电子说
在电子设计领域,整流器是不可或缺的元件,尤其是在低电压、高频整流应用中。安森美(onsemi)的MBRS130LT3G、SBRS8130LT3G和SBRS8130LN肖特基功率整流器,因其出色的性能和特性,成为众多工程师的首选。下面我们就来详细了解这些器件。
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这些器件采用大面积金属 - 硅功率二极管的肖特基势垒原理,具有先进的外延结构、氧化物钝化和金属覆盖接触。它们非常适合用于低电压、高频整流,或者作为续流和极性保护二极管,尤其适用于对尺寸和重量要求苛刻的表面贴装应用。
在 (T_J = 25^{circ}C)、电流为 1.0 A 时,最大正向压降仅为 0.395 V。低正向压降意味着在导通时功耗更低,能有效提高系统效率,减少发热。大家在设计低功耗电路时,这个特性是不是很关键呢?
采用带有 J 形弯引脚的 SMB 封装,尺寸小巧,便于在电路板上布局,适合对空间要求较高的设计。
这种结构能提高器件的稳定性和可靠性,减少外界因素对器件性能的影响。
人体模型(HBM)评级为 3B(>16000 V),机器模型(MM)评级为 C(>400 V),能有效抵抗静电干扰,保护器件免受静电损坏。
可以增强器件的抗应力能力,提高其在复杂环境下的可靠性。
| 额定值 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 峰值重复反向电压、工作峰值反向电压、直流阻断电压 | (V{RRM})、(V{RWM})、(V_R) | 30 | V |
| 平均整流正向电流((T_L = 120^{circ}C)) | (I_{F(AV)}) | 1.0 | A |
| 平均整流正向电流((T_L = 110^{circ}C)) | (I_{F(AV)}) | 2.0 | A |
| 非重复峰值浪涌电流 | (I_{FSM}) | 40 | A |
| 工作结温范围 | (T_J) | -65 至 +125 | (^{circ}C) |
在设计电路时,一定要确保器件的工作条件不超过这些最大额定值,否则可能会损坏器件,影响系统的可靠性。大家在实际应用中有没有遇到过因为参数选择不当而导致器件损坏的情况呢?
| 特性 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到引脚的热阻 | (Psi_{JL}) | 12 | (^{circ}C/W) |
| 结到环境的热阻((T_A = 25^{circ}C),最小焊盘,1 oz 铜) | (R_{UA}) | 228.8 | (^{circ}C/W) |
| 结到环境的热阻((T_A = 25^{circ}C),1" 焊盘,1 oz 铜) | (R_{UA}) | 71.3 | (^{circ}C/W) |
热特性对于器件的性能和寿命至关重要。较低的热阻意味着器件能够更有效地散热,保证其在正常温度范围内工作。工程师在设计散热方案时,需要根据这些热阻参数来合理布局。
| 特性 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 最大瞬时正向电压((i_F = 1.0 A),(T_J = 25^{circ}C)) | (V_F) | 0.395 | V |
| 最大瞬时正向电压((i_F = 2.0 A),(T_J = 25^{circ}C)) | (V_F) | 0.445 | V |
| 最大瞬时反向电流(额定直流电压,(T_J = 25^{circ}C)) | (I_R) | 1.0 | mA |
| 最大瞬时反向电流(额定直流电压,(T_J = 100^{circ}C)) | (I_R) | 10 | mA |
这些电气特性是衡量器件性能的重要指标,在实际应用中,要根据电路的具体要求来选择合适的器件。
采用 SMB 封装(CASE 403A),重量约为 100 mg,所有外表面耐腐蚀,引脚易于焊接。
焊接时,引脚和安装表面温度最大为 260°C,持续时间不超过 10 秒。
| 器件 | 封装 | 包装数量 |
|---|---|---|
| MBRS130LT3G | SMB(无铅) | 2,500 / 卷带盘 |
| SBRS8130LT3G* | SMB(无铅) | 2,500 / 卷带盘 |
| SBRS8130LT3G - VF01* | SMB(无铅) | 2,500 / 卷带盘 |
| SBRS8130LNT3G* | SMB(无铅) | 2,500 / 卷带盘 |
安森美的 MBRS130LT3G、SBRS8130LT3G 和 SBRS8130LN 肖特基功率整流器以其出色的性能和特性,为电子工程师在低电压、高频整流等应用中提供了可靠的解决方案。在设计过程中,我们需要充分了解这些器件的各项参数和特性,合理选择和使用,以确保电路的性能和可靠性。大家在使用这些器件时,有什么独特的经验或者遇到过什么问题,欢迎在评论区分享交流。
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