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在电子工程领域,功率放大器的设计和应用一直是研究的重点。今天,我们将深入探讨EPC9052开发板,它是一款高效的差分模式Class - E放大器开发板,能够为工程师们在Class - E放大器技术的评估和应用中提供便利。
文件下载:EPC9052.pdf
EPC9052开发板可在高达15 MHz的频率下工作,虽然更高频率的操作正在评估中,但目前这个频率范围已经能满足很多应用需求。其主要目的是简化使用eGaN® FET的Class - E放大器技术的评估过程,工程师可以轻松地将所有关键的Class - E组件安装在一块板子上,并方便地连接到现有系统中。
该开发板不仅适用于Class - E放大器的评估,还可用于一些使用低端开关的应用,如推挽转换器、电流模式Class D放大器、共源双向开关以及诸如LiDAR等通用高压窄脉冲宽度应用。
开发板采用了额定电压为200 V的EPC2012C eGaN FET,默认配置为差分模式,但也可以重新配置为单端模式,并且板上包含了栅极驱动器和逻辑电源调节器。
从原理图来看,图1展示了单端Class - E放大器的理想操作波形,放大器连接到调谐负载,如高谐振无线功率线圈。不过,由于具体设计要求(如负载电阻和工作频率),放大器尚未进行配置。在本指南中会给出特定Class - E放大器支持组件的设计方程,进而可以计算出适用于射频放大器应用的具体值。
图2则展示了差分模式Class - E放大器EPC9052演示板的电源电路原理图。在这种模式下,输出连接在Out 1和Out 2之间,使用占空比为50%、信号幅度为0 V - 5 V的方波外部振荡器作为板子的信号。不过,占空比调制建议仅适用于熟悉Class - E放大器操作并需要额外效率的高级用户。
尽管默认配置是差分模式,但演示板可以通过短路C74(仅禁用驱动电路)并将负载仅连接在Out 1和GND之间,重新配置为单端操作。
负载电阻的变化对Class - E放大器的性能影响显著,必须仔细分析以选择最佳的设计电阻。当负载电阻低于设计值时,负载会过快地从放大器吸取电流,为了补偿这种情况,需要增加放大器的电源电压以获得所需的输出功率。这会导致开关器件承受的电压显著增加,并且在器件关断期间会出现器件体二极管导通的情况,器件损耗会随着负载电阻的减小而线性增加。
当负载电阻高于设计值时,负载从放大器吸取的电流不足,导致电压转换不完全。器件开关时,器件两端会有残余电压,从而导致并联电容( (C{oss }+C{sh }) )损耗,器件损耗会随着反射负载电阻的增加呈指数增加。
因此,需要确定最佳设计点,该点在两个极端负载电阻点之间,能使器件损耗相同。可以通过试错法或电路仿真来找到这个最佳设计点。
对于这个放大器,只需要特别设计三个组件:额外电感( (L{e}) )、并联电容( (C{sh}) )和选择合适的开关器件。射频扼流圈( (L_{RFC}) )的值不太关键,可以选择或设计。
Class - E放大器的设计方程由N. Sokal推导得出。为了简化这些方程,将文献[1]中Q的值设为无穷大,这在该开发板频率能力范围内的大多数应用中是合理的近似。设计需要有特定的负载电阻( (R{Load }) )值和期望的负载功率( (P{Load }) ),以此开始设计,进而确定其他组件的值,包括电源电压的大小。
设计过程从负载阻抗值( (Z{Load }) )开始,使用串联电容 (C{s}) 调谐出 (Z{Load }) 的电抗分量,该电容还起到直流阻断的作用,得到 (R{Load }) 。忽略直流阻断的需求是常见的错误,否则会导致电源通过负载产生直流电流,从而增加该路径中几个组件的额外损耗。
通过图4中的方程,可以确定额外电感 (L{e}) 和并联电容 (C{sh}) 的值。并联电容的值包括开关器件的 (C{oss}) ,需要从计算值中减去 (C{oss}) 以得到实际的外部电容( (C{sh}) )值。首先使用方程1计算电源电压( (V{DD}) )的大小,进而确定器件的峰值电压( (3.56V{DD}) )。然后使用峰值器件电压的有效值来确定该电压下器件的 (C{oss}Q) ,即从计算出的并联电容中扣除的电容值。 (C{oss}Q) 可以通过对方程4中 (C{oss}) 作为电压的函数进行积分来计算。如果 (C{oss}Q) 值大于计算出的并联电容,则无法实现指定负载电阻的设计,必须选择新的负载电阻( (R{Load }) )。
最后,可以使用方程5设计扼流圈( (L_{RFC}) ),在这种情况下,指定了一个最小值。较大的值会产生较低的纹波电流,从而使放大器运行更稳定;而过低的值会导致运行损耗增加并改变放大器的工作模式,在某些情况下这可能是有意为之。
需要注意的是,在差分模式放大器的情况下,计算出的 (L_{e}) 值由每个电路共享,因此板上的每个物理组件必须将其除以2。
EPC9052放大器板易于设置,用于评估eGaN FET在Class - E放大器应用中的性能。一旦完成无源组件的设计并安装,就可以对板子进行上电和测试。
在测量高频内容开关节点时,必须注意避免使用长接地引线。板上内置了示波器探头连接(首选方法),以简化漏源电压的测量。选择示波器探头时需要考虑探头电容,因为它会与并联电容并联,从而改变放大器的工作点。
EPC9052开发板展示了EPC2012C eGaN FET在Class - E放大器应用中的性能。虽然其电气性能优于传统硅器件,但由于其尺寸相对较小,需要注意热管理技术。
该开发板没有电流或热保护,因此必须小心操作,避免器件过流或过热。负载阻抗范围的过度变化会导致器件损耗增加。操作人员必须观察栅极驱动器和eGaN FET的温度,确保它们在数据手册规定的热限制范围内运行。始终检查操作条件,并使用红外相机监测EPC器件的温度。
文档中还提供了放大器板的物料清单(表2),列出了各个组件的数量、参考编号、描述、制造商和零件编号等信息,为工程师在实际设计和组装过程中提供了详细的参考。
总之,EPC9052开发板为Class - E放大器技术的研究和应用提供了一个很好的平台。通过深入了解其原理、设计和操作方法,工程师们可以更好地利用这款开发板进行相关的实验和开发工作。大家在实际应用中是否遇到过类似开发板的使用问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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