/扩展自动/手动自刷新。
• 可编程输出驱动器阻抗控制。

四、引脚配置与描述

1. 引脚配置

该内存模块的引脚分为正面和背面，详细的引脚编号和名称如下表所示：	正面				背面
引脚编号	引脚名称	引脚编号	引脚名称	引脚编号	引脚名称	引脚编号	引脚名称
1	VREFDQ	103	/CK0	2	VSS	104	/CK1
3	VSS	105	VDD	4	DQ4	106	VDD
5	DQ0	107	A10 (AP)	6	DQ5	108	BA1
7	DQ1	109	BA0	8	VSS	110	/RAS
9	VSS	111	VDD	10	/DQS0	112	VDD
11	DM0	113	/WE	12	DQS0	114	/CS0
13	VSS	115	/CAS	14	VSS	116	ODT0
15	DQ2	117	VDD	16	DQ6	118	VDD
17	DQ3	119	A13	18	DQ7	120	ODT1
19	VSS	121	/CS1	20	VSS	122	NC
21	DQ8	123	VDD	22	DQ12	124	VDD
23	DQ9	125	NC	24	DQ13	126	VREFCA
25	VSS	127	VSS	26	VSS	128	VSS
27	/DQS1	129	DQ32	28	DM1	130	DQ36
29	DQS1	131	DQ33	30	/RESET	132	DQ37
31	VSS	133	VSS	32	VSS	134	VSS
33	DQ10	135	/DQS4	34	DQ14	136	DM4
35	DQ11	137	DQS4	36	DQ15	138	VSS
37	VSS	139	VSS	38	VSS	140	DQ38
39	DQ16	141	DQ34	40	DQ20	142	DQ39
41	DQ17	143	DQ35	42	DQ21	144	VSS
43	VSS	145	VSS	44	VSS	146	DQ44
45	/DQS2	147	DQ40	46	DM2	148	DQ45
47	DQS2	149	DQ41	48	VSS	150	VSS
49	VSS	151	VSS	50	DQ22	152	/DQS5
51	DQ18	153	DM5	52	DQ23	154	DQS5
53	DQ19	155	VSS	54	VSS	156	VSS
55	VSS	157	DQ42	56	DQ28	158	DQ46
57	DQ24	159	DQ43	58	DQ29	160	DQ47
59	DQ25	161	VSS	60	VSS	162	VSS
61	VSS	163	DQ48	62	/DQS3	164	DQ52
63	DM3	165	DQ49	64	DQS3	166	DQ53
65	VSS	167	VSS	66	VSS	168	VSS
67	DQ26	169	/DQS6	68	DQ30	170	DM6
69	DQ27	171	DQS6	70	DQ31	172	VSS
71	VSS	173	VSS	72	VSS	174	DQ54
73	CKE0	175	DQ50	74	CKE1	176	DQ55
75	VDD	177	DQ51	76	VDD	178	VSS
77	NC	179	VSS	78	NC	180	DQ60
79	BA2	181	DQ56	80	NC	182	DQ61
81	VDD	183	DQ57	82	VDD	184	VSS
83	A12 (/BC)	185	VSS	84	A11	186	/DQS7
85	A9	187	DM7	86	A7	188	DQS7
87	VDD	189	VSS	88	VDD	190	VSS
89	A8	191	DQ58	90	A6	192	DQ62
91	A5	193	DQ59	92	A4	194	DQ63
93	VDD	195	VSS	94	VDD	196	VSS
95	A3	197	SA0	96	A2	198	/EVENT
97	A1	199	VDDSPD	98	A0	200	SDA
99	VDD	201	SA1	100	VDD	202	SCL
101	CK0	203	VTT	102	CK1	204	VTT

2. 引脚描述

引脚名称	功能
A0 to A13	地址输入（行地址A0到A13，列地址A0到A9）
A10 (AP)	自动预充电
A12 (/BC)	突发截断
BA0, BA1, BA2	存储体选择地址
DQ0 to DQ63	数据输入/输出
/RAS	行地址选通命令
/CAS	列地址选通命令
/WE	写使能
/CS0, /CS1	芯片选择
CKE0, CKE1	时钟使能
CK0, CK1	时钟输入
/CK0, /CK1	差分时钟输入
DQS0 to DQS7, /DQS0 to /DQS7	输入和输出数据选通
DM0 to DM7	输入掩码
SCL	串行PD的时钟输入
SDA	串行PD的数据输入/输出
VDD	内部电路电源
VDDSPD	串行EEPROM电源
VREFCA	CA参考电压
VREFDQ	DQ参考电压
VSS	接地
VTT	SDRAM的I/O终端电源
/RESET	将DRAM设置为已知状态
ODT0, ODT1	ODT控制
/EVENT	温度事件引脚
NC	无连接

五、总结

Apacer的2GB DDR3 SODIMM内存模块在性能、特性和引脚设计上都有其独特之处。对于电子工程师来说，在进行硬件设计时，需要充分考虑这些特性和参数，以确保系统的稳定性和性能。例如，在设计电源电路时，要保证 (VDD) 电压的稳定，以满足内存模块的工作要求；在布局布线时，要注意差分信号（如CK和 /CK、DQS和 /DQS）的处理，以提高信号质量。你在实际设计中是否遇到过类似内存模块的使用问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。