电子说
在电子工程领域,高效的功率转换一直是我们追求的目标。今天,我们将深入了解EPC9037开发板,它搭载了EPC2101 eGaNIC(增强型氮化镓集成电路),为我们提供了一个便捷的平台来评估这种先进的功率器件。
文件下载:EPC9037.pdf
EPC9037开发板采用单片半桥拓扑结构,板载栅极驱动器,其核心是EPC2101 eGaNIC。它的设计目的是简化对这些单片集成eGaN FET的评估过程,将所有关键组件集成在一块2” x 2”的电路板上,方便连接到任何现有的转换器中。
开发板使用德州仪器的LM5113栅极驱动器、电源和旁路电容,包含了实现最佳开关性能所需的所有关键组件和布局,并且还预留了额外的空间用于添加降压输出滤波组件。此外,板上还有各种探测点,便于进行简单的波形测量和效率计算。
 图1展示了开发板的完整电路框图。如果你想了解更多关于EPC2101 eGaNIC的信息,可以参考EPC官网(www.epc-co.com)上的 datasheet,建议将其与本快速入门指南结合阅读。
在测量高频内容的开关节点(OUT)时,要特别注意避免使用过长的接地引线。正确的测量方法是将示波器探头尖端通过开关节点上的大过孔(为此目的设计),并将探头直接接地到提供的GND端子上。图3展示了正确的示波器探头技术。
| Symbol | Parameter | Conditions | Min | Max | Units |
|---|---|---|---|---|---|
| V DD | Gate Drive Input Supply Range | 7 | 12 | V | |
| V IN | Bus Input Voltage Range | 48 * | V | ||
| V OUT | Switch Node Output Voltage | 60 * | V | ||
| I OUT | Switch Node Output Current | 22** | A | ||
| V PWM | PWM Logic Input Voltage | Input ‘High’ | 3.5 | 6 | V |
| Input ‘Low’ | 0 | 1.5 | V | ||
| Minimum ‘High’ State Input Pulse Width | V PWM rise and fall time < 10ns | 50 | ns | ||
| Minimum ‘Low’ State Input Pulse Width | V PWM rise and fall time < 10ns | 100# | ns |
需要注意的是,最大输入电压取决于电感负载,最大电流取决于管芯温度,实际最大电流会受到开关频率、总线电压和热冷却的影响。对称eGaN适用于50%占空比或低降压比应用,最小‘低’状态输入脉冲宽度受高侧自举电源电压‘刷新’所需时间的限制。
EPC9037开发板展示了EPC2101 eGaNIC的性能。这些开发板适用于在低环境温度和对流冷却条件下进行台面评估。添加散热片和强制风冷可以显著提高这些器件的电流额定值,但要注意不要超过管芯的绝对最大温度150°C。需要提醒的是,这些开发板上没有任何电流或热保护功能。
| Item | Qty | Reference | Part Description | Manufacturer / Part# |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 3 | C4, C10, C11 | Capacitor, 1 µF, 10%, 25 V, X5R | Murata, GRM188R61E105KA12D |
| 2 | 2 | C16, C17 | Capacitor, 100 pF, 5%, 50 V, NP0 | Kemet, C0402C101K5GACTU |
| 3 | 2 | C9, C19 | Capacitor, 0.1 µF, 10%, 25 V, X5R | TDK, C1005X5R1E104K |
| 4 | 4 | C21, C22, C23, C24 | Capacitor - 1 µF, 10%, 100 V, X7S | TDK, CGA4J3X7S2A105K125AE |
| 5 | 2 | D1, D2 | Schottky Diode, 30 V | Diodes Inc., SDM03U40 - 7 |
| 6 | 3 | J1, J2, J9 | Connector | 2 pins of Tyco, 4 - 103185 - 0 |
| 7 | 6 | J3, J4, J5, J6, J7, J8 | Connector | FCI, 68602 - 224HLF |
| 8 | 1 | Q1 | eGaN IC | EPC2101 |
| 9 | 1 | R1 | Resistor, 10.0 k, 5%, 1/8 W | Stackpole, RMCF0603FT10K0 |
| 10 | 2 | R2, R15 | Resistor, 0 Ω, 1/8 W | Stackpole, RMCF0603ZT0R00 |
| 11 | 1 | R4 | Resistor, 47 Ω, 1%, 1/8W | Stackpole, RMCF0603FT47R0 |
| 12 | 1 | R5 | Resistor, - 47 Ω, 1%, 1/8W | Stackpole, RMCF0603FT22R0 |
| 13 | 4 | R19, R20, R23, R24 | Resistor, 0 Ω, 1/20 W | Panasonic, ERJ - 1GE0R00C |
| 14 | 2 | TP1, TP2 | Test Point | Keystone Elect, 5015 |
| 15 | 1 | TP3 | Connector | 1/40th of Tyco, 4 - 103185 - 0 |
| 16 | 1 | U1 | I.C., Logic | Fairchild, NC7SZ00L6X |
| 17 | 1 | U2 | I.C., Gate driver | Texas Instruments, LM5113 |
| 18 | 1 | U3 | I.C., Regulator | Microchip, MCP1703T - 5002E/MC |
| 19 | 1 | U4 | I.C., Logic | Fairchild, NC7SZ08L6X |
| 20 | 0 | R14 | Optional Resistor | |
| 21 | 0 | D3 | Optional Diode | |
| 22 | 0 | P1, P2 | Optional Potentiometer |
总之,EPC9037开发板为我们提供了一个很好的平台来探索EPC2101 eGaNIC的性能。在使用过程中,大家是否有遇到过类似开发板的使用问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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