电子说
在电子设备不断追求小型化、高效化的今天,无线充电技术成为了一个热门领域。而在无线充电电路中,整流二极管起着至关重要的作用。今天,我们就来深入了解一下 onsemi 推出的 NSR2030QMU 肖特基全桥整流二极管。
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NSR2030QMU 是一款专为无线充电高速信号整流而设计的肖特基全桥整流二极管。它具有极低的正向电压,这一特性能够有效降低导通损耗,提高电路的效率。同时,该二极管采用了 UDFN 3.5 x 3.5 x 0.5 mm 的封装形式,这种小巧的封装非常适合对空间要求较高的无线应用。
在高速信号处理中,开关速度是一个关键指标。NSR2030QMU 具备极快的开关速度,能够快速响应信号变化,确保电路的稳定运行。这对于无线充电这种需要高频信号处理的应用来说尤为重要。
正向电压是衡量二极管导通性能的重要参数。NSR2030QMU 在 (I_{F}=2 A) 时,典型正向电压仅为 -0.54 V。低正向电压意味着在导通时消耗的能量更少,从而降低了电路的功耗,提高了整体效率。
该产品符合环保标准,是无铅、无卤素且符合 RoHS 规范的。这不仅符合环保要求,也为产品在全球市场的推广提供了便利。
NSR2030QMU 主要应用于低电压全桥整流和无线充电领域。在无线充电系统中,它能够高效地将交流信号转换为直流信号,为设备提供稳定的电源。同时,在低电压全桥整流电路中,其低正向电压和快速开关速度的特性也能发挥重要作用。
| Symbol | Rating | Value | Unit |
|---|---|---|---|
| VR | Reverse Voltage | 30 | V |
| IF | Forward Current (DC) | 2.0 | A |
| IFSM | Forward Current Surge Peak (60 Hz, 1 cycle) | 12.5 | A |
| FSM | Non-Repetitive Peak Forward Current (Square Wave, (T_{J}=25^{circ} C) prior to surge) t= 1 us t = 1 ms t=1s | 40 10 3.0 | A |
需要注意的是,超过最大额定值可能会损坏设备,影响其可靠性。
| Symbol | Characteristic | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR) | Reverse Breakdown Voltage ((I_{R}=1.0 ~mA)) | V | |||
| R | Reverse Leakage (VR = 30 V) | 5.0 | 20 | uA | |
| Forward Voltage ((I_{F}=0.5 ~A)) | 0.41 | 0.455 | V | ||
| 0.46 | 0.55 | V | |||
| VF | Forward Voltage ((I_{F}=2.0 ~A)) | 0.54 | 0.65 | ||
| trr | Reverse Recovery Time ((I{F}=I{R}=10 ~mA, I_{R(REC)}=1.0 ~mA)) | 34 | ns | ||
| CT | Input Capacitance (pins 1 to 3)((V_{R}=1.0 ~V, f=1.0 MHz)) | 102 | pF |
这些参数反映了产品在不同条件下的性能表现。在实际应用中,工程师需要根据具体的电路要求来选择合适的工作点。
| Symbol | Characteristic | Max | Unit |
|---|---|---|---|
| PD (Note 2) | Total Device Dissipation FR-5 Board (T_{A}=25^{circ}C) Derate above 25°C | 2.08 20.8 | W mW/°C |
| RUA | Thermal Resistance Junction to Ambient | 48 | °C/W |
| PD (Note 3) | Total Device Dissipation FR-5 Board (T_{A}=25^{circ}C) Derate above 25°C | 0.75 | W mW/°C |
| RUA (Note 3) | Thermal Resistance Junction to Ambient | 132 | °C/W |
| (P_{D}) (Note 4) | Total Device Dissipation FR-5 Board (T_{A}=25^{circ}C) Derate above 25°C | 0.87 8.8 | W mW/°C |
| RUA (Note 4) | Thermal Resistance Junction to Ambient | ||
| TJ | Junction Temperature | +125 | °C |
| Tstg | Storage Temperature Range | +150 | °C |
热特性对于保证产品的稳定性和可靠性至关重要。在设计电路时,工程师需要考虑散热问题,确保产品在合适的温度范围内工作。
NSR2030QMU 采用 UDFN4 3.5x3.5 封装,其引脚连接和器件原理图都有明确的标注。同时,产品的标记图也提供了详细的信息,方便工程师进行识别和使用。
在实际焊接过程中,推荐参考 onsemi 的 Soldering and Mounting Techniques Reference Manual(SOLDERRM/D),以确保焊接质量。
NSR2030QMU 作为一款专为无线充电设计的肖特基全桥整流二极管,具有极快的开关速度、低正向电压、环保等优点。其在电气特性和热特性方面的表现也较为出色,适用于低电压全桥整流和无线充电等应用场景。电子工程师在设计相关电路时,可以考虑将其作为一个理想的选择。
那么,在你的实际项目中,是否遇到过类似的整流二极管选型问题呢?你又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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