Onsemi S320肖特基整流器：高效低损的电子解决方案

在电子电路设计中，整流器是不可或缺的组件，而肖特基整流器以其独特的性能优势，在众多应用场景中发挥着重要作用。今天，我们就来深入了解一下Onsemi推出的S320肖特基整流器。

文件下载：S320-D.PDF

产品概述

S320是一款高效、低功耗的通用肖特基整流器，采用SMB / DO - 214AA表面贴装封装。其独特的夹焊引脚结构，不仅提供了出色的热性能，还降低了电阻，适用于续流、二次整流和反极性保护等应用。

产品特性

封装与电压特性

• 封装形式：采用低轮廓的Mini - 表面贴装封装SMB / DO - 214AA，这种封装形式在节省电路板空间的同时，也便于自动化生产。
• 高反向电压：最大重复峰值反向电压(V{RRM}=200V)，最大RMS电压(V{RMS}=140V)，最大直流阻断电压(V_{DC}=200V)，能够在较高的反向电压环境下稳定工作。

电气性能

• 低功耗与高效率：在工作过程中，能够有效降低功率损耗，提高能源利用效率。
• 高浪涌电流：非重复峰值正向浪涌电流(I_{FSM}=80A)（8.3ms单半正弦波，叠加在额定负载上，采用JEDEC方法），使其能够承受较大的浪涌冲击，增强了电路的稳定性。

环保特性

该器件符合RoHS 2002/95/EC标准，是无铅和无卤化物的环保产品，符合现代电子设备对环保的要求。

技术参数

绝对最大额定值

在环境温度(T_{A}=25^{circ}C)（除非另有说明）的条件下，各项参数如下：	参数	数值	单位
最大重复峰值反向电压(V_{RRM})	200	V
最大RMS电压(V_{RMS})	140	V
最大直流阻断电压(V_{DC})	200	V
最大平均正向电流(I_{F(AV)})	3.0	A
非重复峰值正向浪涌电流(I_{FSM})	80	A
工作结温和存储温度范围(T{STG}, T{J})	- 65 至 + 150	°C

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

参数	数值	单位
结到环境的热阻(R_{JA})	160	°C/W
结到引脚的热特性(R_{JL})	20	°C/W

测试条件为：测试环境和PCB类型遵循JESD51 - 2,3，电路板尺寸为76.2 x 114.3mm，焊盘尺寸为2.5 x 2.2mm，走线宽度为30mil。

电气特性

在(T_{A}=25^{circ}C)（除非另有说明）的条件下：	测试条件	参数	最小值	典型值	最大值	单位
3.0A	正向电压			0.9	V
(T_{A}=25^{circ}C)	额定(V_{DC})下的直流反向电流			7	μA
(T_{A}=100^{circ}C)				120	μA
(I{F}=0.5A, I{R}=1A, I_{RR}=0.25A)	反向恢复时间		14		ns
(I{F}=1A, V{R}=-30V, I{RR}=10%I{RM}, di/dt = 50A/μs)					ns

产品的参数性能在列出的测试条件下通过电气特性来表示，除非另有说明。如果在不同条件下运行，产品性能可能无法通过电气特性体现。其中，正向电压测试采用脉冲测试，脉冲宽度(PW = 250μs)，占空比为2%；由于快速反向恢复，反向电流(I_{R}<1A)。

典型性能曲线

文档中还给出了一些典型性能曲线，包括直流正向电流降额曲线、正向电流特性曲线、典型反向特性曲线和典型瞬时正向特性曲线等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解S320在不同工作条件下的性能表现，从而进行更合理的电路设计。

机械尺寸

SMB封装的S320在机械尺寸方面有详细的规定，所有尺寸单位为毫米，并且符合ASME Y14.5 - 1994的尺寸和公差标准。同时，其焊盘图案标准为DIOM5336X240M。

总结

Onsemi的S320肖特基整流器凭借其高效、低功耗、高反向电压和高浪涌电流等特性，为电子工程师在设计电路时提供了一个可靠的选择。无论是在续流、二次整流还是反极性保护等应用中，都能发挥出色的性能。不过，在实际应用中，工程师还需要根据具体的电路需求，结合产品的各项参数和性能曲线，进行合理的设计和验证。大家在使用S320时，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。