onsemi硅热载流子肖特基势垒二极管MBD301G等型号器件解析

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onsemi硅热载流子肖特基势垒二极管MBD301G等型号器件解析

在电子设计领域,二极管是不可或缺的基础元件。今天我们来深入了解一下安森美(onsemi)的硅热载流子肖特基势垒二极管,具体涉及MBD301G、MMBD301LT1G、MMBD301LT3G和SMMBD301LT3G这几个型号。

文件下载:MBD301-D.PDF

一、应用场景与特性

这些二极管主要设计用于高效的超高频(UHF)和甚高频(VHF)检测应用。同时,它们也能轻松适应许多其他快速开关射频(RF)和数字应用。其采用廉价的塑料封装,能满足低成本、大批量的消费和工业/商业需求,还有表面贴装封装可供选择。

特性亮点

  1. 极短的少数载流子寿命:典型值为15 ps,这使得二极管在高速开关应用中表现出色,能够快速响应信号变化,减少开关时间,提高电路的工作效率。
  2. 极低的电容:在反向电压(V_{R}=15V)时,最大电容为1.5 pF。低电容特性有助于减少信号的延迟和失真,在高频应用中能更好地保持信号的完整性。
  3. 低反向泄漏电流:以MBD301为例,典型反向泄漏电流(I_{R}=13 nAdc)。低反向泄漏电流可以降低功耗,提高电路的稳定性和可靠性。
  4. 汽车级应用适配:带有“S”前缀的型号适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用,并且通过了AEC - Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力。

二、最大额定值

额定参数 符号 单位
反向电压 (V_{R}) 30 V
正向电流(直流) (I_{F}) 200(最大) mA
总器件功耗((T_{A}=25^{circ}C)) (P_{F}) mW
MBD301G等型号在25°C以上的降额系数 280、200、2.8、2.0 mW/°C
工作结温范围 (T_{J}) -55 至 +125 °C
储存温度范围 (T_{stg}) -55 至 +150 °C

需要注意的是,超过最大额定值可能会损坏器件,若超出这些限制,不能保证器件的功能正常,可能会出现损坏并影响可靠性。

三、电气特性

在(T_{A}=25^{circ}C)(除非另有说明)的条件下,这些二极管具有以下电气特性: 特性 符号 最小值 典型值 最大值 单位
反向击穿电压((I_{a}=10 mu A)) V
总电容 1.5 pF
反向泄漏电流((V_{R}=25V)) 13 nAdc
正向电压((I_{F}=1.0 mAdc)) 0.38 0.45 Vdc
正向电压((I_{F}=10 mAdc)) (V_{F})

不过要记住,产品的参数性能是在所列测试条件下的电气特性中体现的,如果在不同条件下运行,电气特性可能无法准确反映产品性能。

四、订购信息

器件 封装 包装数量
MBD301G TO - 92(无铅) 5,000 个/散装
MMBD301LT1G SOT - 23(无铅) 3,000 个/卷带包装
MMBD301LT3G SOT - 23(无铅) 10,000 个/卷带包装
SMMBD301LT3G SOT - 23(无铅) 10,000 个/卷带包装

对于卷带规格的详细信息,包括零件方向和卷带尺寸,可参考安森美的卷带包装规格手册BRD8011/D。

五、机械封装尺寸

TO - 92封装

其尺寸有详细规定,例如A尺寸在4.45 - 5.21 mm之间,B尺寸在4.32 - 5.33 mm之间等。同时,对于封装的轮廓、引脚尺寸等也有相应的说明和公差要求。

SOT - 23封装

尺寸为2.90x1.30x1.00 1.90P,各尺寸也有明确的最小、标称和最大值。并且对引脚厚度、尺寸包含范围等也有规定。此外,还给出了不同引脚定义的多种样式,如PIN 1为阳极、PIN 3为阴极等不同组合。

在实际设计中,工程师们需要根据具体的应用场景和需求,综合考虑这些二极管的特性、额定值、电气性能以及封装尺寸等因素。大家在使用这些二极管时,有没有遇到过什么特别的问题或者有独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享交流。

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