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在电子工程领域,功率放大器的设计与应用一直是研究的热点。今天我们要介绍的EPC9083开发板,是一款专注于Class - E放大器技术的开发工具,它为工程师们提供了一个便捷的平台来评估eGaN® FET在Class - E放大器应用中的性能。
文件下载:EPC9083.pdf
EPC9083是一款高效的差分模式Class - E放大器开发板,最高可在15 MHz频率下运行,其中6.78 MHz是无线功率应用中常用的频率。不过,该开发板并未针对特定频率进行预配置,更高频率的应用仍在评估中。其主要目的是简化使用eGaN® FET的Class - E放大器技术的评估过程,工程师可以轻松地将所有关键的Class - E组件安装在一块板上,并将其连接到现有系统中。
此外,该开发板还可用于使用低端开关的应用,如推挽转换器、电流模式Class D放大器、共源双向开关以及通用高压窄脉冲宽度应用(如LiDAR)。开发板采用了额定电压为200 V的EPC2207 eGaN FET,放大器默认设置为差分模式,也可重新配置为单端模式,同时还配备了栅极驱动器和逻辑电源稳压器。
图1展示了单端Class - E放大器的原理图及理想工作波形,放大器连接到调谐负载(如高谐振无线功率线圈)。由于特定的设计要求(如负载电阻和工作频率),放大器尚未进行配置。本指南给出了特定Class - E放大器支持组件的设计方程,可据此计算适用于射频放大器应用的具体值。
图2展示了差分模式Class - E放大器EPC9083演示板的电源电路原理图。在这种模式下,输出连接在Out 1和Out 2之间。使用占空比为50%、信号幅度为0 V - 5 V的方波外部振荡器作为电路板的信号。占空比调制建议仅适用于熟悉Class - E放大器操作并需要额外效率的高级用户。
虽然默认配置为差分模式,但演示板可以通过短路C74(仅禁用驱动电路)并仅将负载连接在Out 1和GND之间,重新配置为单端操作(详见图2和图5)。
负载电阻变化对Class - E放大器的性能影响显著,必须仔细分析以选择最佳设计电阻。当负载电阻低于设计值时,负载会过快地从放大器吸取电流,为补偿这种情况,需要增加放大器电源电压以获得所需的输出功率,这会导致开关器件承受的电压显著增加,并且在器件关断期间会出现器件体二极管导通的情况,器件损耗会随着负载电阻的减小而线性增加。当负载电阻高于设计值时,负载从放大器吸取的电流不足,导致电压转换不完全,器件开关时会有残余电压,从而导致并联电容( (C{oss }+C{sh }) )损耗,器件损耗会随着反射负载电阻的增加而呈指数增加。因此,需要确定最佳设计点,使两种极端负载电阻情况下的器件损耗相同,这可以通过试错法或电路仿真来实现。
对于该放大器,仅需专门设计三个组件:额外电感 (L{e}) 、并联电容 (C{sh}) 和合适的开关器件。射频扼流圈 (L{RFck}) 的值不太关键,可以选择或设计。Class - E放大器的设计方程由N. Sokal推导得出,为简化方程,将 (Q{L}) 的值设为无穷大,这在该开发板频率能力范围内的大多数应用中是合理的近似。设计需要有特定的负载电阻 (R{Load }) 和所需的负载功率 (P{Load }) ,以此开始设计,进而确定其他组件的值,包括电源电压的大小。
具体设计步骤如下:
在测量高频内容开关节点时,必须注意避免使用长接地线。开发板内置了示波器探头连接(首选方法),以简化漏源电压的测量(见图6)。选择示波器探头时,需要考虑探头电容,因为它会与并联电容并联,从而改变放大器的工作点。
EPC9083开发板展示了EPC2207 eGaN FET在Class - E放大器应用中的性能。尽管其电气性能优于传统硅器件,但由于尺寸相对较小,需要注意热管理技术。该开发板没有电流或热保护,必须小心避免器件过流或过热。负载阻抗范围变化过大会导致器件损耗增加,操作人员必须观察栅极驱动器和eGaN FET的温度,确保它们在数据手册规定的热极限内运行。建议始终检查操作条件,并使用红外热像仪监测EPC器件的温度。
开发板的物料清单详细列出了各个组件的型号、数量和制造商,方便工程师进行采购和替换。同时,还提供了一些可选组件,如肖特基二极管、电感器等,可根据具体应用需求进行选择。
EPC9083开发板为工程师提供了一个全面的平台来评估和设计Class - E放大器。通过合理的设计和操作,可以充分发挥eGaN FET的优势,实现高效的功率放大。在设计过程中,工程师需要仔细考虑负载电阻、电源电压、组件参数等因素,以确保放大器的性能和稳定性。同时,要注意热管理和测量技巧,避免因操作不当导致器件损坏。大家在使用过程中是否遇到过类似的功率放大器设计问题呢?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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