EPC9057开发板：高效评估EPC2039 eGaN FET的利器

在电力电子领域，高效的功率转换一直是追求的目标。EPC（Efficient Power Conversion）公司推出的EPC9057开发板，为工程师们评估EPC2039增强模式（eGaN®）场效应晶体管（FET）提供了一个便捷的解决方案。下面就为大家详细介绍一下这款开发板。

文件下载：EPC9057.pdf

开发板概述

EPC9057开发板是一款最大器件电压为80 V、最大输出电流为6 A的半桥开发板，板载栅极驱动器，采用了EPC2039 eGaN FET。其主要目的是简化EPC2039 eGaN FET的评估过程，将所有关键组件集成在一块板子上，方便连接到任何现有的转换器中。

该开发板尺寸为2” x 1.5”，包含两个采用德州仪器LM5113栅极驱动器的EPC2039 eGaN FET半桥配置，以及电源和旁路电容。板上的布局和关键组件确保了最佳的开关性能，同时还设有多个探测点，便于进行简单的波形测量和效率计算。

性能参数

Symbol	Parameter	Conditions	Min	Max	Units
V DD	Gate Drive Input Supply Range		7	12	V
V IN	Bus Input Voltage Range			60*	V
V OUT	Switch Node Output Voltage			80	V
I OUT	Switch Node Output Current			6*	A
V PWM	PWM Logic Input Voltage Threshold	Input ‘High’ Input ‘Low’	3.5 0	6 1.5	V V
	Minimum ‘High’ State Input Pulse Width	V PWM rise and fall time < 10 ns	60		ns
	Minimum ‘Low’ State Input Pulse Width	V PWM rise and fall time < 10 ns	200#		ns

需要注意的是，*假设为电感负载，最大电流取决于管芯温度，实际最大电流受开关频率、母线电压和热性能影响；#受高端自举电源电压“刷新”所需时间限制。

更多关于EPC2039 eGaN FET的信息，请参考EPC公司官网（www.epc-co.com）提供的 datasheet，并且建议将其与本快速入门指南结合阅读。

快速启动指南

EPC9057开发板易于设置，可用于评估EPC2039 eGaN FET的性能。以下是具体的连接和测量设置步骤：

1. 电源关闭状态下：将输入电源总线连接到 (+VIN)（J5, J6），将接地/返回端连接到 (-V_{N})（J7, J8）。
2. 电源关闭状态下：将半桥的开关节点OUT（J3, J4）根据需要连接到您的电路中。
3. 电源关闭状态下：将栅极驱动器输入连接到 (+V DO)（J1, Pin - 1），将接地返回端连接到 (-V_{D O})（J1, Pin - 2）。
4. 电源关闭状态下：将输入PWM控制信号连接到PWM（J2, Pin - 1），将接地返回端连接到J2的其余任意引脚。
5. 打开栅极驱动器电源，确保电源电压在7 V至12 V范围内。
6. 将母线电压调节到所需值（不要超过 (V) 的绝对最大电压80 V）。
7. 打开控制器/PWM输入源，探测开关节点以观察开关操作。
8. 设备运行后，在工作范围内调整母线电压和负载PWM控制，观察输出开关行为、效率和其他参数。
9. 关机时，请按相反步骤操作。

在测量高频内容的开关节点（OUT）时，要注意避免使用过长的接地引线。可将示波器探头尖端通过开关节点上的大过孔（为此目的设计）进行测量，并将探头直接接地到提供的GND端子上。

热管理考虑

EPC9057开发板展示了EPC2039 eGaN FET的性能。尽管其电气性能优于传统的Si器件，但相对较小的尺寸也增加了热管理的要求。该开发板适用于在低环境温度和对流冷却条件下进行台式评估。增加散热片和强制风冷可以显著提高这些器件的电流额定值，但要注意不要超过管芯的绝对最大温度125°C。需要注意的是，EPC9057开发板上没有任何电流或热保护功能。

物料清单

开发板的物料清单包含了各种电容、二极管、连接器、电阻、测试点、集成电路等组件，具体如下：	Item	Qty	Reference	Part Description	Manufacturer	Part #
1	3	C4, C10, C11	Capacitor, 1µF, 10%, 25 V, X5R	Murata	GRM188R61E105KA12D
2	2	C16, C17	Capacitor, 100 pF, 5%, 50 V, NP0	Kemet	C0402C101K5GACTU
3	2	C9, C19	Capacitor, 0.1 µF, 10%, 25 V, X5R	TDK	C1005X5R1E104K
4	3	C21, C22, C23	Capacitor, 1 µF, 10%, 100 V, X7R	TDK	CGA4J3X7S2A105K125AE
5	2	D1, D2	Schottky Diode, 30 V	Diodes Inc.	SDM03U40 - 7
6	3	J1, J2, J9	Connector	2pins of Tyco	4 - 103185 - 0
7	1	J3, J4, J5, J6, J7, J8	Connector	FCI	68602 - 224HLF
8	2	Q1, Q2	eGaN® FET	EPC	EPC2039
9	1	R1	Resistor, 10.0 K, 5%, 1/8 W	Stackpole	RMCF0603FT10K0
10	2	R2, R15	Resistor, 0 Ω, 1/8 W	Stackpole	RMCF0603ZT0R00
11	1	R4	Resistor, 22 Ω, 1%, 1/8 W	Stackpole	RMCF0603FT22R0
12	1	R5	Resistor, 47 Ω, 1%, 1/8 W	Stackpole	RMCF0603FT47R0
13	4	R19, R20, R23, R24	Resistor, 1 Ω, 1/16 W	Stackpole	RMCF0402FT1R00
14	2	TP1, TP2	Test Point	Keystone Elect	5015
15	1	TP3	Connector	1/40th of Tyco	4 - 103185 - 0
16	1	U1	I.C., Logic	Fairchild	NC7SZ00L6X
17	1	U2	I.C., Gate driver	Texas Instruments	LM5113TME
18	1	U3	I.C., Regulator	Microchip	MCP1703T - 5002E/MC
19	1	U4	I.C., Logic	Fairchild	NC7SZ08L6X
20	0	R14	Optional Resistor
21	0	D3	Optional Diode
22	0	P1, P2	Optional Potentiometer

注意事项

EPC9057开发板仅用于产品评估目的，不适合商业用途。作为评估工具，它未设计用于符合欧盟电磁兼容性指令或任何其他此类指令或法规。由于板卡的构建有时受产品供应情况影响，板卡可能包含不符合RoHS标准的组件或组装材料，EPC公司不保证所购买的板卡100%符合RoHS标准。此外，EPC公司不承担应用协助、客户产品设计、软件性能或专利或任何其他知识产权侵权方面的责任，并且有权随时更改电路和规格而不另行通知。

如果你对EPC9057开发板感兴趣，可通过info@epc - co.com联系他们，或咨询当地销售代表。也可以访问他们的网站www.epc - co.com获取更多信息。大家在使用这款开发板的过程中，有没有遇到什么特别的问题或者有趣的发现呢？欢迎在评论区分享。