安森美MBR1H100SFT3G和NRVB1H100SFT3G肖特基功率整流器深度解析

一、引言

在电子设计领域，肖特基功率整流器是不可或缺的关键元件，广泛应用于各种电路中。安森美（onsemi）推出的MBR1H100SFT3G和NRVB1H100SFT3G肖特基功率整流器，凭借其卓越的性能和特性，在市场上占据了重要地位。本文将对这两款产品进行详细解析，帮助电子工程师更好地了解和应用它们。

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二、产品概述

MBR1H100SFT3G和NRVB1H100SFT3G采用肖特基势垒原理，使用大面积金属 - 硅功率二极管。它们非常适合低电压、高频整流，也可作为续流和极性保护二极管，尤其适用于对尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用。其小巧的尺寸使其在便携式和电池供电产品中表现出色，如手机、充电器、笔记本电脑、打印机、个人数字助理（PDA）和PCMCIA卡等。典型应用包括AC - DC和DC - DC转换器、电池反接保护以及多电源电压的“Oring”应用等。

三、产品特性

（一）保护特性

1. 应力保护：设有保护环，可有效保护器件免受应力影响，提高其可靠性和稳定性。
2. 静电放电（ESD）保护：具有良好的ESD评级，机器模型和人体模型分别达到一定标准，其中人体模型为3B级，能有效抵抗静电干扰。

（二）电气特性

1. 低正向电压：正向电压较低，可降低功耗，提高电路效率。在不同的电流和温度条件下，正向电压表现如下：
   • 当 (I{F}=1.0 A)，(T{J}=25^{circ} C) 时，最大瞬时正向电压 (V_{F}=0.76V)；
   • 当 (I{F}=2.0 A)，(T{J}=25^{circ} C) 时，(V_{F}=0.84V)；
   • 当 (I{F}=1.0 A)，(T{J}=125^{circ} C) 时，(V_{F}=0.61V)；
   • 当 (I{F}=2.0 A)，(T{J}=125^{circ} C) 时，(V_{F}=0.68V)。
2. 低反向电流：最大瞬时反向电流在不同温度下有不同表现，在额定直流电压下，(T{J}=25^{circ} C) 时为 (40mu A)，(T{J}=125^{circ} C) 时为 (0.5mA)。

（三）温度特性

1. 高工作结温：能够在高达 (175^{circ} C) 的结温下正常工作，适应各种恶劣的工作环境。
2. 良好的热阻特性：
   • 结到引脚的热阻 (Psi_{JCL}=23^{circ}C/W)；
   • 结到环境的热阻在不同条件下有所不同，当采用 (700mm^{2}) 铜焊盘尺寸（约 (1in^{2})）的1盎司FR4板时，(R{BA}=85^{circ}C/W)；当采用约 (20mmtimes20mm^{2}) 铜焊盘尺寸的1盎司FR4板时，(R{UA}=330^{circ}C/W)。

（四）其他特性

1. 环保特性：这些器件为无铅、无卤素/BFR免费产品，符合RoHS标准，满足环保要求。
2. 封装特性：采用SOD - 123FL封装，该封装专为优化自动化电路板组装而设计，方便生产制造。同时，其环氧树脂符合UL 94 V - 0标准，具有良好的阻燃性能。

四、产品参数

（一）最大额定值

额定值	符号	值	单位
峰值重复反向电压、工作峰值反向电压、直流阻断电压	(V{RRM})、(V{RWM})、(V_{R})	100	V
平均整流正向电流（(T_{L}=162^{circ} C)）	(I_{O})	1.0	A
非重复峰值浪涌电流（在额定负载条件下施加浪涌，半波、单相、60Hz）	(I_{FSM})	50	A
存储和工作结温范围	(T{stg})、(T{J})	-65 至 +175	(^{circ} C)

（二）电气特性

特性	符号	值	单位
最大瞬时正向电压	(V_{F})		V
((I{F}=1.0 A)，(T{J}=25^{circ} C))		0.76
((I{F}=2.0 A)，(T{J}=25^{circ} C))		0.84
((I{F}=1.0 A)，(T{J}=125^{circ} C))		0.61
((I{F}=2.0 A)，(T{J}=125^{circ} C))		0.68
最大瞬时反向电流	(I_{R})
（额定直流电压，(T_{J}=25^{circ} C)）		40	(mu A)
（额定直流电压，(T_{J}=125^{circ} C)）		0.5	mA

五、封装与订购信息

（一）封装尺寸

采用SOD - 123FL封装，具体尺寸如下：	尺寸	最小值	标称值	最大值
(A)		0.90	0.95
(A1)	0.00		0.10
(A2)	0.85	0.90	0.95
(b)	0.70	0.90
(C)	0.10	0.15	0.20
(D)	1.50	1.65
(E)	2.50	2.70	2.90
(E1)	1.70	2.10	2.50
(L)	0.55	0.75	0.95
(theta)	0°

（二）订购信息

器件	封装	包装方式
MBR1H100SFT3G	SOD - 123（无铅）	10000/卷带盘
NRVB1H100SFT3G	SOD - 123（无铅）	10000/卷带盘

六、典型特性曲线

产品提供了一系列典型特性曲线，包括典型正向电压、最大正向电压、典型反向电流、最大反向电流、电流降额、正向功率耗散、电容以及热响应等曲线。这些曲线能够帮助工程师更好地了解产品在不同条件下的性能表现，从而进行合理的电路设计。

七、总结与思考

安森美MBR1H100SFT3G和NRVB1H100SFT3G肖特基功率整流器以其出色的性能和特性，为电子工程师在设计低电压、高频电路时提供了一个优秀的选择。其低正向电压、高工作结温、良好的ESD保护和环保特性等，使其在众多应用场景中具有很大的优势。然而，在实际应用中，工程师还需要根据具体的电路需求和工作条件，合理选择和使用这些器件，同时要注意其最大额定值和热特性等参数，以确保电路的可靠性和稳定性。大家在使用这两款产品时，有没有遇到过什么特别的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。