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作为电子工程师,在功率转换领域不断探索高效且可靠的解决方案是我们的日常工作。今天要给大家介绍的EPC9010开发板,它能帮助我们轻松评估EPC2016增强模式(eGaN®)场效应晶体管(FET)的性能。下面将为大家详细讲解这款开发板的特点、性能参数、快速启动步骤、热管理注意事项以及物料清单等内容。
文件下载:EPC9010.pdf
EPC9010开发板是一款最大器件电压为100V、最大输出电流为7A的半桥开发板,板载栅极驱动器,采用了EPC2016 eGaN FET。其设计目的是简化EPC2016 eGaN FET的评估过程,将所有关键组件集成在一块电路板上,方便连接到任何现有的转换器中。开发板尺寸为2” x 1.5”,采用德州仪器的LM5113栅极驱动器、电源和旁路电容,包含两个EPC2016 eGaN FET,以半桥配置排列。此外,板上还有各种探测点,便于进行简单的波形测量和效率计算。
EPC9010开发板的设置非常简单,按照以下步骤操作即可开始评估EPC2016 eGaN FET的性能:
虽然EPC2016 eGaN FET的电气性能优于传统硅器件,但由于其尺寸相对较小,对热管理的要求更高。EPC9010开发板适用于在低环境温度和对流冷却条件下进行台式评估。添加散热片和强制风冷可以显著提高这些器件的电流额定值,但要注意不要超过管芯的绝对最大温度125°C。需要注意的是,EPC9010开发板本身没有任何电流或热保护功能。
| 序号 | 数量 | 参考编号 | 部件描述 | 制造商/部件编号 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 4 | C4, C10, C11, C13 | 电容,1uF,10%,25V,X5R | Murata, GRM188R61E105KA12D |
| 2 | 2 | C6, C7 | 电容,100pF,5%,50V,NP0 | TDK, C1608C0G1H101J |
| 3 | 1 | C12 | 电容,0.1uF,10%,25V,X5R | TDK, C1608X5R1E104K |
| 4 | 2 | C16, C17 | 电容,2.2uF,10%,100V,X5R | Taiyo Yuden, HMK325B7225K |
| 5 | 2 | D1, D2 | 肖特基二极管,30V | Diodes Inc., SDM03U40 - 7 |
| 6 | 3 | J1, J2, J9 | 连接器 | 2引脚的Tyco, 4 - 103185 - 0 |
| 7 | 1 | J3, J4, J5, J6, J7, J8 | 连接器 | FCI, 68602 - 224HLF |
| 8 | 2 | Q1, Q2 | eGaN® FET | EPC, EPC2016 |
| 9 | 1 | R1 | 电阻,10.0K,5%,1/8W | Stackpole, RMCF0603FT10K0 |
| 10 | 2 | R2, R15 | 电阻,0欧姆,1/8W | Stackpole, RMCF0603ZT0R00 |
| 11 | 1 | R4 | 电阻,22欧姆,1%,1/8W | Stackpole, RMCF0603FT22R0 |
| 12 | 1 | R5 | 电阻,47欧姆,1%,1/8W | Stackpole, RMCF0603FT47R0 |
| 13 | 2 | R11, R12 | 电阻,0欧姆,1/8W | Stackpole, RMCF0603ZT0R00 |
| 14 | 2 | TP1, TP2 | 测试点 | Keystone Elect, 5015 |
| 15 | 1 | TP3 | 连接器 | 1/40的Tyco, 4 - 103185 - 0 |
| 16 | 1 | U1 | 集成电路,逻辑 | Fairchild, NC7SZ00L6X |
| 17 | 1 | U2 | 集成电路,栅极驱动器 | Texas Instruments, LM5113 |
| 18 | 1 | U3 | 集成电路,稳压器 | Microchip, MCP1703T - 5002E/MC |
| 19 | 1 | U4 | 集成电路,逻辑 | Fairchild, NC7SZ08L6X |
| 20 | 0 | R13, R14 | 可选电阻 | |
| 21 | 0 | C15, C19 | 可选电容 | |
| 22 | 0 | D5, D6 | 可选二极管 | |
| 23 | 0 | P1, P2 | 可选电位器 |
大家在使用EPC9010开发板进行评估时,是否遇到过一些特殊的问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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