深入解析NRVTS30120MFS肖特基势垒整流器

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描述

深入解析NRVTS30120MFS肖特基势垒整流器

在电子设计领域,整流器是不可或缺的元件,尤其是在需要高效电源转换的应用中。今天,我们来详细探讨ON Semiconductor(现onsemi)推出的NRVTS30120MFS肖特基势垒整流器,看看它有哪些独特的特性和应用场景。

文件下载:NRVTS30120MFS-D.PDF

产品概述

NRVTS30120MFS是一款基于沟槽技术的高性能肖特基整流器,采用SO - 8 FL封装。这种封装不仅提供了出色的热性能,还减少了电路板的占用面积,同时具有较低的外形高度。该整流器具有较低的正向电压降、较小的高温漏电流和小的结电容,非常适合高开关频率、高密度的DC - DC转换应用。此外,它还具备较高的雪崩能量能力,可用于Oring或反向保护应用。

产品特性

电气特性优越

  • 低正向电压降:这一特性有助于降低功率损耗,提高电源转换效率。例如,在不同的电流和温度条件下,正向电压表现良好。当(I{F}=15A),(T{J}=25^{circ}C)时,典型正向电压为(0.65V);当(I{F}=30A),(T{J}=125^{circ}C)时,典型正向电压为(0.67V)。
  • 高温低漏电流:在高温环境下,漏电流控制在较低水平。当(V{R}=)额定直流电压,(T{J}=125^{circ}C)时,漏电流最大为(40mA),这有助于减少不必要的功率损耗和发热。
  • 小结电容:结电容(C{J})((V{R}=1V),(T_{J}=25^{circ}C),(f = 1MHz))为(1470pF),适合高开关频率应用,能有效减少开关损耗。

高雪崩能量能力

该整流器具有较高的雪崩能量能力,非重复雪崩能量((T_{J}=25^{circ}C))为(350mJ),这使得它在Oring或反向保护应用中表现出色,能够承受一定的冲击和浪涌。

宽温度范围

其工作结温范围为(-55)至(+175^{circ}C),存储温度范围为(-65)至(+175^{circ}C),能够适应较为恶劣的工作环境。

封装优势

  • 小尺寸:占地面积仅为(31.2mm^{2}),有助于节省电路板空间。
  • 低外形:最大高度为(1.1mm),适合对高度有要求的应用。
  • 良好的热性能:热阻参数表现良好,如结到环境的热阻(R{UA})为(56^{circ}C/W),结到壳底部的热阻(R{BCB})为(0.71^{circ}C/W)等,能够有效散热,保证器件的稳定性。

汽车级标准

NRVTS前缀适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用,符合AEC - Q101标准,具备PPAP能力,并且是无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准的产品。

应用场景

高开关频率DC/DC转换器

由于其低正向电压降、小结电容和高开关频率特性,NRVTS30120MFS非常适合用于高开关频率的DC/DC转换器,能够提高转换效率,减少功率损耗。

二次整流

在电源电路中作为二次整流元件,能够有效提高整流效率,改善电源质量。

续流二极管

与感性负载配合使用时,作为续流二极管,能够保护电路免受感性负载产生的反向电动势的影响。

Oring/反向保护

其高雪崩能量能力使其能够用于Oring或反向保护应用,保护电路免受反向电流和浪涌的损害。

最大额定值和热特性

最大额定值

额定值 符号 单位
峰值重复反向电压、工作峰值反向电压、直流阻断电压 (V{RRM})、(V{RWM})、(V_{R}) 120 V
连续正向电流((T_{C}=162^{circ}C),DC) (I_{F(DC)}) 30 A
峰值重复正向电流((T_{C}=159^{circ}C),方波,占空比(=0.5)) (I_{FRM}) 60 A
非重复峰值浪涌电流(正弦半波,8.3ms) (I_{FSM}) 300 A
非重复峰值浪涌电流(方波,1ms) 370 A
非重复峰值浪涌电流(方波,100us) 650 A
非重复雪崩能量((T_{J}=25^{circ}C)) (E_{AS}) 350 mJ
存储温度范围 (T_{stg}) -65 至 +175 °C
工作结温范围 (T_{J}) -55 至 +175 °C
ESD额定值(人体模型) 38
ESD额定值(机器模型) M4

热特性

特性 符号 最大值 单位
结到环境的热阻 (R_{UA}) 56 °C/W
结到壳底部的热阻 (R_{BCB}) 0.71 °C/W
结到壳顶部的热特性 (R_{JCT}) 3.8 °C/W
结到阴极引脚的热特性 (R_{JLC}) 1.6 °C/W

需要注意的是,应力超过最大额定值表中列出的值可能会损坏器件。同时,热产生必须小于结到环境的热导率((dP{D}/dT{J}<1/R_{AJA}))。

封装尺寸

该整流器采用SO - 8 FL封装,具体尺寸如下: 尺寸 最小值 标称值 最大值
A 0.90 1.00 1.10
A1 0.00 0.05
b 0.33 0.41 0.51
C 0.23 0.28 0.33
D 5.00 5.15 5.30
D1 4.70 4.90 5.10
D2 3.80 4.00 4.20
E 6.00 6.15 6.30
E1 5.70 5.90 6.10
E2 3.45 3.65 3.85
e 1.27BSC
G 0.51 0.575 0.71
K 1.20 1.35 1.50
0.51 0.575 0.71
L1 0.125 REF
M 3.00 3.40 3.80
O 0 12°

总结

NRVTS30120MFS肖特基势垒整流器凭借其优越的电气特性、高雪崩能量能力、宽温度范围、小尺寸封装等优势,在高开关频率DC/DC转换、二次整流、续流二极管、Oring/反向保护等应用中具有很大的优势。电子工程师在设计相关电路时,可以考虑这款整流器,以提高电路的性能和可靠性。但在实际应用中,仍需根据具体的设计要求和工作条件,对器件的参数进行验证和调整。你在使用类似整流器时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。

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