电子说
在电子设计领域,高效的功率转换器件是提升系统性能的关键。EPC公司的EPC9049开发板,为工程师们提供了一个便捷的平台,用于评估EPC2035 eGaN®场效应晶体管(FET)的性能。本文将详细介绍EPC9049开发板的特点、快速启动步骤、性能参数以及热考虑等方面,帮助工程师们快速上手。
文件下载:EPC9049.pdf
EPC9049开发板采用半桥拓扑结构,板载栅极驱动器,搭载了EPC2035 eGaN FET。其尺寸为2” x 1.5” ,包含两个以半桥配置连接的eGaN FET,使用德州仪器的LM5113栅极驱动器、电源和旁路电容。该开发板集成了所有关键组件和优化的布局,以实现最佳的开关性能,并且设有多个探测点,方便进行简单的波形测量和效率计算。
开发板的主要目的是简化eGaN FET的评估过程。通过将所有关键组件集成在一块板上,工程师可以轻松地将其连接到任何现有的转换器中,从而快速评估eGaN FET在实际应用中的性能。
在进行任何连接之前,请确保电源处于关闭状态。以下是具体的连接步骤:
一旦开发板开始运行,您可以在工作范围内调整总线电压和负载PWM控制,观察输出开关行为、效率和其他参数。
关机时,请按照上述步骤的相反顺序进行操作。
| 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| (V_{DD}) | 栅极驱动输入电源范围 | 7 | 12 | V | |
| (V_{IN}) | 总线输入电压范围 | 使用60 V器件EPC2035时 | 48 | V | |
| (V_{OUT}) | 开关节点输出电压 | 使用60 V器件EPC2035时 | 60 | V | |
| (I_{OUT}) | 开关节点输出电流 | 使用60 V器件EPC2035时 | 4* | A | |
| (V_{PWM}) | PWM逻辑输入电压阈值 | 输入‘高’ | 3.5 | 6 | V |
| 输入‘低’ | 0 | 1.5 | V | ||
| 最小‘高’状态输入脉冲宽度 | (V_{PWM}) 上升和下降时间 < 10ns | 60 | ns | ||
| 最小‘低’状态输入脉冲宽度 | (V_{PWM}) 上升和下降时间 < 10ns | 200# | ns |
注:* 假设为感性负载,最大电流取决于管芯温度,实际最大电流受开关频率、总线电压和热冷却的影响。# 受高端自举电源电压‘刷新’所需时间的限制。
EPC9049开发板用于展示EPC2035 eGaN FET。该开发板适用于在低环境温度和对流冷却条件下进行台式评估。添加散热片和强制风冷可以显著提高这些器件的电流额定值,但要注意不要超过管芯的绝对最大温度150°C。需要注意的是,EPC9049开发板板载没有任何电流或热保护。
| 开发板的物料清单详细列出了各个组件的数量、参考编号、部件描述以及制造商和部件编号。以下是部分关键组件: | 项目 | 数量 | 参考编号 | 部件描述 | 制造商/部件编号 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 3 | C4, C10, C11 | 电容,1 µF,10%,25 V,X5R | Murata, GRM188R61E105KA12D | |
| 8 | 2 | Q1, Q2 | 60 V eGaN® FET | EPC2035 | |
| 17 | 1 | U2 | I.C., 栅极驱动器 | Texas Instruments, LM5113 |
EPC9049开发板为工程师提供了一个便捷的平台,用于评估EPC2035 eGaN FET的性能。通过本文介绍的快速启动步骤和相关注意事项,工程师们可以快速上手,深入了解eGaN FET在实际应用中的表现。在使用过程中,要注意热管理和测量技巧,确保开发板的安全和有效运行。你在使用EPC9049开发板的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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