电子说
在电子工程师的日常设计工作中,功率整流器是不可或缺的重要组件。今天我们就来深入探讨Onsemi公司的SBRB1045T4G和MBRD1045T4G这两款开关模式肖特基功率整流器,了解它们的特点、性能参数以及应用场景。
文件下载:MBRB1045-D.PDF
SBRB1045T4G和MBRD1045T4G系列功率整流器采用了肖特基势垒原理,在大型金属 - 硅功率二极管中应用。其先进的几何结构采用了外延结构、氧化物钝化和金属覆盖接触等技术。这一系列产品非常适合用于低压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管等应用场景。
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 直流阻断电压 | VRRM | - | V |
| 直流平均电流 | IF(AV) | 10 | A |
| 非重复峰值浪涌电流(额定负载条件下半波、单相、60Hz) | FSM(MBRD/SBRD) | - | A |
需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。若超出任何这些限制,不能保证器件的功能,可能会造成损坏并影响可靠性。同时,产生的热量必须小于结到环境的热导率,即 $d P{D} / d T{J}<1 / R_{A J A}$。
以MBRB1045G为例,其热阻参数 $R_{JC}$ 为68(单位未明确给出)。当在FR - 4板上使用最小推荐焊盘尺寸进行安装时,热性能会受到一定影响。
| 特性 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 最大瞬时正向电压 ($I_F = 10$ Amps,$T_J = 125$ °C) |
$V_F$ | 0.57 | V |
| 最大瞬时正向电压 ($I_F = 20$ Amps,$T_J = 125$ °C) |
$V_F$ | 0.72 | V |
| 最大瞬时正向电压 ($I_F = 20$ Amps,$T_J = 25$ °C) |
$V_F$ | 0.84 | V |
| 最大瞬时反向电流 (额定直流电压,$T_J = 125$ °C) |
$I_R$ | 15 | mA |
| 最大瞬时反向电流 (额定直流电压,$T_J = 25$ °C) |
$I_R$ | 0.1 | mA |
这里需要强调,产品参数性能是在所列测试条件下的电气特性所指示的,若在不同条件下运行,产品性能可能与电气特性有所不同。脉冲测试条件为脉冲宽度300μs,占空比 ≤ 2.0%。
| 器件 | 封装 | 包装数量 |
|---|---|---|
| SBRB1045T4G | D2PAK - 3(无铅) | 800个/卷带 |
| MBRD1045T4G | DPAK(无铅) | 2500个/卷带 |
此外,SBRD81045T4G已停产,不推荐用于新设计。若需要了解更多关于卷带规格的信息,可参考Onsemi的《Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D》。
文档中还给出了DPAK3和D2PAK 3两种封装的详细机械尺寸,包括各部分的最小、标称和最大尺寸等信息,以及不同引脚样式的标记图。这些信息对于工程师进行PCB设计和器件安装非常重要。
在实际设计中,电子工程师需要根据具体的应用需求,综合考虑这些参数和特性,选择合适的功率整流器。大家在使用这些器件时,有没有遇到过什么特殊的问题或者有独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享交流。
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