探索ADVANTECH AQD - SD3L8GE16 - MG：高性能DDR3L SODIMM内存模块

在当今的电子设备中，内存模块的性能和稳定性对系统的整体表现起着关键作用。今天，我们将深入探讨ADVANTECH的一款高性能内存模块——AQD - SD3L8GE16 - MG，这是一款204Pin DDR3 1.35V 1600 ECC SODIMM 8GB的内存产品，基于512Mx8的芯片，具备诸多出色的特性。

文件下载：AQD-SD3L8GE16-MG.pdf

产品概述

AQD - SD3L8GE16 - MG是一款DDR3L SO DIMM内存模块，支持ECC（错误检查与纠正）功能，具有高速、低功耗的特点。它在204 - pin的印刷电路板上使用了18片512Mx8bits的DDR3低电压SDRAM（采用FBGA封装）以及一个2K bits的串行EEPROM。该模块属于双列直插式内存模块，适用于204 - pin的边缘连接器插槽。其同步设计允许通过系统时钟进行精确的周期控制，数据I/O事务可以在DQS的两个边缘进行，操作频率范围和可编程延迟使该设备适用于各种高带宽、高性能的内存系统应用。

产品特性

环保与标准兼容性

• RoHS合规：符合RoHS标准，体现了产品在环保方面的考虑，减少了对环境的影响。
• 电源标准：支持JEDEC标准的1.35V（1.28V ~ 1.45V）和1.5V（1.425V ~ 1.575V）电源供应，VDDQ也能在相应电压范围内工作，为不同的系统需求提供了灵活性。

性能参数

• 时钟频率：时钟频率为800MHZ，数据传输速率可达1600MT/s，能够满足高速数据处理的需求。
• 可编程延迟：具有可编程的CAS Latency（6、7、8、9、10、11）、Additive Latency（0、CL - 2或CL - 1时钟）以及/CAS Write Latency（CWL = 8，适用于DDR3 - 1600），用户可以根据具体的应用场景进行优化设置。
• 预取与突发长度：支持8位预取和突发长度为4或8的数据传输，有助于提高数据传输效率。
• 数据传输特性：具备双向差分数据选通（Bi - directional Differential Data - Strobe）功能，通过ZQ引脚进行内部校准，ODT引脚实现片上终端，EEPROM实现串行存在检测，还有异步复位功能，保证了数据传输的准确性和稳定性。

引脚信息

引脚功能

Symbol	Function
A0~A15, BA0~BA2	Address/Bank input
DQ0~DQ63	Bi - direction data bus.
DQS0~DQS7	Data strobes
/DQS0~/DQS7	Differential Data strobes
CK0, /CK0,CK1, /CK1	Clock Input. (Differential pair)
CKE0, CKE1	Clock Enable Input.
ODT0, ODT1	On - die termination control line
/S0, /S1	DIMM rank select lines.
/RAS	Row address strobe
/CAS	Column address strobe
/WE	Write Enable
DM0~DM7	Data masks/high data strobes
VDD	Core power supply
VDDQ	I/O driver power supply
VREF DQ	DQ reference supply
VREF CA	Command/address reference supply
VDD SPD	SPD EEPROM power supply
SA0~SA1	I2C serial bus address select for EEPROM
SCL	I2C serial bus clock for EEPROM
SDA	I2C serial bus data for EEPROM
VSS	Ground
/RESET	Set DRAMs Known State
VTT	DRAM I/O termination supply
NC	No Connection

引脚分配

详细的引脚分配表为工程师在设计电路时提供了精确的指导，确保与其他组件的正确连接。

Pin No	Pin Name	Pin No	Pin Name	Pin No	Pin Name	Pin No	Pin Name	Pin No	Pin Name	Pin No	Pin Name
01	VREFDQ	41	VSS	81	CB2	121	/WE	161	DQ43	201	SA1
02	VSS	42	DQ21	82	CB7	122	/RAS	162	DQ47	202	SCL
03	VSS	43	/DQS2	83	CB3	123	VDD	163	VSS	203	VTT
04	DQ4	44	DM2	84	VREFCA	124	VDD	164	VSS	204	VTT
05	DQ0	45	DQS2	85	VDD	125	/CAS	165	DQ48
06	DQ5	46	VSS	86	VDD	126	ODT0	166	DQ52
07	DQ1	47	VSS	87	CKE0	127	/CS0	167	DQ49
08	VSS	48	DQ22	88	A15	128	ODT1	168	DQ53
09 10	VSS	49 50	DQ18	89 90	CKE1	129 130	/CS1	169 170	VSS
11	/DQS0 DM0	51	DQ23 DQ19	91	A14 BA2	131	A13 VDD	171	VSS /DQS6
12	DQS0	52	VSS	92	A9	132	VDD	172	DM6
13	DQ2	53	VSS	93	VDD	133	DQ32	173	DQS6
14	VSS	54	DQ28	94	VDD	134	DQ36	174	DQ54
15	DQ3	55	DQ24	95	A12/BC#	135	DQ33	175	VSS
16	DQ6	56	DQ29	96	A11	136	DQ37	176	DQ55
17	VSS	57	DQ25	97	A8	137	VSS	177	DQ50
18	DQ7	58	VSS	98	A7	138	VSS	178	VSS
19	DQ8	59	DM3	99	A5	139	/DQS4	179	DQ51
20	VSS	60	/DQS3	100	A6	140	DM4	180	DQ60
21	DQ9	61	VSS	101	VDD	141	DQS4	181	VSS
22	DQ12	62	DQS3	102	VDD	142	DQ38	182	DQ61
23	VSS	63	DQ26	103	A3	143	VSS	183	DQ56
24	DQ13	64	VSS	104	A4	144	DQ39	184	VSS
25	/DQS1	65	DQ27	105	A1	145	DQ34	185	DQ57
26	VSS	66	DQ30	106	A2	146	VSS	186	/DQS7
27	DQS1	67	VSS	107	A0	147	DQ35	187	VSS
28	DM1	68	DQ31	108	BA1	148	DQ44	188	DQS7
29	VSS	69	CB0	109	VDD	149	VSS	189	DM7
30	/RESET	70	VSS	110	VDD	150	DQ45	190	VSS
31	DQ10	71	CB1	111	CK0	151	DQ40	191	DQ58
32	VSS	72	CB4	112	CK1	152	VSS	192	DQ62
33	DQ11	73	VSS	113	/CK0	153	DQ41	193	DQ59
34	DQ14	74	CB5	114	/CK1	154	/DQS5	194	DQ63
35	VSS	75	/DQS8	115	VDD	155	VSS	195	VSS
36	DQ15	76	DM8	116	VDD	156	DQS5	196	VSS
37	DQ16	77	DQS8	117	A10/AP	157	DM5	197	SA0
38	VSS	78	VSS	118	NC	158	VSS	198	/EVENT
39	DQ17	79	VSS	119	BA0	159	DQ42	199	VDDSPD
40	DQ20	80	CB6	120	NC	160	DQ46	200	SDA

