EPC9017开发板快速上手:开启eGaN FET评估之旅

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EPC9017开发板快速上手:开启eGaN FET评估之旅

在电力电子设计领域,高效、可靠的功率转换器件是实现高性能电源系统的关键。EPC公司的EPC9017开发板,为工程师们提供了一个便捷的平台,用于评估EPC2001增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管(FET)的性能。本文将详细介绍EPC9017开发板的特点、性能参数、快速启动步骤以及热管理注意事项,帮助工程师们快速上手。

文件下载:EPC9017.pdf

开发板概述

EPC9017开发板采用100V的EPC2001 eGaN FET,在半桥配置下可实现高达20A的最大输出电流,并集成了板载栅极驱动器。其尺寸为2” x 1.5”,采用德州仪器的LM5113栅极驱动器,半桥配置包含一个顶部器件和两个并联的底部器件,适用于高电流、低占空比的应用。该开发板集成了所有关键组件,PCB布局经过优化,以实现最佳的开关性能。同时,板上设有多个探测点,方便进行波形测量和评估eGaN FET的效率。

性能参数

输入输出参数

符号 参数 条件 最小值 最大值 单位
VDD 栅极驱动输入电源范围 7 12 V
VIN 总线输入电压范围 70* V
VOUT 开关节点输出电压 100 V
IOUT 开关节点输出电流 20* A
VPWM PWM逻辑输入电压阈值 输入‘高’ 3.5 6 V
输入‘低’ 0 1.5 V
最小‘高’状态输入脉冲宽度 VPWM 上升和下降时间 < 10ns 60 ns
最小‘低’状态输入脉冲宽度 VPWM 上升和下降时间 < 10ns 200 # ns

注:* 假设为低占空比感性负载,最大电流取决于管芯温度,实际最大电流受开关频率、总线电压和热管理影响;# 受高端自举电源电压‘刷新’所需时间限制。

关键器件及参数

开发板上的关键器件包括电容、二极管、连接器、电阻、测试点和集成电路等。例如,电容的参数涵盖了不同的容值、耐压和精度;FET采用EPC2001 eGaN FET,具有高效的开关性能。

快速启动步骤

连接电源和电路

  1. 关闭电源,将输入电源总线连接到 +VIN (J5, J6),将接地/返回连接到 –VIN (J7, J8)。
  2. 关闭电源,将半桥的开关节点 OUT (J3, J4) 连接到所需的电路。
  3. 关闭电源,将栅极驱动输入连接到 +VDD (J1, Pin - 1),将接地返回连接到 –VDD (J1, Pin - 2)。
  4. 关闭电源,将输入PWM控制信号连接到PWM (J2, Pin - 1),将接地返回连接到J2的其余引脚之一。

开启电源和控制信号

  1. 开启栅极驱动电源,确保电源电压在7V至12V范围内。
  2. 将总线电压调节到所需值(注意不要超过Vout的绝对最大电压100V)。
  3. 开启控制器/PWM输入源,探测开关节点以观察开关操作。

调整参数和观察性能

开启后,在工作范围内调整总线电压和负载PWM控制,观察输出开关行为、效率和其他参数。关机时,请按相反的步骤操作。

测量注意事项

在测量高频内容的开关节点(OUT)时,要注意避免使用长接地引线。可将示波器探头尖端穿过开关节点上的大过孔(专为测量设计),并直接在提供的GND端子上接地。

热管理考虑

虽然EPC2001 eGaN FET的电气性能优于传统硅器件,但其相对较小的尺寸增加了热管理的要求。EPC9017开发板适用于低环境温度和对流冷却的台式评估。添加散热片和强制风冷可以显著提高这些器件的电流额定值,但要注意不要超过管芯的绝对最大温度125°C。同时,该开发板板上没有任何电流或热保护。

注意事项

EPC9017开发板仅用于产品评估目的,不适合商业用途。作为评估工具,它未设计用于符合欧盟电磁兼容性指令或其他类似指令或法规。由于板卡的构建有时会受到产品供应的影响,板卡可能包含不符合RoHS标准的组件或组装材料。EPC不保证所购买的板卡100%符合RoHS标准。此外,EPC不承担应用协助、客户产品设计、软件性能或专利或任何其他知识产权侵权的责任,并保留随时更改电路和规格的权利。

你在使用EPC9017开发板的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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