EPC9006C开发板快速上手：开启EPC2007C eGaN FET评估之旅

在电子工程领域，高效的功率转换一直是追求的目标。EPC（Efficient Power Conversion）推出的EPC9006C开发板，为评估EPC2007C增强型氮化镓（eGaN®）场效应晶体管（FET）的性能提供了一个便捷的平台。今天，我们就来深入了解一下这款开发板。

文件下载：EPC9006C.pdf

开发板概述

EPC9006C开发板是一款最大器件电压为100 V、最大输出电流为7 A的半桥电路，板载栅极驱动器，采用了EPC2007C eGaN FET。其设计目的是简化EPC2007C eGaN FET的评估过程，将所有关键组件集成在一块2” x 1.5”的电路板上，方便连接到任何现有的转换器中。

开发板包含两个EPC2007C eGaN FET，采用半桥配置，使用德州仪器的LM5113栅极驱动器、电源和旁路电容。电路板上的布局经过精心设计，以实现最佳的开关性能。此外，板上还设有多个探测点，便于进行简单的波形测量和效率计算。

性能参数

符号	参数	条件	最小值	最大值	单位
VDD	栅极驱动输入电源范围		7	12	V
VIN	总线输入电压范围			80*	V
VOUT	开关节点输出电压			100	V
IOUT	开关节点输出电流			7*	A
VPWM	PWM逻辑输入电压阈值（高电平/低电平）		3.5 / 0	6 / 1.5	V
	最小高电平输入脉冲宽度	VPWM 上升和下降时间 < 10 ns	50		ns
	最小低电平输入脉冲宽度	VPWM 上升和下降时间 < 10 ns	100#		ns

• 假设为电感负载，最大电流取决于管芯温度，实际最大电流将受开关频率、总线电压和热条件的影响。

  受高端自举电源电压“刷新”所需时间的限制。

更多关于EPC2007C eGaN FET的信息，请参考EPC官网（www.epc-co.com）上的 datasheet，建议将其与本快速入门指南结合阅读。

快速上手步骤

EPC9006C开发板的设置非常简单，按照以下步骤操作，即可开始评估EPC2007C eGaN FET的性能：

1. 电源关闭状态下连接输入电源：将输入电源总线连接到 +V_IN（J5、J6），将接地/返回端连接到 -V_IN（J7、J8）。
2. 连接半桥开关节点：根据需要，将半桥的开关节点OUT（J3、J4）连接到您的电路中。
3. 连接栅极驱动电源：将栅极驱动电源连接到 +V_DD（J1，引脚 1），将接地返回端连接到 -V_DD（J1，引脚 2）。
4. 连接PWM控制信号：将输入PWM控制信号连接到PWM（J2，引脚 1），将接地返回端连接到J2的任意剩余引脚。
5. 开启栅极驱动电源：确保电源电压在7 V至12 V的范围内。
6. 开启控制器/PWM输入。
7. 开启总线电压电源：从0开始，将电压调整到所需值（不要超过V_OUT的绝对最大电压100 V），探测开关节点以观察开关操作。
8. 调整参数并观察：在操作过程中，在工作范围内调整总线电压和负载PWM控制，观察输出开关行为、效率和其他参数。
9. 关机：按照上述步骤的相反顺序进行操作。

注意：在测量高频内容的开关节点（OUT）时，要注意避免使用过长的接地引线。应将示波器探头尖端穿过开关节点上的大过孔（为此目的而设计）进行测量，并将探头直接接地到提供的GND端子上。

热管理考虑

虽然EPC2007C eGaN FET的电气性能优于传统硅器件，但由于其尺寸相对较小，对热管理的要求更高。EPC9006C开发板适用于在低环境温度和对流冷却条件下进行台式评估。添加散热片和强制风冷可以显著提高这些器件的电流额定值，但要注意不要超过管芯的绝对最大结温150°C。

需要注意的是，EPC9006C开发板上没有任何电流或热保护功能。

物料清单

以下是EPC9006C开发板的物料清单：	项目	数量	参考编号	部件描述	制造商	部件编号
1	3	C4, C10, C11	电容，1µF，10%，25 V，X5R	Murata	GRM188R61E105KA12D
2	2	C16, C17	电容，100 pF，5%，50 V，NP0	Kemet	C0402C101K5GACTU
3	2	C9, C19	电容，0.1 µF，10%，25 V，X5R	TDK	C1005X5R1E104K
4	3	C21, C22, C23	电容，1 µF，10%，100 V，X7R	TDK	CGA4J3X7S2A105K125AE
5	2	D1, D2	肖特基二极管，30 V	Diodes Inc.	SDM03U40-7
6	3	J1, J2, J9	连接器	2针Tyco	4-103185-0
7	1	J3, J4, J5, J6, J7, J8	连接器	FCI	68602-224HLF
8	2	Q1, Q2	eGaN® FET	EPC	EPC2007C
9	1	R1	电阻，10.0 K，5%，1/8 W	Stackpole	RMCF0603FT10K0
10	2	R2, R15	电阻，0 Ω，1/8 W	Stackpole	RMCF0603ZT0R00
11	1	R4	电阻，22 Ω，1%，1/8 W	Stackpole	RMCF0603FT22R0
12	1	R5	电阻，47 Ω，1%，1/8 W	Stackpole	RMCF0603FT47R0
13	6	R19, R20, R23, R24	电阻，0 Ω，1/16 W	Stackpole	RMCF0402ZT0R00
14	2	TP1, TP2	测试点	Keystone Elect	5015
15	1	TP3	连接器	1/40针Tyco	4-103185-0
16	1	U1	集成电路，逻辑	Fairchild	NC7SZ00L6X
17	1	U2	集成电路，栅极驱动器	Texas Instruments	LM5113TME
18	1	U3	集成电路，稳压器	Microchip	MCP1703T-5002E/MC
19	1	U4	集成电路，逻辑	Fairchild	NC7SZ08L6X
20	0	R14	可选电阻
21	0	D3	可选二极管
22	0	P1, P2	可选电位器

注意事项

EPC9006C开发板仅用于产品评估目的，不适合商业使用。作为评估工具，它未设计为符合欧盟电磁兼容性指令或任何其他类似指令或法规。由于电路板的构建有时会受到产品供应的影响，因此电路板可能包含不符合RoHS标准的组件或组装材料。EPC不保证所购买的电路板100%符合RoHS标准。此外，EPC不对应用协助、客户产品设计、软件性能或任何专利或其他知识产权的侵权行为承担责任。EPC保留随时更改电路和规格的权利，恕不另行通知。

如果你对EPC9006C开发板或EPC2007C eGaN FET还有其他疑问，可以联系[e-mail]或当地销售代表，也可以访问EPC官网（www.epc-co.com）获取更多信息。同时，你还可以通过bit.ly/EPCupdates注册接收EPC的更新信息，或发送短信“EPC”到22828。EPC产品通过Digi-Key进行分销，你可以访问www.digikey.com了解更多。

那么，你在使用类似开发板进行评估时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。