需要注意的是，/S1、ODT1、CKE用于双列UDIMMs；单排UDIMMs上为NC。CK1和/CK1用于双列UDIMMs；单排UDIMMs上不使用但需进行终端处理。

工作条件

温度条件

• 工作温度：TOPER为0至85°C，这里的工作温度是指DRAM中心/顶部的外壳表面温度，测量条件需参考JESD51 - 2标准。
• 存储温度：TSTG为 - 55至 + 100°C，同样是DRAM中心/顶部的外壳表面温度，测量条件参考JESD51 - 2标准。

电气条件

• 绝对最大直流额定值：VDD、VDDQ和任何引脚相对于Vss的电压范围为 - 0.4至1.975V，超过这些“绝对最大额定值”可能会对设备造成永久性损坏。
• 推荐直流工作条件：详细规定了VDD、VDDQ、VREFDQ(DC)、VREF CA(DC)等参数的电压范围，同时需注意VDDQ必须小于或等于VDD，VDDQ与VDD相关联，AC参数测量时VDD和VDDQ需连接在一起，VREF上的峰 - 峰交流噪声偏差不能超过VREF(DC)的 +/- 1% VDD。

电流规格

文档中详细列出了不同工作模式下的电流参数，如IDD0（一个银行激活 - 预充电电流）、IDD1（一个银行激活 - 读取 - 预充电电流）等，这些参数对于评估模块的功耗和设计电源供应具有重要意义。

Parameter	Symbol	DDR3 1600 CL11	Unit
Operating One bank Active - Precharge current; tCK = tCK(IDD), tRC = tRC(IDD), tRAS = tRASmin(IDD); CKE is HIGH, /CS is HIGH between valid commands;Address bus inputs are SWITCHING; Data bus inputs are SWITCHING	IDD0	657	mA
Operating One bank Active - read - Precharge current; IOUT = 0mA; BL = 8, CL = CL(IDD), AL = 0; tCK = tCK(IDD), tRC = tRC (IDD), tRAS = tRASmin(IDD), tRCD = tRCD(IDD); CKE is HIGH, /CS is HIGH between valid commands; Address bus inputs are SWITCHING; Data pattern is same as IDD4W	IDD1	756	mA
Precharge power - down current ; All banks idle; tCK = tCK(IDD); CKE is LOW; Other control and address bus inputs are STABLE; Data bus inputs are FLOATING	IDD2P	324	mA
Precharge quiet standby current; All banks idle; tCK = tCK(IDD); CKE is HIGH, /CS is HIGH; Other control and address bus inputs are STABLE; Data bus inputs are FLOATING	IDD2Q	576	mA
Precharge standby current; All banks idle; tCK = tCK(IDD); CKE is HIGH, /CS is HIGH; Other control and address bus inputs are SWITCHING; Data bus inputs are SWITCHING	IDD2N	576	mA
Active power - down current; All banks open; tCK = tCK(IDD); CKE is LOW; Other control and address bus inputs are STABLE; Data bus inputs are FLOATING	IDD3P	684	mA
Active standby current; All banks open; tCK = tCK(IDD), tRAS = tRASmax(IDD), tRP = tRP(IDD); CKE is HIGH, /CS is HIGH between valid commands; Other control and address bus inputs are SWITCHING; Data bus inputs are SWITCHING	IDD3N	684	mA
Operating burst read current; All banks open, Continuous burst reads, IOUT = 0mA; BL = 4, CL = CL(IDD), AL = 0; tCK = tCK(IDD), tRAS = tRASmax(IDD), tRP = tRP(IDD); CKE is HIGH, /CS is HIGH between valid commands; Address bus inputs are SWITCHING; Data pattern is same as IDD4W	IDD4R	1575	mA
Operating burst write current; All banks open, Continuous burst writes; BL = 8, CL = CL(IDD), AL = 0; tCK = tCK(IDD), tRAS = tRASmax(IDD), tRP = tRP(IDD); CKE is HIGH, /CS is HIGH between valid commands