电子说
在电子工程领域,对于高电流应用的评估和开发,一款合适的开发板至关重要。今天,我们就来详细了解一下EPC9013开发板,它为高电流应用中EPC2001C eGaN FET的评估提供了便捷的解决方案。
文件下载:EPC9013.pdf
EPC9013开发板采用了100 V的EPC2001C增强型(eGaN®)场效应晶体管(FET),通过四个半桥并联和单个板载栅极驱动器,能够实现高达35 A的最大输出电流。其尺寸为2” x 2”,搭载了八个EPC2001C eGaN FET,并使用了uPI Semiconductor uP1966A栅极驱动器。该开发板将所有关键组件集成在一块电路板上,方便连接到任何现有的转换器中,大大简化了EPC2001C eGaN FET在高电流操作下的评估过程。此外,电路板的布局经过精心设计,以实现最佳的开关性能,同时还设有多个探测点,便于进行简单的波形测量和评估eGaN FET的效率。
在进行评估之前,需要确保电源处于关闭状态,然后按照以下步骤进行连接:
连接完成后,按照以下顺序开启电源:
一旦开发板开始运行,您可以在操作范围内调整总线电压和负载PWM控制,并观察输出开关行为、效率和其他参数。如果需要关闭开发板,请按照上述步骤的相反顺序进行操作。
在测量高频内容的开关节点(OUT)时,务必注意避免使用过长的接地引线。正确的测量方法是将示波器探头尖端放置在开关节点上(该节点专为测量设计),并将探头直接接地到提供的GND端子上。
| 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| (V_{DD}) | 栅极驱动器输入电源范围 | 7 | 12 | V | |
| (V_{IN}) | 总线输入电压范围 | 假设为感性负载,最大电流取决于管芯温度 - 实际最大电流受开关频率、总线电压和热条件影响 | 70 | V | |
| (V_{OUT}) | 开关节点输出电压 | 100 | V | ||
| (I_{OUT}) | 开关节点输出电流 | 最大电流取决于管芯温度 - 实际最大电流受开关频率、总线电压和热冷却影响 | 35 | A | |
| (V_{PWM}) | PWM逻辑输入电压阈值(输入‘低’/输入‘高’) | 0 / 1.5 | 3.5 / 6 | V | |
| 最小‘高’状态输入脉冲宽度 | (V_{PWM}) 上升和下降时间 < 10ns | 60 | ns | ||
| 最小‘低’状态输入脉冲宽度 | (V_{PWM}) 上升和下降时间 < 10ns,受‘刷新’高端自举电源电压所需时间限制 | 100 | ns |
虽然EPC2001C eGaN FET的电气性能优于传统硅器件,但由于其尺寸相对较小,对热管理的要求更高。EPC9013开发板适用于在低环境温度和对流冷却条件下进行台式评估。添加散热片和强制风冷可以显著提高这些器件的电流额定值,但要注意不要超过管芯的绝对最大温度150°C。需要注意的是,EPC9013开发板本身没有任何电流或热保护功能。
| EPC9013开发板的物料清单涵盖了各种电容、二极管、连接器、电阻、测试点、集成电路等组件,具体信息如下: | 项目 | 数量 | 参考 | 部件描述 | 制造商 | 部件编号 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 3 | C4, C10, C11 | 电容,1 μF,10%,25 V,X5R | Murata | GRM188R61E105KA12D | |
| 2 | 2 | C16, C17 | 电容,100 pF,5%,50 V,NP0 | Kemet | C0402C101K5GACTU | |
| …… | …… | …… | …… | …… | …… |
EPC9013开发板仅用于产品评估目的,不适合商业用途。在更换评估板上的组件时,请仅使用快速启动指南中零件清单(或物料清单)中所示的零件。该开发板应由经过认证的专业人员在实验室环境中按照适当的安全程序使用,使用时需自行承担风险。此外,该开发板并非为符合欧盟电磁兼容性指令或任何其他此类指令或法规而设计,并且不能保证购买的开发板100%符合RoHS标准。
通过以上介绍,相信大家对EPC9013开发板有了更深入的了解。在实际应用中,你是否遇到过类似开发板在热管理方面的挑战?你又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !