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在电子工程领域,高效功率放大器的设计与应用一直是研究的热点。今天,我们就来深入探讨EPC9053开发板,一款基于EPC2019C Class - E无线功率放大器的开发工具。
文件下载:EPC9053.pdf
EPC9053是一款高效的差分模式Class - E放大器开发板,最高可在15 MHz频率下工作,更高频率目前还在评估中。其主要目的是简化使用eGaN® FET的Class - E放大器技术的评估过程,工程师可以轻松地将所有关键的Class - E组件安装在一块板上,并方便地连接到现有系统中。
该开发板不仅适用于Class - E放大器评估,还可用于使用低端开关的应用,如推挽转换器、电流模式Class D放大器、共源双向开关以及激光雷达等通用高压窄脉冲宽度应用。开发板采用了额定电压为200 V的EPC2019 eGaN FET,默认工作在差分模式,也可重新配置为单端模式,并且板上包含栅极驱动器和逻辑电源稳压器。
单端Class - E放大器连接到调谐负载(如高谐振无线功率线圈)时,其理想工作波形如图1所示。由于具体设计要求(如负载电阻和工作频率)不同,放大器需要进行相应配置。本指南给出了特定Class - E放大器支持组件的设计方程,可据此计算适用于射频放大器应用的具体值。
差分模式Class - E放大器EPC9053演示板的电源电路原理图如图2所示。在这种模式下,输出连接在Out 1和Out 2之间,使用占空比为50%、信号幅度为0 V - 5 V的方波外部振荡器作为板的信号。不过,占空比调制建议仅由熟悉Class - E放大器操作且需要额外效率的高级用户使用。
虽然默认配置为差分模式,但演示板可通过短路C74(仅禁用驱动电路)并将负载仅连接在Out 1和GND之间,重新配置为单端操作(详见图2和图5)。
负载电阻变化对Class - E放大器的性能影响显著,必须仔细分析以选择最佳设计电阻。当负载电阻低于设计值时,负载会过快地从放大器吸取电流,为补偿这种情况,需增加放大器电源电压以获得所需输出功率,这会导致开关器件承受的电压显著增加,并且在器件关断期间会出现器件体二极管导通,器件损耗随负载电阻减小呈线性增加。当负载电阻高于设计值时,负载从放大器吸取的电流不足,导致电压转换不完全,器件开关时会有残余电压,从而产生并联电容( (C{oss }+C{sh }) )损耗,器件损耗随反射负载电阻增加呈指数增加。因此,需要确定最佳设计点,使两个极端负载电阻点的器件损耗相同,可通过试错法或电路仿真找到该点。
对于该放大器,仅需专门设计三个组件:额外电感(Le)、并联电容( (C) )和选择合适的开关器件。射频扼流圈( (L_{RFck}) )的值不太关键,可以选择或设计。
Class - E放大器的设计方程由N. Sokal推导得出。为简化计算,在大多数应用中可将某些参数设为无穷大。设计需要特定的负载电阻( (R{Load }) )值和所需的负载功率( (P{Load }) ),以此驱动其他组件的值,包括电源电压的大小。
设计过程从负载阻抗值( (Z{Load}) )开始,使用串联电容 (C{s}) 调谐 (Z{Load}) 的电抗分量,同时作为直流阻断电容,得到 (R{Load}) 。忽略直流阻断电容会导致电源产生直流电流通过负载,增加路径中多个组件的损耗。
首先,使用图4中的方程确定额外电感Le(方程2)和并联电容(方程3)的值。并联电容的值包括开关器件的 (C{oss}) ,需要从计算值中减去 (C{oss}) 以得到实际的外部电容( (C) )值。为此,先使用方程1计算电源电压( (V{DD}) )的大小,进而确定器件的峰值电压( (3.56 cdot V{DD}) )。然后,使用峰值器件电压的有效值确定该电压下器件的 (COSQ) ,即从计算的并联电容中扣除的电容值, (COSQ) 可通过对方程4中 (C{oss }) 关于电压的积分计算得到。如果 (C{oss}) 值大于计算的并联电容值,则无法实现指定负载电阻的设计,需要选择新的负载电阻( (R_{Load }) )。
最后,使用方程5设计扼流圈( (L_{RFck}) ),并指定一个最小值。较大的值可降低纹波电流,使放大器工作更稳定;值过低会增加工作损耗并改变放大器的工作模式。
EPC9053放大器板易于设置,用于评估eGaN FET在Class - E放大器应用中的性能。完成无源组件的设计和安装后,即可对开发板进行上电和测试。
在测量高频内容的开关节点时,要注意避免使用过长的接地引线。开发板内置了示波器探头连接(首选方法),用于简化漏源电压的测量(如图5所示)。选择示波器探头时,需要考虑探头尖端电容,因为它会与并联电容并联,从而改变放大器的工作点。
此外,EPC9053开发板展示了EPC2019 eGaN FET在Class - E放大器应用中的性能。虽然其电气性能优于传统硅器件,但由于尺寸相对较小,需要注意热管理技术。开发板没有电流或热保护,操作时要避免器件过流或过热。负载阻抗范围变化过大会导致器件损耗增加,操作人员必须观察栅极驱动器和eGaN FET的温度,确保它们在数据手册规定的热极限内工作。建议使用红外相机检查操作条件并监测EPC器件的温度。
EPC9053开发板为电子工程师提供了一个便捷的平台,用于评估和开发Class - E放大器技术。通过合理设计和操作,可以充分发挥其高效性能,为无线功率传输等应用带来新的可能性。大家在实际应用中是否遇到过类似开发板的使用问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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