EPC9006开发板：EPC2007 eGaN FET快速评估指南

在电子工程领域，高效的功率转换器件对于各类电路设计至关重要。EPC9006开发板作为一款专门用于评估EPC2007增强模式（eGaN®）场效应晶体管（FET）的工具，为工程师们提供了便捷的测试平台。下面将详细介绍这款开发板的特点、性能参数、使用步骤以及相关注意事项。

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开发板概述

EPC9006开发板是一款最大器件电压为100V、最大输出电流为5A的半桥电路，板载栅极驱动器，采用了EPC2007 eGaN FET。其设计目的在于简化EPC2007 eGaN FET的评估过程，将所有关键组件集成在一块2” x 1.5”的电路板上，方便连接到任何现有的转换器中。

性能参数

SYMBOL	PARAMETER	CONDITIONS	MIN	MAX	UNITS
V DD	Gate Drive Input Supply Range		7	12	V
V IN	Bus Input Voltage Range			70*	V
V OUT	Switch Node Output Voltage			100	V
I OUT	Switch Node Output Current			5*	A
V PWM	PWM Logic Input Voltage Threshold	Input ‘High’ Input ‘Low’	3.5 0	6 1.5	V V
Minimum ‘High’ State Input Pulse Width	V PWM rise and fall time < 10ns	30		ns
Minimum ‘Low’ State Input Pulse Width	V PWM rise and fall time < 10ns	100 #		ns

注：*假设为电感负载，最大电流取决于管芯温度，实际最大电流受开关频率、母线电压和热条件影响。#受高端自举电源电压“刷新”所需时间限制。

快速启动步骤

开发板EPC9006易于设置，可用于评估EPC2007 eGaN FET的性能。以下是具体的连接和测量设置步骤：

1. 电源连接：在电源关闭的情况下，将输入电源总线连接到 +VIN (J5, J6)，将接地/返回连接到 –VIN (J7, J8)。
2. 半桥开关节点连接：同样在电源关闭时，将半桥的开关节点OUT (J3, J4) 按要求连接到您的电路。
3. 栅极驱动输入连接：关闭电源，将栅极驱动输入连接到 +VDD (J1, Pin - 1)，接地返回连接到 –VDD (J1, Pin - 2)。
4. PWM控制信号连接：关闭电源，将输入PWM控制信号连接到PWM (J2, Pin - 1)，接地返回连接到J2的其余任意引脚。
5. 开启栅极驱动电源：确保电源在7V至12V范围内。
6. 开启母线电压：将母线电压调节到所需值，但不要超过VOUT的绝对最大电压100V。
7. 开启控制器/PWM输入源：探测开关节点，观察开关操作。
8. 参数调整：设备正常运行后，在工作范围内调整母线电压和负载PWM控制，观察输出开关行为、效率和其他参数。
9. 关机操作：关机时，请按上述步骤反向操作。

测量注意事项

在测量高频内容的开关节点（OUT）时，必须注意避免使用过长的接地引线。应将示波器探头尖端通过开关节点上的大过孔（为此目的设计）进行测量，并将探头直接接地到提供的GND端子。具体的示波器探头技术可参考图3。同时，切勿让探头尖端接触低端管芯。

热管理考虑

EPC9006开发板采用了EPC2007 eGaN FET，尽管其电气性能优于传统的硅器件，但相对较小的尺寸也增加了热管理的要求。该开发板适用于在低环境温度和对流冷却条件下进行台架评估。添加散热片和强制风冷可以显著提高这些器件的电流额定值，但必须注意不要超过管芯的绝对最高温度125°C。

保护注意事项

需要注意的是，EPC9006开发板板载没有任何电流或热保护装置。

物料清单

开发板的物料清单如下：	Item	Qty	Reference	Part Description	Manufacturer / Part #
1	4	C4, C10, C11, C13	Capacitor, 1uF, 10%, 25V, X5R	Murata, GRM188R61E105KA12D
2	2	C6, C7	Capacitor, 100pF, 5%, 50V, NP0	TDK, C1608C0G1H101J
3	1	C12	Capacitor, 0.1uF, 10%, 25V, X5R	TDK, C1608X5R1E104K
4	2	C16, C17	Capacitor, 2.2uF, 10%, 100V, X5R	Taiyo Yuden, HMK325B7225K
5	2	D1, D2	Schottky Diode, 30V	Diodes Inc., SDM03U40 - 7
6	4	J1, J2, J9, TP3 (See Note 1)	Connector	FCI, 68001 - 236HLF
7	1	J3, J4, J5, J6, J7, J8	Connector	FCI, 68602 - 224HLF
8	2	Q1, Q2	eGaN® FET	EPC, EPC2007
9	1	R1	Resistor, 10.0K, 5%, 1/8W	Stackpole, RMCF0603FT10K0
10	2	R2, R15	Resistor, 0 Ohm, 1/10W	Panasonic, ERJ - 3GEY0R00V
11	1	R4	Resistor, 22 Ohm, 1%, 1/8W	Stackpole, RMCF0603FT22R0
12	1	R5	Resistor, 47 Ohm, 1%, 1/8W	Stackpole, RMCF0603FT47R0
13	2	R11, R12	Resistor, 0 Ohm, 1/8W	Stackpole, RMCF0603ZT0R00
14	2	TP1, TP2	Test Point	Keystone Elect, 5015
15	1	TP3	Connector	1 pin of Tyco, 4 - 103185 - 0
16	1	U1	I.C., Logic	Fairchild, NC7SZ00L6X
17	1	U2	I.C., Gate driver	Texas Instruments, LM5113
18	1	U3	I.C., Regulator	Microchip, MCP1703T - 5002E/MC
19	1	U4	I.C., Logic	Fairchild, NC7SZ08L6X
20	0	R13, R14	Optional Resistor
21	0	C15, C19	Optional Capacitor
22	0	D5, D6	Optional Diode
23	0	P1, P2	Optional Potentiometer

注1：36针插头按以下方式切割：J1: 切割2针使用；J2 & J9: 切割4针使用；TP3: 切割1针使用。

开发板使用限制

EPC9006开发板仅用于产品评估目的，不用于商业用途。作为评估工具，它未设计为符合欧盟电磁兼容性指令或任何其他此类指令或法规。由于电路板的构建有时受产品供应情况影响，电路板可能包含不符合RoHS标准的组件或组装材料。EPC不保证所购买的电路板100%符合RoHS标准。此外，EPC不承担应用协助、客户产品设计、软件性能或任何专利或其他知识产权侵权的责任，并且有权随时更改电路和规格而不另行通知。

综上所述，EPC9006开发板为工程师们提供了一个便捷的平台来评估EPC2007 eGaN FET的性能，但在使用过程中需要注意上述各项事项。你在使用这款开发板时是否遇到过什么问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。