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在电子设计领域,开发板是验证和开发新电路的重要工具。今天我们来详细了解一下EPC90146开发板,它为评估EPC2071 eGaN® FET提供了便捷的途径。
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EPC90146是一款半桥开发板,板载栅极驱动器,采用了额定电压为100 V的EPC2071 eGaN FET。其目的是简化EPC2071的评估过程,将所有关键组件集成在一块板子上,方便集成到大多数现有的转换器拓扑中。
开发板尺寸为2英寸×2英寸,包含两个半桥配置的EPC2071 eGaN FET和一个用于增强自举电源的EPC2038 GaN FET。它采用了uPI Semiconductor uP1966E栅极驱动器,板上包含所有关键组件,布局支持最佳开关性能,还有各种探测点,便于进行简单的波形测量和效率计算。
| 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 栅极驱动调节器电源范围 | 7.5 | 12 | V | ||
| VIN | 总线输入电压范围 | 80 | V | |||
| IOUT | 开关节点输出电流 | 45 | A | |||
| VPWM | PWM逻辑输入电压阈值(输入‘高’) | 3.5 | 5.5 | V | ||
| VPWM | PWM逻辑输入电压阈值(输入‘低’) | 0 | 1.5 | V | ||
| PWM ‘高’状态输入脉冲宽度 | VPWM 上升和下降时间 < 10 ns | 50 | ns | |||
| PWM ‘低’状态输入脉冲宽度 | VPWM 上升和下降时间 < 10 ns | 200 | ns |
需要注意的是,EPC2071的最大输入电压必须保持在100 V以下,最大电流取决于管芯温度,实际最大电流受开关频率、总线电压和散热条件影响。当使用板载逻辑缓冲器时,绕过逻辑缓冲器时请参考uP1966E数据手册。PWM‘低’状态输入脉冲宽度受刷新高端自举电源电压所需时间限制。
开发板上有两个PWM信号输入端口PWM1和PWM2。在双输入模式下,PWM1连接到上FET,PWM2连接到下FET;在单输入模式下,PWM1输入端口作为输入,电路将为FET生成所需的互补PWM。输入模式通过选择J630(模式选择)的适当跳线位置来设置。
死区时间是指一个FET关断到另一个FET导通之间的时间,对于该开发板,是相对于栅极驱动器的输入而言。可以通过电阻R620和R625来设置死区时间,所需电阻值可以从图4的图表中读取。推荐的最小死区时间为5 ns,最大为15 ns。
可以使用J640(旁路)上的跳线设置来旁路极性变换器和死区时间电路,直接访问栅极驱动器输入。有三种旁路选项:无旁路、死区时间旁路和完全旁路。
可以选择单PWM输入或双PWM输入,通过设置J630(模式)的跳线来选择。在单输入降压模式下,旁路跳线J640必须设置为无旁路模式;在双输入降压模式下,旁路跳线J640可以配置为任何有效设置。
同样可以选择单PWM输入或双PWM输入,通过设置J630(模式)的跳线来选择。在单输入升压模式下,旁路跳线J640必须设置为无旁路模式;在双输入升压模式下,旁路跳线J640可以配置为任何有效设置。需要注意的是,在升压转换器模式下,绝不能在无负载的情况下运行,否则输出电压可能会超过最大额定值。
在测量包含高频内容的开关节点电压时,需要注意提供准确的高速测量。开发板提供了一个可选的双针插头(J33)和一个MMCX连接器(J32)用于开关节点测量。推荐使用差分探头测量高端栅极电压(J1),Tektronix的IsoVu探头有匹配的MMCX连接器。对于使用MMCX连接器的常规无源电压探头(如TPP1000),可以使用探头适配器。
EPC90146开发板配备了三个机械垫片,可以用于轻松安装散热器或散热片。在安装散热器之前,需要移除散热片区域下厚度超过1 mm的任何组件。设计散热片时,可以使用铝或铜以获得更高的性能。选择热界面材料(TIM)时,需要考虑机械顺应性、电气绝缘性和热性能等特性。
对EPC90146的性能在表2所示的操作条件下进行了测试,测试包括测量电感电流和开关节点波形、效率和功率损耗、热性能等。通过这些测试,可以更好地了解开发板在不同条件下的性能表现。
EPC90146开发板仅用于产品评估目的,不用于商业用途,也未获得FCC批准用于转售。在更换评估板上的组件时,只能使用快速启动指南中零件清单(或物料清单)中显示的零件。使用该开发板时,请遵循适当的安全程序,由认证专业人员在实验室环境中使用,风险自负。
你在使用EPC90146开发板的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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